三星半導(dǎo)體穩(wěn)居**海力士全力沖刺縮小差距

時(shí)間：2024-11-15作者：深圳市凱高達(dá)科技有限公司瀏覽：431

根據(jù)TrendForce旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，DRAM廠積極研發(fā)，并提高行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)能，不僅可望拉抬整體獲利表現(xiàn)，亦可降低因標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)造成的虧損。**季行動(dòng)式內(nèi)存平均銷售單價(jià)滑落約10~15%，合約價(jià)降幅約10%，但由于出貨位元成長(zhǎng)約達(dá)20%，整體行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收較去年*四季成長(zhǎng)約37%。TrendForce表示，除三星電子市占大幅擴(kuò)大之外，其他廠家均受到降價(jià)影響而壓縮整體行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收表現(xiàn)。

　　三星半導(dǎo)體穩(wěn)居**海力士全力沖刺縮小差距

　　在產(chǎn)品組合多樣性、技術(shù)以及生產(chǎn)成本優(yōu)勢(shì)下，三星半導(dǎo)體**季在行動(dòng)式內(nèi)存的銷售一舉拿下七成的市占率，自有品牌Galaxy貢獻(xiàn)良多，約占三星行動(dòng)式內(nèi)存總產(chǎn)出的3成;韓系廠商在行動(dòng)式內(nèi)存的市占率于**季突破八成，足見韓系廠商長(zhǎng)期在行動(dòng)式內(nèi)存市場(chǎng)的布局與努力成效**。三星今年開始在市場(chǎng)策略上，將較專注LPDDR2，以及高容量多芯片封裝(MCP)生產(chǎn)，TrendForce認(rèn)為這是三星在行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收良好對(duì)手的主因，下階段三星將以深化客戶對(duì)高容量LPDDR2的接受度為發(fā)展重點(diǎn)，做為下一波營(yíng)收成長(zhǎng)動(dòng)力。同時(shí)，三星也積極在客戶端推廣應(yīng)用于UltraBook的LPDDR3*16，雖然至今仍未通過JEDEC的認(rèn)證規(guī)范，但若受到PCOEM廠商青睞，預(yù)計(jì)將較進(jìn)一步擴(kuò)大三星在行動(dòng)式內(nèi)存的市占率。

　　SK海力士方面，本季行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品線營(yíng)收與上季相當(dāng)，隨著38nm制程良率逐步提升，不僅生產(chǎn)成本降低，生產(chǎn)比例也逐步提升，且LPDDR24Gb顆粒已受客戶驗(yàn)證完畢，后續(xù)在高容量LPDDR2的出貨量將穩(wěn)定增加，可望在*二季為獲利表現(xiàn)加溫。

　　爾必達(dá)與美光連手抗敵可望發(fā)揮垂直整合之效

　　雖然爾必達(dá)不斷向客戶承諾將持續(xù)出貨，然而在財(cái)務(wù)問題尚未明朗化前，多數(shù)客戶皆在備料計(jì)劃上采取避險(xiǎn)措施，以免其無預(yù)警減產(chǎn)或停產(chǎn)危及產(chǎn)線穩(wěn)定，因此**季爾必達(dá)在行動(dòng)式內(nèi)存市占率以及營(yíng)收上均受到不小沖擊，不過爾必達(dá)在LPDDR2產(chǎn)品的質(zhì)量相當(dāng)受到客戶肯定，隨著與美光合并后財(cái)務(wù)危機(jī)塵埃落定，后續(xù)表現(xiàn)可望逐步復(fù)蘇。

　　美光方面，伴隨中國(guó)以及新興市場(chǎng)對(duì)中低階智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁成長(zhǎng)，低容量行動(dòng)內(nèi)存以及多芯片封裝的產(chǎn)品線需求也隨之提升。制程方面，美光積極轉(zhuǎn)進(jìn)30nm生產(chǎn)并提升良率，目前工程樣品積極送測(cè)中。由于美光擁有NANDFlash及NORFlash產(chǎn)品搭配，因此其行動(dòng)式內(nèi)存產(chǎn)品配置多元且具彈性，尤其是多芯片封裝MCP(4Gb+4GB)，被廣泛應(yīng)用于中低階智能型手機(jī)以及功能型手機(jī)，對(duì)于營(yíng)收有相當(dāng)大的幫助。未來若與爾必達(dá)在高容量行動(dòng)式內(nèi)存有進(jìn)一步的合作，產(chǎn)品垂直整合優(yōu)勢(shì)將會(huì)較進(jìn)一步拓展其在行動(dòng)式內(nèi)存市占率。

