TKD原裝現(xiàn)貨SF32WK32768D31T002 無(wú)源晶振 3215

時(shí)間：2021-08-20作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：88

1.**音波清洗 Ultrasonic cleaning
一般的清潔液或超聲波清洗方法可以用來(lái)清洗我們的產(chǎn)品。但是，在某些情況下，超聲
波清洗機(jī)在我們產(chǎn)品的振蕩頻率上會(huì)產(chǎn)生共振，從而使器件的電氣特性惡化，甚至損壞器件的
整體結(jié)構(gòu)。因此，建議**音波清洗前進(jìn)行驗(yàn)證測(cè)試。
2.**音波焊接 Ultrasonic welding
避免使用超聲波焊接進(jìn)行安裝和加工，這種方法有可能使晶體產(chǎn)品內(nèi)部產(chǎn)生過(guò)大的振動(dòng)
擴(kuò)散，成為特性退化而不振動(dòng)的原因。
3.儲(chǔ)存溫度說(shuō)明 Storage temperature description
儲(chǔ)存溫度僅適用于產(chǎn)品，而包裝材料儲(chǔ)存溫度 5℃~40℃。
4.手工焊建議條件 Recommended conditions for manual welding
溫度：350±10℃,時(shí)間：3 秒 Max ,次數(shù)：2 次 Max .


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 供應(yīng)全新 FT60F010A SOT-23 FT60F010A-URT FMD 全新原裝現(xiàn)貨 FMD輝茫微

  高性能 RISC CPU 只需學(xué)習(xí) 35 條指令 所有指令均為單周期（除了分支跳轉(zhuǎn)） 可選的指令周期：2T/4T FSYS =16MHz 時(shí)，VDD≥2.7V 8 層硬件堆棧 存儲(chǔ)架構(gòu) ? 程序 ROM: 2k x 14bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) RAM: 128 x 8bits（FT60F12X） ? 數(shù)據(jù) EEPROM: 256 x 8bits 特殊單片機(jī)特性 ? 時(shí)鐘 ? 兩個(gè)內(nèi)

• 原裝** MT40A512M8RH-083E:B 封裝FBGA-78 儲(chǔ)存器芯片IC

  描述 DDR4sdram是一種高速動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，其內(nèi)部配置為用于x16配置的8行DRAM和用于x4和x8配置的16行DRAM。DDR4sdram使用8n-預(yù)取架構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)高速操作。8n-預(yù)取體系結(jié)構(gòu)與一個(gè)接口相結(jié)合，該接口被設(shè)計(jì)用于在輸入/輸出引針的每個(gè)時(shí)鐘周期上傳輸兩個(gè)數(shù)據(jù)字。 針對(duì)DDR4sdram的單個(gè)READ或?qū)懭氩僮靼ㄔ趦?nèi)部DRAM**的單個(gè)8n位寬、四時(shí)鐘數(shù)據(jù)傳輸和在I/O針腳的

• 供應(yīng) 原裝** LTM4630AIY LTM4630 LTM4630AY BGA-144 DC-DC電源IC

  描述 LTM?4630A是一種雙18A或單36A輸出開(kāi)關(guān)模式降壓DC/DCμModule?（微模塊）調(diào)節(jié)器，比LTM4630具有較寬的VOUT范圍和較高的效率。該包中包括開(kāi)關(guān)控制器、電源開(kāi)關(guān)、電感器和所有支持組件。LTM4630A從輸入電壓范圍為4.5V到18V，支持兩個(gè)輸出，每個(gè)輸出電壓范圍為0.6V到8V，每個(gè)輸出由一個(gè)外部電阻設(shè)置。它的高效設(shè)計(jì)為每個(gè)輸出提供高達(dá)18A的連續(xù)電流。只需要少量的

• BY25D16 全新原裝 FLASH存儲(chǔ)器芯片IC

  1.說(shuō)明BY25D16為16M位串行外圍接口(SPI)閃存，并支持雙SPI：串行時(shí)鐘、芯片選擇、串行數(shù)據(jù)I/O0(SI)、I/O1(SO)。雙輸出數(shù)據(jù)的傳輸速度為108Mbits/s。該設(shè)備使用一個(gè)單一的低壓電源，范圍從2.7伏到3.6伏。 此外，該設(shè)備還支持JEDEC標(biāo)準(zhǔn)制造商和設(shè)備ID。 特征 ● 串行外圍接口（SPI） -標(biāo)準(zhǔn)SPI:SCLK、/CS、SI、SO、/WP -雙SPI:SCLK