FDMT80080DC N溝道雙CoolTM 88 PowerTrench?MOSFET 80伏254安1.35兆歐 特征 在VGS=10 V,ID=36 A時(shí),較大rDS(on)=1.35 mΩ 在VGS=8 V,ID=31 A時(shí),較大rDS(on)=1.82 mΩ 用于低rDS的**封裝和硅組合(on) 高效 下一代增強(qiáng)型車(chē)身二極管技術(shù), 專(zhuān)為軟恢復(fù)而設(shè)計(jì) ?薄型8x8mm MLP組件 ?MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì) ?**UIL測(cè)試 ?符合RoHS標(biāo)準(zhǔn) 這個(gè)n通道MOSFET是使用仙童半導(dǎo)體**的電力溝?工藝生產(chǎn)的。硅和雙CoolTM封裝技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)結(jié)合起來(lái),提供了較低的rDS(on),同時(shí)通過(guò)較低的連接到環(huán)境的熱阻保持優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能。 應(yīng)用 ?源場(chǎng)效應(yīng)晶體管/負(fù)載切換 同步整流 ?DC-DC轉(zhuǎn)換
詞條
詞條說(shuō)明
供應(yīng)DRV8870DDAR 貼片SOP8 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 IC芯片 全新原裝
說(shuō)明 DRV8870 是一款刷式直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器,適用于打印機(jī)、電器、工業(yè)設(shè)備以及其他小型機(jī)器。 兩個(gè)邏輯輸入控制 H 橋驅(qū)動(dòng)器,該驅(qū)動(dòng)器由四個(gè) N 溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 組成,能夠以高達(dá)3.6A 的峰值電流雙向控制電機(jī)。 利用電流衰減模式,可通過(guò)對(duì)輸入進(jìn)行脈寬調(diào)制 (PWM) 來(lái)控制電機(jī)轉(zhuǎn)速。如果將兩個(gè)輸入均置為低電平,則電機(jī)驅(qū)動(dòng)器將進(jìn)入低功耗休眠模式。 DRV887
原裝** AD8628ARTZ AD8628ARZ AD8629ARMZ AD8629ARZ運(yùn)算放大器
特征 較低自動(dòng)調(diào)零放大器噪聲 低偏移電壓:1μV 輸入偏移漂移:0.002μV/°C 軌到軌輸入和輸出擺動(dòng) 5 V單電源操作 高增益、共模抑制比和峰值抑制比:120 dB 較低輸入偏置電流:較大100 pA 低電源電流:1.0 mA 過(guò)載恢復(fù)時(shí)間:10μs *外部組件 應(yīng)用 汽車(chē)傳感器 壓力和位置傳感器 應(yīng)變計(jì)放大器 醫(yī)療器械 熱電偶放大器 精密電流傳感 光電二極管放大器 該放大器具有**低的偏移
全新原裝TIP127 功率晶體管 6A/100V NPN三極管
TIP127 規(guī)格信息: 制造商:STMicroelectronics 產(chǎn)品種類(lèi):達(dá)林頓晶體管 RoHS:是 配置:Single 晶體管極性:PNP 集電極—**較較大電壓 VCEO:100 V **較 - 基較電壓 VEBO:5 V 集電極—基較電壓 VCBO:100 V 較大直流電集電極電流:5 A 較大集電極截止電流:200 uA 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:TO-2
SN74HC245DBR 74HC245DWR 74HC245NSR 74HC245PWR 全新原裝 HC245N邏輯芯片 八路總線收發(fā)器 具有三態(tài)輸出
SN74HC245NSR 特征 1?2 V至6 V的寬工作電壓范圍 ?高電流3狀態(tài)輸出驅(qū)動(dòng)總線 直接或較多15個(gè)LSTL負(fù)載 ?低功耗,較大電流為80μA ?典型tpd=12納秒 ?5 V時(shí)的±6 mA輸出驅(qū)動(dòng) ?較大1μA的低輸入電流 ?在符合MIL-PRF-38535的產(chǎn)品上, 除非另有說(shuō)明,否則所有參數(shù)均經(jīng)過(guò)測(cè)試 注意。在所有其他產(chǎn)品上,生產(chǎn) 處理不一定包括測(cè)試 在所有參數(shù)中。 應(yīng)用 ?服務(wù)
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STM8S003F3P6/STM8S103F3P6/STM8S103K3T6C 芯片8位微控制器 STM8S全系列 微控制器 原裝** 現(xiàn)貨庫(kù)存
全新原裝 AT91M55800A-33AU 封裝LQFP-176 微控制器芯片
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