快恢復二極管的性能特點

時間：2015-10-23作者：武漢武整機電有限公司瀏覽：92

	      反向恢復時間、


	      反向恢復時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉換到規(guī)定低值的時間間隔。它是衡量高頻續(xù)流及整流器件性能的重要技術指標。反向恢復電流的波形如圖1所示。IF為正向電流，IRM為較大反向恢復電流。Irr為反向恢復電流，通常規(guī)定Irr=0.1IRM。當t≤t0時，正向電流I=IF。當t>t0時，由于整流器件上的正向電壓突然變成反向電壓，因此正向電流迅速降低，在t=t1時刻，I=0。然后整流器件**過反向電流IR，并且IR逐漸增大；在t=t2時刻達到較大反向恢復電流IRM值。此后受正向電壓的作用，反向電流逐漸減小，并在t=t3時刻達到規(guī)定值Irr。從t2到t3的反向恢復過程與電容器放電過程有相似之處。


	      結構特點


	      快恢復二極管的內(nèi)部結構與普通二極管不同，它是在P型、N型硅材料中間增加了基區(qū)I，構成P-I-N硅片。由于基區(qū)很薄，反向恢復電荷很小，不僅大大減小了trr值，還降低了瞬態(tài)正向壓降，使管子能承受很高的反向工作電壓?？旎謴投O管的反向恢復時間一般為幾百納秒，正向壓降約為0.6V，正向電流是幾安培至幾千安培，反向峰值電壓可達幾百到幾千伏。**快恢復二極管的反向恢復電荷進一步減小，使其trr可低至幾十納秒。


	      20A以下的快恢復及**快恢復二極管大多采用TO-220封裝形式。從內(nèi)部結構看，可分成單管、對管（亦稱雙管）兩種。對管內(nèi)部包含兩只快恢復二極管，根據(jù)兩只二極管接法的不同，又有共陰對管、共陽對管之分。


	  幾十安的快恢復二極管一般采用TO-3P金屬殼封裝。較大容量（幾百安～幾千安）的管子則采用螺栓型或平板型封裝形式。


武漢武整機電有限公司專注于可控硅,二極管,整流管,晶閘管,可控硅模塊,二極管模塊等

• 詞條

  詞條說明

• 可控硅的作用

  ??? 硅的作用一：可控整流作用 ??? 硅的作用之一就是可控整流，這也是可控硅較基本也較重要的作用。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能，并沒有實現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅，便構成了一個可控整流電路。 ??? 個較基本的單相半波可控整流電路中，當正弦交流電壓處于正半周時，只有在控制較外加觸發(fā)

• 晶閘管的含義？

  ? ? ???晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱，又可稱做可控硅整流器，簡稱可控硅。1957年美國通用電器公司開發(fā)出世界上**特種晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導體結構，它有三個較：陽極，陰極和門較；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門較有觸發(fā)電流。其派生器件有：快速晶閘管，雙向晶閘管，光控晶閘管等。它是一種

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  為什么可控硅容易擊穿？ 很多企業(yè)都在使用可控硅，可是有些企業(yè)的可控硅特別容易燒壞呢？下面就由我為大家一一介紹可控硅被擊穿的各種原因： 1、過壓擊穿： 過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內(nèi)過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收回路，以避免各種無規(guī)則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經(jīng)常發(fā)生可控硅擊穿，請檢查一

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