5nS 引線數(shù)量:3 MBR20100CT產(chǎn)品特性是什么? ASEMI肖特基二極管MBR10100FCT肖特基采用鐵頭封裝,目的就是為解決散熱性問題。采用鐵頭封裝的型號打標方式為MBR10200F.." />

ASEMI MBR10200FCT**購物清單之一

    編輯-ll
    
    MBR20100CT參數(shù)如何解讀?
    
    封裝:TO-220
    
    特性:肖特基二極管
    
    電性參數(shù):10A200V   芯片材質(zhì):SI   正向電流(Io):10A
    
    芯片個數(shù):2   正向電壓(VF):0.54V   芯片尺寸:86MIL
    
    浪涌電流Ifsm:120A   是否進口:是   漏電流(Ir):20UA
    
    工作溫度:-50~125   恢復時間(Trr):>5nS   引線數(shù)量:3
    
    MBR20100CT產(chǎn)品特性是什么?
    
    ASEMI肖特基二極管MBR10100FCT肖特基采用鐵頭封裝,目的就是為解決散熱性問題。采用鐵頭封裝的型號打標方式為MBR10200FCT與全塑封裝相區(qū)別。這種封裝能大幅提升電源的有效散熱效率,針對發(fā)熱嚴重或者對散熱要求高的電路非常適用。
    
    MBR20100CT參數(shù)如何解讀?
    
    封裝:TO-220
    
    特性:肖特基二極管
    
    ★電性參數(shù):10A200V   ★芯片材質(zhì):SI   ★正向電流(Io):10A
    
    ★芯片個數(shù):2   ★正向電壓(VF):0.54V   ★芯片尺寸:86MIL
    
    ★浪涌電流Ifsm:120A   ★是否進口:是   ★漏電流(Ir):20UA
    
    ★工作溫度:-50~125   ★恢復時間(Trr):>5nS   ★引線數(shù)量:3
    
    MBR20100CT產(chǎn)品特性是什么?
    
    ASEMI肖特基二極管MBR10100FCT肖特基采用鐵頭封裝,目的就是為解決散熱性問題。采用鐵頭封裝的型號打標方式為MBR10200FCT與全塑封裝相區(qū)別。這種封裝能大幅提升電源的有效散熱效率,針對發(fā)熱嚴重或者對散熱要求高的電路非常適用。
    
    
    

    深圳市強元芯電子有限公司專注于肖特基二極管,快恢復二極管,**快恢復二極管等

  • 詞條

    詞條說明

  • MUR2060CT/MUR2020CT ASEMI大功率快恢復二極管

    編輯-ll 閩臺原裝ASEMI品牌快恢復二極管MUR2060CT是深圳強元芯電子的好產(chǎn)品,品質(zhì)性能好,良率*,行銷海內(nèi)外倍受市場推崇,締造快恢復行業(yè)傳奇。TO-220AB封裝MUR2060CT快恢復廣泛適用于大中小功率開關電源,變頻器,逆變器等設備中整流續(xù)流檢波等作用。電源廠商,大功率變頻器廠家都競相采用的閩臺ASEMI品牌MUR1060CT快恢復二極管強元芯供應。 為您細說快恢復二極管MU

  • D4KB100/?UD4KB80_ASEMI高效率快充軟橋

    D4KB100/UD4KB80_ASEMI高效率快充軟橋-L 型號:D4KB100 品牌:ASEMI 封裝:D3K 特性:插件扁橋 電性參數(shù):4A 1000V 芯片材質(zhì):GPP 正向電流(Io):4A 芯片個數(shù):4 正向電壓(VF):1.05V 浪涌電流Ifsm:175A 漏電流(Ir):5ua 工作溫度:-55~+150℃ 引線數(shù)量:4 應用范圍:小功率開關電源,充電器,電源適配器,等相關電器產(chǎn)

  • D50XB80/D50XB100_ASEMI單相整流方橋

    編輯-LL D50XB80/D50XB100_ASEMI單相整流方橋 型號:D50XB80 品牌:ASEMI 封裝:DXB-4 電性參數(shù):50A 800V 正向電流:50A 反向耐壓:800V 正向耐壓:1.1V 芯片材質(zhì):GPP 芯片個數(shù):4 特性:單相整流扁橋 擴展資料 大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調(diào)速、發(fā)電機的勵磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領域得到廣泛應用。 主

  • ?GBL806/?GBL808/?GBL810_?氮化鎵快充整流橋

    GBL806/GBL808/GBL810_氮化鎵快充整流橋-L 型號:GBL810 品牌:ASEMI 封裝:GBL-4 特性:內(nèi)置GPP芯片 正向電流:6A 反向耐壓:50V-1000V 芯片個數(shù):4 漏電流:>10ua 工作溫度:-50℃~150℃ 包裝方式:500/盒;5K/箱 適用于:電源、充電器、適配器、LED燈飾、大小家電、民用及工業(yè)設備等產(chǎn)品中使用 ASEMI品牌GBL606,系列產(chǎn)品

聯(lián)系方式 聯(lián)系我時,請告知來自八方資源網(wǎng)!

公司名: 深圳市強元芯電子有限公司

聯(lián)系人: 李絢

電 話: 82812525

手 機: 13530121177

微 信: 13530121177

地 址: 廣東深圳福田區(qū)福虹路9號世貿(mào)廣場A座38層南區(qū)

郵 編: 518000

網(wǎng) 址: qiangyuanxin88.cn.b2b168.com

相關推薦

    八方資源網(wǎng)提醒您:
    1、本信息由八方資源網(wǎng)用戶發(fā)布,八方資源網(wǎng)不介入任何交易過程,請自行甄別其真實性及合法性;
    2、跟進信息之前,請仔細核驗對方資質(zhì),所有預付定金或付款至個人賬戶的行為,均存在詐騙風險,請?zhí)岣呔瑁?
    關于八方 | 八方幣 | 招商合作 | 網(wǎng)站地圖 | 免費注冊 | 一元廣告 | 友情鏈接 | 聯(lián)系我們 | 八方業(yè)務| 匯款方式 | 商務洽談室 | 投訴舉報
    粵ICP備10089450號-8 - 經(jīng)營許可證編號:粵B2-20130562 軟件企業(yè)認定:深R-2013-2017 軟件產(chǎn)品登記:深DGY-2013-3594
    著作權(quán)登記:2013SR134025
    Copyright ? 2004 - 2024 b2b168.com All Rights Reserved