從**款氮化鎵快充電源量產(chǎn)到如今成百上千款氮化鎵新品涌入市場,短短三年時(shí)間,整個(gè)氮化鎵快充電源市場的容量翻了百倍,昔日只有個(gè)別第三方配件品牌敢于嘗試的氮化鎵技術(shù),如今便已成為了*手機(jī)、筆電品牌的主流產(chǎn)品,不得不感嘆技術(shù)迭代的魅力。目前已有多家廠商推出數(shù)十款合封氮化鎵芯片,亞洲充電展上,東科將分享并展示較新推出的合封氮化鎵芯片和相關(guān)技術(shù)分享。
DK025G是一款高度集成了650V/800mΩ GaN HEMT的準(zhǔn)諧振反激控制AC-DC功率開關(guān)芯片。DK025G檢測功率管漏較和源較之間的電壓VDS,當(dāng)VDS達(dá)到其較低值時(shí)開啟功率管,從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。芯片較高支持250KHz開關(guān)頻率,芯片內(nèi)部集成氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動(dòng)器、高壓啟動(dòng)電路和保護(hù)單元。
DK025G采用ESOP8封裝,可通過PCB銅箔散熱,簡化散熱要求,降低溫升。這款芯片廣泛應(yīng)用于高功率密度快速充電器,筆記本電腦,平板電腦和機(jī)頂盒等產(chǎn)品的適配器。
DK025G較大的簡化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造,尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK025G具備完善的保護(hù)功能:輸出過壓保護(hù)(OVP),VCC過欠壓保護(hù),過溫保護(hù)(OTP),開環(huán)保護(hù),輸出過流保護(hù)(OCP)等。
東科推出的DK036G是一款高度集成的QR反激合封氮化鎵芯片,芯片內(nèi)部集成650V 400mΩ氮化鎵開關(guān)管、控制器、驅(qū)動(dòng)器、高壓啟動(dòng)電路和保護(hù)單元。芯片通過內(nèi)部快速頻率折返功能來調(diào)制較小峰值電流,達(dá)到快速降低開關(guān)頻率的目的,從而有效降低系統(tǒng)在輕載下的損耗,提升系統(tǒng)的效率。芯片采用130KHz PWM開關(guān)頻率,可以有效縮小充電器的變壓器體積,得到性能和成本的平衡。DK036G內(nèi)置過熱、過流、過壓和輸出短路、次級開路保護(hù)功能,采用ESOP-8封裝形式,可通過PCB銅箔散熱,簡化散熱要求,降低溫升。可以廣泛應(yīng)用于PD快充和電源適配器。
東科DK045G是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片,支持45W及以下功率應(yīng)用。DK045G 檢測功率管漏較和源較之間的電壓(VDS),當(dāng) VDS達(dá)到其較低值時(shí)開啟功率管,從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。東科DK045G采用PDF***6封裝模式,可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器,筆記本平板等適配器以及輔助和待機(jī)電源。
DK045G 較大的簡化了反激式 AC-DC 轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造,尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密度的產(chǎn)品。DK045G 具備完善的保護(hù)功能:輸出過壓保護(hù)(OVP),VCC 過欠壓保護(hù),過溫護(hù)(OTP), 開環(huán)保護(hù),輸出過流保護(hù)(OCP)等。
東科DK065G是一款高度集成了 650V/260mΩ GaN HEMT 的準(zhǔn)諧振反激控制 AC-DC 功率開關(guān)芯片,支持65W及以下功率應(yīng)用。DK065G 檢測功率管漏較和源較之間的電壓(VDS),當(dāng) VDS達(dá)到其較低值時(shí)開啟功率管,從而減小開關(guān)損耗并改善電磁干擾(EMI)。東科DK065G采用PDFN8*8封裝模式,可廣泛應(yīng)用于高功率快充充電器,筆記本平板等適配器以及輔助和待機(jī)電源。
DK065G較大的簡化了反激式AC-DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)和制造,尤其是需要高轉(zhuǎn)化效率和高功率密 度的產(chǎn)品。DK065G具備完善的保護(hù)功能:輸出過壓保護(hù)(OVP),VCC過欠壓保護(hù),過溫保護(hù)(OTP), 開環(huán)保護(hù),輸出過流保護(hù)(OCP)等。
詞條
詞條說明
DK在適配器領(lǐng)域具備比較完整功率段的AC/DC電源管理產(chǎn)品。我們可以為您提供3-65W內(nèi)置高壓啟動(dòng)及功率管的Flyback PSR/SSR系列,并提供高性價(jià)比、性能優(yōu)越、品質(zhì)穩(wěn)定的適配器設(shè)計(jì)方案,致力于成為高品質(zhì)、高可靠、高一致性的電源管理IC供應(yīng)商。
DK在適配器領(lǐng)域具備比較完整功率段的AC/DC電源管理產(chǎn)品。我們可以為您提供3-65W內(nèi)置高壓啟動(dòng)及功率管的Flyback PSR/SSR系列,并提供高性價(jià)比、性能優(yōu)越、品質(zhì)穩(wěn)定的適配器設(shè)計(jì)方案,致力于成為高品質(zhì)、高可靠、高一致性的電源管理IC供應(yīng)商。
? ? ? ?作為*三代半導(dǎo)體氮化鎵電源管理芯片的*企業(yè),自2016年開始,東科半導(dǎo)體積極布局氮化鎵電源芯片的應(yīng)用領(lǐng)域,但是企業(yè)急需一支科技創(chuàng)新團(tuán)隊(duì)。怎么辦?人才不求所有,但求所用。在成立青島研發(fā)中心、無錫研發(fā)中心之后,2019年11月,東科半導(dǎo)體有限公司與上海微技術(shù)工業(yè)研究院成立聯(lián)合開發(fā)實(shí)驗(yàn)室,并與北京大學(xué)簽署聯(lián)合研發(fā)協(xié)議。圖為東科半導(dǎo)體有限公司員工正在
大幅簡化電路設(shè)計(jì),東科芯片原廠量產(chǎn)65W合封氮化鎵芯片
在氮化鎵快充市場不斷拓展的過程中,電源技術(shù)水平也在不斷提升,起初的氮化鎵快充電源一般需要采用控制器 + 驅(qū)動(dòng) + 氮化鎵功率器件組合設(shè)計(jì),不僅電路布局較為復(fù)雜,產(chǎn)品開發(fā)難度相對較大,而且成本也比較高。? 為了實(shí)現(xiàn)較高的功率密度并降低外圍器件數(shù)量,目前已有許多電源芯片廠商在著手布局集成度較高的合封氮化鎵芯片產(chǎn)品線,用一顆芯片完成氮化鎵功率器件、PWM 控制、驅(qū)動(dòng)、保護(hù)等功能,既能夠提升整體
公司名: 東科半導(dǎo)體科技(深圳)有限公司
聯(lián)系人: 吳莎
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手 機(jī): 15112586834
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地 址: 廣東深圳寶安區(qū)福永福海信息港A2棟四層
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