STANSON原廠現(xiàn)貨STP4435參數(shù)P30V 10A用于車燈可替代Si9804、AO4419

時(shí)間：2020-01-05

STP4435A替代Si9804、AO4419、AO4411、Si4425、Si4435、Si4431、AO4405E、AO4449、FDS8435、FDS4435、FDS6675、AO4405、Si4431CDY、SM4310PSK、SM4915PSK、AO4415、AO4459

描述
stp4435是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯
它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度
過程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件
特別適合于低電壓應(yīng)用，如液晶顯示器背光，筆記本電腦等
計(jì)算機(jī)電源管理和其他電池供電電路。

特征
-30V / -9.2a，RDS（上）= - 22mΩ（典型值
@ VGS = - 10V
-30V / -7.0a RDS（ON）＝30mΩ
@ VGS = 4.5v
**高密度電池設(shè)計(jì)
較低的RDS（on）
特殊的阻力和較大值
直流電流的能力
SOP-8封裝設(shè)計(jì)

詞條
詞條說明
STANSON原廠STP6621規(guī)格 P60V 10A 23mΩ SOP-8應(yīng)用于掃地機(jī)
STP6621規(guī)格和產(chǎn)品介紹：stp6621是P溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管邏輯的采用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少對(duì)國(guó)家的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，noteook電源管理和**電池供電的電路中的高側(cè)開關(guān)特征- 60V / -10.0a，RDS（上）= 23m??（典型值）@ VGS = - 10V- 60V / -8.0a RDS（ON）＝28m??@
STANSON 貼片MOS STN442D 規(guī)格書**0V 37A 應(yīng)用于按摩椅主板原廠直銷交貨快
STN442D替代AOD4130、2SK3416、AOD442描述STN442D使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負(fù)載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60V / 20.0a，RDS（上）= 24mΩ（典型值@ VGS = 10V60V / 20.0a，RDS（上）= 31mΩ@ VGS = 4.5V**高密度電池設(shè)計(jì)較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力TO-2
原廠STC4614 規(guī)格NP40V 10A 25mΩ SOP-8應(yīng)用于按摩器主板
STC4614可替代其它品牌：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對(duì)狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆
MOS管失效原因是什么？
MOS管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator） —半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下，這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。目前在市場(chǎng)應(yīng)用方面，排名**的是消費(fèi)類電子電源適配器產(chǎn)