晶振的頻率參數(shù)以及電路

時(shí)間：2020-01-05作者：深圳市康華電子有限公司瀏覽：892

康華爾電子有限公司－石英晶振設(shè)計(jì)電路指南
 
康華爾電子：在日夜不斷發(fā)展成長(zhǎng)，從民用晶體、、工業(yè)石英晶振、*晶振，從DIP晶振、SMD晶振、陶瓷霧化片、衛(wèi)星導(dǎo)航、聲表面濾波器系列。
從晶片研發(fā)，到電路的設(shè)計(jì)。公司已經(jīng)有了實(shí)際的技術(shù)和開(kāi)發(fā)生產(chǎn)能力，現(xiàn)將一些晶振設(shè)計(jì)電路，32.768K，千赫晶體匹配電容、晶振匹配IC、晶振振蕩模式、驅(qū)動(dòng)電壓和功率，焊接溫度曲線等應(yīng)用技術(shù)公布，希望在此能幫助到一些有需要的公司和設(shè)計(jì)人士。
石英晶振振蕩電路的設(shè)計(jì)概述
晶振|振蕩電路設(shè)計(jì)的關(guān)鍵參數(shù)
驅(qū)動(dòng)級(jí)（DL），晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
晶振|振蕩模式，頻率溫度曲線
晶振驅(qū)動(dòng)級(jí)（DL）
晶體單元的驅(qū)動(dòng)器的運(yùn)行功率或電流消耗水平（參見(jiàn)圖9,10和11）所示。晶體單元操作的權(quán)力過(guò)大，水平，將導(dǎo)致其特點(diǎn)，這可能會(huì)導(dǎo)致晶體芯片的頻率不穩(wěn)定或物理故障的退化。你的電路設(shè)計(jì)在**較大驅(qū)動(dòng)電平。
 
石英晶振|振蕩頻率和負(fù)載電容（CL）
 
負(fù)載電容（CL）是一個(gè)確定的晶振|振蕩電路的頻率參數(shù)。 CL是代表一個(gè)有效的等效電容，加載從晶振|振蕩電路的晶體單元的兩端（見(jiàn)圖12）。
 晶振|振蕩頻率會(huì)有所不同，這取決于負(fù)載電容
晶振|振蕩電路。為了獲得理想的頻率精度，晶振|振蕩電路的負(fù)載電容和晶體單元之間的匹配是必需的。為使用的表晶單元，配合晶體單元的負(fù)載電容的晶振|振蕩電路的負(fù)載電容。

振蕩津貼
為了確保穩(wěn)定的振蕩電路的負(fù)電阻應(yīng)該顯著**等效串聯(lián)電阻較大的（振蕩津貼是大）。確保振蕩津貼，是至少5倍的等效串聯(lián)電阻大。
振蕩津貼的評(píng)價(jià)方法
加入電阻“RX”系列表晶單元，并確保該振蕩啟動(dòng)或停止。近似的負(fù)阻電路是通過(guò)增加有效的抵抗“RE”的較大阻力“RX”振蕩啟動(dòng)或停止后，逐漸使Rx值較大時(shí)，得到的值。
負(fù)阻 - R的|= RX+復(fù)
|-R的是一個(gè)至少5倍作為較大的晶體單元的等效串聯(lián)電阻（R1的較大值）。大的**。
* Re為振蕩過(guò)程中的有效電阻值。
RE = R1（1+ CO/ CL的）2

頻率溫度曲線
 

音叉晶體的頻率溫度特性的負(fù)二次曲線，其中有一個(gè)高峰期在25oC每左圖所示。
請(qǐng)確保你所需要的溫度范圍和頻率精度考慮，因?yàn)轭l率的幅度變化變得越來(lái)越大，溫度范圍變寬。
[頻率溫度特性的近似公式]
f_tem= B（T-TI）2
A：拋物系數(shù)   T：給定的溫度
             鈦成交額溫度的
 
                          作者：康華爾――晶振**

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