LPCVD設(shè)備

時(shí)間：2014-10-22作者：青島福潤(rùn)德微電子設(shè)備有限公司瀏覽：53

LPCVD設(shè)備維修及應(yīng)用

低壓化學(xué)氣相淀積設(shè)備使用與維護(hù)技術(shù) LPCVD是大規(guī)模集成電路(LSI)和**大規(guī)模集成電路(VLSI)以及半導(dǎo)體光電器件工藝領(lǐng)域里的主要工藝之一。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設(shè)備使用過(guò)程中出現(xiàn)薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內(nèi)均勻性、片間均勻性不理想等問(wèn)題，提出解決辦法。 PCVD技術(shù)可以提高淀積薄膜的質(zhì)量，使膜層具有均勻性好，缺陷密度低，臺(tái)階覆蓋性好等優(yōu)點(diǎn)，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。淀積時(shí)，硅片垂直放人反應(yīng)器中，間隙緊湊，大大提高了設(shè)備的加工能力，有利于降低生產(chǎn)成本，與水平放置硅片的系統(tǒng)相比，避免了反應(yīng)器掉落微粒的沾污。 熱壁LPCVD技術(shù)有如下特點(diǎn): 淀積溫度低、均勻性好，能很好地控制其組分，并有良好的臺(tái)階覆蓋性、可控性和重復(fù)性好，成本低、成品率高、適合大批量生產(chǎn)，且淀積薄膜不受襯底的影響。


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