STC6301D 替代AOD603D、AOD603A、SM6042CSU

時間：2020-01-05

STANSON 閩臺司坦森原廠直銷長期庫存充足，價格優(yōu)美，質(zhì)量保證
STC4301D替代AO606,AO609,FKD4903

STC6301D可替代 AOD603D,AOD603A,SM6042CSU4

說明

STC6301d是采用高電池密度的n&p通道增強模式電場效應晶體管
mos戰(zhàn)壕技術。這種高密度的過程特別適合將狀態(tài)阻力降到較低
并提供優(yōu)越的切換性能。這種裝置特別適用于低壓應用
如電源管理，其中高側(cè)開關、低在線功率損耗和暫態(tài)電阻
是需要的。

特征
n通道
60v/8.00a,rd(上)
=37mr
@vgs=10v
60v/5.0a,rd
=28mω
@vgs=4.5v
p-通道
-60v/-5.0a,RDS
=46mω
@vgs=-10v
-60v/-3.0a,rds(on)=65mω
@vgs=-4.5v
**高密度電池設計
較低的rd
異常阻力和較大阻力
直流電流能力

封裝252-4L

詳細規(guī)格書說明：

詞條
詞條說明
STN4828 **0V 10A STANSON 原廠替代Si4900、AO4828
STANSON/司坦森原廠 STN4828替代Si4900、AO4828、STM6930、MDS5951、SM4041DSK、Si9945BDY、Si4946CDY描述STN4828是雙N溝道邏輯增強型功率場效應晶體管是利用高密度，DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力。這些裝置特別適合于低電壓應用，筆記本電腦電源管理和其他電池供電的電路，高側(cè)開關特征60V
企業(yè)文化
STANSON技術形成于1981年，業(yè)務集中于出口當時的半導體設備和零件。此后，她逐漸轉(zhuǎn)型為材料和零部件銷售。 1996年，由于市場需求，司坦森科技在閩臺成立子公司，設計/開發(fā)半導體器件，如電晶體、莫斯菲特、二極管及IC設計。為了進一步加強對中國客戶的支持，司坦森科技在閩臺和深圳設立了銷售辦事處。司坦森提供各種規(guī)格的寬產(chǎn)品線的總電源解決方案。這包括監(jiān)管者，如液晶顯示器/電視、dsc、磁盤陣
STN454D TO-252 N40V 10A 規(guī)格書中文資料PDF
??溝槽式場效電晶體 Trench_MOSFET ( TO-251/TO-252)Part No.TYPEVDSSVGSVTHIDSRDS(Max)PDPackageData SheetMinMax25°C10V4.5V2.5V1.8V5.0V25°CVVVVAm Ωm Ωm Ωm Ωm ΩWSTN454DN402013102530---50TO-252BitmapST9435A替代Si
閩臺STANSON 專注MOS 13年STC4614 STP413D 原廠交貨快
STC4614可替代其它：STC4616替代AO4611、Si4567、AO4614A、UD606、UTM4052、UD4614、Si4599DY、Si4564DY、SN4066CSK、STC4614產(chǎn)品介紹STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應晶體管DMOS器件溝道技術。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關性能。該裝置特別適合于低電壓應用如筆記本