美國磁屏蔽材料，低頻磁屏蔽材料，箔型磁屏蔽材料

時(shí)間：2023-11-24作者：深圳市瑞科創(chuàng)電子有限公司瀏覽：11

磁屏蔽材料

磁屏蔽材料是由坡莫合金、鎳鐵合金等具有高磁導(dǎo)率的鐵磁性（軟磁）材料所構(gòu)成的，通過制作成盒殼等閉合屏蔽體，從而對電源、繼電器、變壓器、電機(jī)、CRT 等低頻磁場干擾源或敏感設(shè)備（器件）進(jìn)行有效的磁屏蔽。

磁屏蔽材料具有兩個(gè)重要特性：
磁導(dǎo)率隨頻率增加而急劇減小，初始磁導(dǎo)率越高，減小的越快；磁導(dǎo)率隨場強(qiáng)增大而變化，當(dāng)場強(qiáng)增大到一定值時(shí)，將使得磁屏蔽材料出現(xiàn)磁飽合，致使磁屏蔽效能大為降低。在設(shè)計(jì)時(shí)，確定相應(yīng)的頻率范圍，適當(dāng)選取材料厚度及屏蔽體層數(shù)是進(jìn)行磁屏蔽設(shè)計(jì)所必須遵循的兩個(gè)重要原則。屏蔽效能較高時(shí)的根本原因在于材料中磁疇隨外加磁場的取向性較強(qiáng)，而影響取向性的較主要因素是折彎、敲擊、鉆孔及焊接等機(jī)械加工工序，顯然磁屏蔽體的制作加工將使得屏蔽體的磁屏效大大降低。消除這種影響的關(guān)鍵工序是對制作好的磁屏蔽體進(jìn)行特殊的熱處理。

一、 許多場合，電子設(shè)備中的元器件會受到周圍磁場的影響。當(dāng)磁場的頻率很低時(shí)，傳統(tǒng)的屏蔽方法幾乎沒有作用。因此低頻磁場往往對設(shè)備的正常工作造成嚴(yán)重的影響。工作頻率或100Kz以下磁場屏蔽是不同于EMI屏蔽技術(shù)的技術(shù)問題，這類低頻率的磁場屏蔽，需要提供較低磁阻表面來完成，采用高導(dǎo)磁率的特殊屏蔽材料可以達(dá)到這一目的。磁屏蔽材料有箔型和板型材兩種形式。

低頻磁場一般由馬達(dá)、發(fā)電機(jī)、變壓器等設(shè)備產(chǎn)生。這些磁場會對利用磁場工作的設(shè)備產(chǎn)生影響，如陰極射線管中的電子束是在磁場的控制下進(jìn)行掃描的，當(dāng)有外界磁場干擾時(shí)，電子束的偏轉(zhuǎn)會發(fā)生變化，使圖象失真。

當(dāng)外界磁場的變化頻率與場掃描頻率相同時(shí)，圖象僅發(fā)生扭曲變形，當(dāng)外界磁場的頻率與場掃描頻率不同時(shí)，圖象會發(fā)生滾動。解決磁場干擾有效辦法之一是屏蔽。

低頻磁場的屏蔽使用鐵磁性材料將敏感器件包起來。屏蔽的作用是為磁場提供一條低磁阻的通路，使敏感器件周圍的磁力線集中在屏蔽材料中，從而起到屏蔽的作用。為了提供高的屏蔽效果，屏蔽材料應(yīng)具有盡量高的磁導(dǎo)率。材料的磁導(dǎo)率不是一個(gè)不變的量，它隨著外加磁場、頻率等變化。故這類低頻率的磁場屏蔽需要提供低磁阻表面來完成。

二、采用CO NETIC AA（μ=450000）和NETIC S3-6（μ=4000）的高導(dǎo)磁率的特殊屏蔽材料可以達(dá)到這一目的。在低磁通密度時(shí)，使用CO-NETIC AA，以便利用其高初始磁導(dǎo)率和相應(yīng)的高衰減特性；在高磁通密度時(shí),使用NETIC S3-6,以便利用其高磁飽和特性；在某些應(yīng)用中,兩種材料結(jié)合使用，但NETIC材料經(jīng)常置于接近磁干擾源。

箔型與板型

箔型　的厚度從０.００２到０.１０英尺（0.051到0.254毫米），經(jīng)過簡單加工就可提供有效屏蔽，同時(shí)避免昂貴的機(jī)械加工。因此，箔型對于很多產(chǎn)品、樣機(jī)和實(shí)驗(yàn)室評價(jià)計(jì)劃來說,為可以選擇材料.典型的應(yīng)用包括：屏蔽對場敏感的元件、印制電路板、儀器、信號連線和功率電纜。
板型　材料的厚度從0.014到0.062英尺（0.356到1.58毫米），它可提供輔助屏蔽作用。典型應(yīng)用包括需要產(chǎn)品加工的場合。我們*有的完全退火的板型材，不用進(jìn)一步退火就可以作為磁屏蔽使用。

三、請參考下列產(chǎn)品的性能參數(shù)：

	CO-NETIC AA
完全退火的	CO-NETIC AA
壓力退火的* 	CO-NETIC B
壓力退火的*	NETIC S3-6
壓力退火的*
比重	8.74	8.74	8.18	7.86
膨脹系數(shù) 每sion,per℃×10-6	12.6	12.6	8.3	13.7
抗張強(qiáng)度 ,PSI×103	64	85	80	42
抗屈強(qiáng)度 ,PSI×103	18.5	33	27	27
彈性系數(shù) ,PSI×103	25	30	24	30
硬度 洛式B	50(參考)	70(參考)	68(參考)	50(參考)
2英寸延伸率	27%	32%	32%	38%
熔點(diǎn)	2650°F
1454℃	2650°F
1454℃	2600°F
1427℃	2790°F
1532℃
20℃時(shí)熱導(dǎo)率 (cal/sec/cm2/cm/℃)	.138	.138	.037	.118
電阻率 μ Ω-cm	55	55	48	11
飽和感應(yīng)(高斯)	8,000	在所需退火完成后，其特性與完全退火的板型相同. 	15,000*	21,400
初始磁導(dǎo)率	30,000		8,000*	200
40B時(shí)磁導(dǎo)率	75,000		12,000*	300
200B時(shí)磁導(dǎo)率	135,000		30,000*	500
較大磁導(dǎo)率	450,000		150,000*	4,000
在μ較大時(shí)的感應(yīng)	3,000		7,000*	8,000
矯頑力 Hc,奧斯特	.015		.05	1.0
居里溫度	850°F
454℃	850°F
454℃	840°F
449℃	1420°F
770℃
較低工作溫度	4°K	4°K	4°K	4°K

注意：板型材料的磁學(xué)數(shù)據(jù)是在直流場下測得的。
材料說明： 　 　 
1）所有的磁屏蔽箔材料都是以經(jīng)過完全退火處理的，可直接使用。
2）所有的磁屏蔽板材都應(yīng)經(jīng)過退火處理后方可獲得較佳屏蔽效能。


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  詞條說明

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