TMS是利用刺激發(fā)生器內(nèi)高壓電容經(jīng)充放電產(chǎn)生高壓電流,快速變化的電流傳遞到刺激線圈產(chǎn)生時變磁場,磁力線以非傾入的方式輕易無衰減地穿過頭皮、顱骨和腦組織,并在顱內(nèi)產(chǎn)生反向感生電流,使神經(jīng)元膜電位變化,激活較大的錐體神經(jīng)元,引起軸突內(nèi)的微觀變化,進而誘發(fā)電生理和功能變化來達到治療的目的。
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詞條說明
TMS是利用刺激發(fā)生器內(nèi)高壓電容經(jīng)充放電產(chǎn)生高壓電流,快速變化的電流傳遞到刺激線圈產(chǎn)生時變磁場,磁力線以非傾入的方式輕易無衰減地穿過頭皮、顱骨和腦組織,并在顱內(nèi)產(chǎn)生反向感生電流,使神經(jīng)元膜電位變化,激活較大的錐體神經(jīng)元,引起軸突內(nèi)的微觀變化,進而誘發(fā)電生理和功能變化來達到治療的目的。
1.生理因素:如年齡、焦慮程度、服用藥物、顱骨厚度、大腦萎縮等因素。2.病例因素:注意疾病本身特異性副作用,例如雙向抑郁癥的狂躁表現(xiàn)、腦血管疾病、腦外傷伴癲癇發(fā)作。? 成癮性疾病、藥物濫用、吸毒、酗酒都有各自不同的神經(jīng)精神癥狀和潛在的不同的癲癇發(fā)作風險。大腦結(jié)構(gòu)的變化所致的疾病、腦萎縮等病理變化可以改變TMS感應(yīng)電流的分布與變化。
rTMS的作用機制與突觸的可塑性有關(guān),也與神經(jīng)遞質(zhì)、腦血流量、神經(jīng)營養(yǎng)因子、基因表達等多種因素有關(guān)。根據(jù)頻率將 rTMS分為低頻 rTMS 與高頻 rTMS,其中頻率小于 或等于1 Hz 為低頻,頻率 大于 1 Hz 為高頻。且頻率大于或等于 5 Hz 的高頻 rTMS 較容易 興奮神經(jīng)組織,反之,低頻 rTMS 主要起抑制作用。
2003年,“**非輻射性放射保護**”已經(jīng)提出了現(xiàn)在還在使用的“電磁職業(yè)環(huán)境指南”,對MRI工作場,測量到的電磁輻射量在防護極限值的100倍以下。TMS的脈沖磁場的較高場強3T與MRI的靜態(tài)磁場強度相近,并且TMS磁場輻射真正工作時間較短,而且磁場刺激線圈不大,脈沖磁場作用范圍隨著距離的增加迅速衰減,但從安全性考慮,操作人員應(yīng)經(jīng)常與刺激線圈保持0.7m以上的距離。
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