　　臺(tái)系廠市占僅2%南科押寶高容量行動(dòng)式內(nèi)存

　　就南亞科技而言，在美光的技術(shù)支持下，南科在*二季已將30nm生產(chǎn)的行動(dòng)式內(nèi)存的工程樣品送與多家客戶測(cè)試，預(yù)估下半年將積極投入量產(chǎn)，以單芯片封裝(Discrete)LPDDR2產(chǎn)品線切入行動(dòng)式內(nèi)存供貨商的行列。華邦電子將在今年以自行開發(fā)的46nm制程生產(chǎn)LPDDR1256/512Mb行動(dòng)式內(nèi)存開拓商機(jī)，配合PseudoSRAM的產(chǎn)品線，可望擴(kuò)大在功能型手機(jī)市場(chǎng)的市占率，逐步提升華邦電子行動(dòng)式內(nèi)存營(yíng)收比重。


深圳市凱高達(dá)科技有限公司專注于可控硅,貼片可控硅,高壓可控硅,MOS管,肖特基二極管,晶閘管,單向可控硅,雙向可控硅等, 歡迎致電 13502844648

• 詞條

  詞條說明

• 今年*2季閩臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入成長(zhǎng)階段,預(yù)估產(chǎn)值達(dá)4，115億元,成長(zhǎng)14.3％

  2012年*1季閩臺(tái)整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值3，601億元，較2011年*4季衰退3.1％，雖受到傳統(tǒng)淡季影響，但不同于以往下滑1成的幅度，今年*1季閩臺(tái)IC產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)相對(duì)抗跌。展望*2季，工研院IEKITIS計(jì)畫分析，今年*2季閩臺(tái)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)步入成長(zhǎng)階段，預(yù)估產(chǎn)值達(dá)4，115億元，較*1季成長(zhǎng)14.3％。 *1季閩臺(tái)IC產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)相對(duì)抗跌，ITIS計(jì)畫分析，雖然智慧手持裝置市場(chǎng)有下滑的壓力，但資訊、消費(fèi)性

• 晶片仿冒者無法真的**成功，以后也不可能

  晶片仿冒者無法真的**成功，以后也不可能。雖然電子產(chǎn)業(yè)中充斥著有關(guān)仿冒元件流入航空、消費(fèi)電子產(chǎn)品以及軍事設(shè)備等領(lǐng)域造成沖擊的新聞與研究報(bào)導(dǎo)，但事實(shí)上這些報(bào)導(dǎo)都只反映出這些事件的單方面而已。因?yàn)?，就在晶片仿冒者逐漸增加各種偽造元件供應(yīng)，并破壞電子產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈之際，業(yè)界制造商以及**監(jiān)管人員也正擴(kuò)大清查以及打擊這些犯罪行為的力度。 元件制造商、經(jīng)銷商、電子制造服務(wù)(EMS)供應(yīng)商和原始設(shè)備制造商(OE

• 原裝KGD品牌BTA41-1600B 高壓雙向可控硅晶閘管

  【品 牌】 KGD 【品 名】= 40A雙向可控硅(TRIACs) 【型 號(hào)】= BTA41-1600B 【電 流】= 40.0（A） 【電 壓】= 1600（V） 【結(jié) 溫】= 125（℃） 【封裝形式】= TOP3 【管腳排列】= T1-T2-G 【主要用途】 ?開關(guān)電源、復(fù)合開關(guān)、自動(dòng)化電氣設(shè)備、路燈控制電路、直流電源、 ?機(jī)電控制電路以及三象交流輸入的高壓電路變頻電路

• 廢舊電子拆解企業(yè)生存困境:正規(guī)軍不敵小商販

  據(jù)國(guó)家**數(shù)據(jù)顯示，我國(guó)已進(jìn)入家電報(bào)廢高峰期，報(bào)廢率年增20%。此外，較有大批電腦、手機(jī)等電子消費(fèi)品較新?lián)Q代。因此，正確處理廢舊電子勢(shì)在必行，這給電子回收產(chǎn)業(yè)帶來了發(fā)展機(jī)遇。然而，由于處理成本高，支付給消費(fèi)者的回收費(fèi)用無法與小商販匹敵，導(dǎo)致市場(chǎng)上正規(guī)回收企業(yè)貨源不足，面臨嚴(yán)峻的生存困境。 一方面是小商販回收市場(chǎng)處于無序發(fā)展?fàn)顟B(tài)，另一方面是拆解正規(guī)軍難以為繼，加強(qiáng)我國(guó)電子垃圾回收處理體系建設(shè)刻不