5nS 引線數(shù)量:3 MBR20100CT產(chǎn)品特性是什么? ASEMI肖特基二極管MBR10100FCT肖特基采用鐵頭封裝,目的就是為解決散熱性問題。采用鐵頭封裝的型號打標方式為MBR10200F.." />
編輯-ll MBR20100CT參數(shù)如何解讀? 封裝:TO-220 特性:肖特基二極管 電性參數(shù):10A200V 芯片材質(zhì):SI 正向電流(Io):10A 芯片個數(shù):2 正向電壓(VF):0.54V 芯片尺寸:86MIL 浪涌電流Ifsm:120A 是否進口:是 漏電流(Ir):20UA 工作溫度:-50~125 恢復時間(Trr):>5nS 引線數(shù)量:3 MBR20100CT產(chǎn)品特性是什么? ASEMI肖特基二極管MBR10100FCT肖特基采用鐵頭封裝,目的就是為解決散熱性問題。采用鐵頭封裝的型號打標方式為MBR10200FCT與全塑封裝相區(qū)別。這種封裝能大幅提升電源的有效散熱效率,針對發(fā)熱嚴重或者對散熱要求高的電路非常適用。 MBR20100CT參數(shù)如何解讀? 封裝:TO-220 特性:肖特基二極管 ★電性參數(shù):10A200V ★芯片材質(zhì):SI ★正向電流(Io):10A ★芯片個數(shù):2 ★正向電壓(VF):0.54V ★芯片尺寸:86MIL ★浪涌電流Ifsm:120A ★是否進口:是 ★漏電流(Ir):20UA ★工作溫度:-50~125 ★恢復時間(Trr):>5nS ★引線數(shù)量:3 MBR20100CT產(chǎn)品特性是什么? ASEMI肖特基二極管MBR10100FCT肖特基采用鐵頭封裝,目的就是為解決散熱性問題。采用鐵頭封裝的型號打標方式為MBR10200FCT與全塑封裝相區(qū)別。這種封裝能大幅提升電源的有效散熱效率,針對發(fā)熱嚴重或者對散熱要求高的電路非常適用。
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詞條說明
MUR2060CT/MUR2020CT ASEMI大功率快恢復二極管
編輯-ll 閩臺原裝ASEMI品牌快恢復二極管MUR2060CT是深圳強元芯電子的好產(chǎn)品,品質(zhì)性能好,良率*,行銷海內(nèi)外倍受市場推崇,締造快恢復行業(yè)傳奇。TO-220AB封裝MUR2060CT快恢復廣泛適用于大中小功率開關電源,變頻器,逆變器等設備中整流續(xù)流檢波等作用。電源廠商,大功率變頻器廠家都競相采用的閩臺ASEMI品牌MUR1060CT快恢復二極管強元芯供應。 為您細說快恢復二極管MU
D4KB100/UD4KB80_ASEMI高效率快充軟橋-L 型號:D4KB100 品牌:ASEMI 封裝:D3K 特性:插件扁橋 電性參數(shù):4A 1000V 芯片材質(zhì):GPP 正向電流(Io):4A 芯片個數(shù):4 正向電壓(VF):1.05V 浪涌電流Ifsm:175A 漏電流(Ir):5ua 工作溫度:-55~+150℃ 引線數(shù)量:4 應用范圍:小功率開關電源,充電器,電源適配器,等相關電器產(chǎn)
編輯-LL D50XB80/D50XB100_ASEMI單相整流方橋 型號:D50XB80 品牌:ASEMI 封裝:DXB-4 電性參數(shù):50A 800V 正向電流:50A 反向耐壓:800V 正向耐壓:1.1V 芯片材質(zhì):GPP 芯片個數(shù):4 特性:單相整流扁橋 擴展資料 大多數(shù)整流電路由變壓器、整流主電路和濾波器等組成。它在直流電動機的調(diào)速、發(fā)電機的勵磁調(diào)節(jié)、電解、電鍍等領域得到廣泛應用。 主
?GBL806/?GBL808/?GBL810_?氮化鎵快充整流橋
GBL806/GBL808/GBL810_氮化鎵快充整流橋-L 型號:GBL810 品牌:ASEMI 封裝:GBL-4 特性:內(nèi)置GPP芯片 正向電流:6A 反向耐壓:50V-1000V 芯片個數(shù):4 漏電流:>10ua 工作溫度:-50℃~150℃ 包裝方式:500/盒;5K/箱 適用于:電源、充電器、適配器、LED燈飾、大小家電、民用及工業(yè)設備等產(chǎn)品中使用 ASEMI品牌GBL606,系列產(chǎn)品
公司名: 深圳市強元芯電子有限公司
聯(lián)系人: 李絢
電 話: 82812525
手 機: 13530121177
微 信: 13530121177
地 址: 廣東深圳福田區(qū)福虹路9號世貿(mào)廣場A座38層南區(qū)
郵 編: 518000
網(wǎng) 址: qiangyuanxin88.cn.b2b168.com
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