磁控濺射鍍膜設(shè)備的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)有哪些?

    在真空鍍膜技術(shù)中,磁控濺射鍍膜技術(shù)屬于比較常見的一種鍍膜技術(shù)。今天,廣東真空鍍膜設(shè)備廠家就告訴大家,磁控濺射鍍膜技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn):
    
      1、沉積速度快、基材溫升低、對膜層的損傷?。?
    
      2、對于大部分材料,只要能制成靶材,就可以實(shí)現(xiàn)濺射;
    
      3、濺射所獲得的薄膜與基片結(jié)合較好;
    
      4、濺射所獲得的薄膜純度高、致密度好、成膜均勻性好;
    
      5、濺射工藝可重復(fù)性好,可以在大面積基片上獲得厚度均勻的薄膜;
    
      6、能夠控制鍍層的厚度,同時(shí)可通過改變參數(shù)條件控制組成薄膜的顆粒大小;
    
      7、不同的金屬、合金、氧化物能夠進(jìn)行混合,同時(shí)濺射于基材上;
    
      8、易于實(shí)現(xiàn)工業(yè)化。
    
      但磁控濺射也存在著一些問題,主要有:
    
      1、磁控濺射所利用的環(huán)狀磁場迫使二次電子跳欄式地沿著環(huán)狀磁場轉(zhuǎn)圈。相應(yīng)地,環(huán)狀磁場控制的區(qū)域是等離子體密度高的部位。在磁控濺射時(shí),可以看見濺射氣體——?dú)鍤庠谶@部位發(fā)出強(qiáng)烈的淡藍(lán)色輝光,形成一個(gè)光環(huán)。處于光環(huán)下的靶材是被離子轟擊嚴(yán)重的部位,會(huì)濺射出一條環(huán)狀的溝槽。環(huán)狀磁場是電子運(yùn)動(dòng)的軌道,環(huán)狀的輝光和溝槽將其形象地表現(xiàn)了出來。磁控濺射靶的濺射溝槽一旦穿透靶材,就會(huì)導(dǎo)致整塊靶材報(bào)廢,所以靶材的利用率不高,一般**40%;
    
      2、等離子體不穩(wěn)定;
    
      3、不能實(shí)現(xiàn)強(qiáng)磁性材料的低溫高速濺射,因?yàn)閹缀跛械拇磐ǘ纪ú贿^磁性靶子,所以在靶面附近不能加外加強(qiáng)磁場。
    
          本文由廣東振華科技發(fā)布,廣東振華科技,專注真空鍍膜設(shè)備、磁控濺射鍍膜設(shè)備30年。

    廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司專注于真空鍍膜,真空鍍膜設(shè)備,真空鍍膜生產(chǎn)商等

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    詞條說明

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