氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究

時間：2020-01-05作者：鄭州仟鑫金屬材料有限責(zé)任公司瀏覽：960

	    氧化銦錫（ITO）由于其在可見光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國外對其壓阻效應(yīng)已經(jīng)有了足夠的重視，新的研究還在不斷地展開，但是國內(nèi)對此的研究還相當(dāng)少。本文意在通過測量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)（TCR）和室溫下的響應(yīng)因子來研究氧化銦錫的壓阻效應(yīng)。 使用電子束蒸發(fā)技術(shù)，選擇合適的生長參數(shù)在玻璃襯底上制備所需的氧化銦錫薄膜，進(jìn)行了化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)、光學(xué)性質(zhì)等常規(guī)測量，并研究了退火對薄膜性質(zhì)的影響。然后用光刻和刻蝕的方法制作電學(xué)測試所需的圖形。對于ITO薄膜的電學(xué)測試包括對其電阻溫度系數(shù)和響應(yīng)因子的測量兩部分。前者是用黑體輻射來改變ITO樣品的溫度，測量在不同溫度下的薄膜電阻值，并建立了一個理論模型來擬合溫度下降階段ITO樣品電阻值的變化，并從擬合參數(shù)中得到其電阻溫度系數(shù)和激活能。后者是在室溫下，通過改變薄膜一端的位移，測量不同應(yīng)變下ITO圖形樣品的電阻值，計算得到其響應(yīng)因子。由于ITO樣品的電阻值在測量過程中存在一個不能被忽視的隨著時間的漂移量，所以在計算過程中考慮了這一漂移量帶來的影響。同時還估算了由于測試電流產(chǎn)生的焦耳熱引起的溫升，證明溫升引起的電阻變化遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于壓阻效應(yīng)，可以忽略。實驗中分別測量ITO樣品在拉應(yīng)變和壓應(yīng)變不同條件下的響應(yīng)因子，得到的響應(yīng)因子大約為-2.1。


	


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• 氧化銦錫薄膜的電子束蒸發(fā)制備及其電學(xué)性質(zhì)的研究

  ? ??氧化銦錫（ITO）由于其在可見光區(qū)的高透射率和低電阻率，作為一種透明導(dǎo)電薄膜被廣泛的應(yīng)用于太陽能電池和液晶顯示器等各種光電設(shè)備中。作為一種能被用于高溫的壓阻材料，國外對其壓阻效應(yīng)已經(jīng)有了足夠的重視，新的研究還在不斷地展開，但是國內(nèi)對此的研究還相當(dāng)少。本文意在通過測量氧化銦錫的電阻溫度系數(shù)（TCR）和室溫下的響應(yīng)因子來研究氧化銦錫的壓阻效應(yīng)。 使用電子束蒸發(fā)技