磁控濺射鍍膜設(shè)備工作原理

時(shí)間：2022-05-21作者：廣東振華科技股份有限公司廣東廣州分公司瀏覽：169

         磁控濺射是一個(gè)運(yùn)行模式的二級(jí)濺射。它與二，四級(jí)濺射的主要不同點(diǎn)；一是，在濺射的陰極靶后面設(shè)置了*磁鋼或電磁鐵。在靶面上產(chǎn)生水平分量的磁場(chǎng)或垂直分量的磁場(chǎng)，由氣體放電產(chǎn)生的電子被束縛在靶面附近的等離子區(qū)內(nèi)的特定軌道內(nèi)運(yùn)轉(zhuǎn)；受電場(chǎng)力和磁場(chǎng)力的復(fù)合作用，沿一定的跑道作旋轉(zhuǎn)輪轉(zhuǎn)圈。

         靶面磁場(chǎng)對(duì)荷電粒子具有約束作用，由于電磁場(chǎng)對(duì)電子的束縛和加速，電子在到達(dá)基片和陽(yáng)極前，其運(yùn)動(dòng)的路徑也大為延長(zhǎng)，使局部AR氣的碰撞電離幾率大大增加，氬離子Ar+在電場(chǎng)作用下加速轟擊作為陰極的靶材，把靶材表面的分子、原子及離子等電子濺射出來(lái)，提高了靶材飛濺脫離率。

         被濺射出來(lái)的粒子帶有一定的功能，沿著一定的方向射向基體，最后沉積在基體上成膜。經(jīng)過(guò)多次碰撞后電子的能量逐漸降低，擺脫茲力線的束縛，較終落在基片、真空室內(nèi)壁及靶電源陽(yáng)極上。

         工作氣體電離幾率的增加和靶材離化率的提高，使真空氣體放電時(shí)內(nèi)阻減小，故磁控靶發(fā)生濺射沉積時(shí)的工作電壓較低（多數(shù)在4-600V之間），有的工作電壓略高（如>700V），有的工作電壓較低（例如300V左右）。

磁控濺射發(fā)生時(shí)，其濺射工作電壓主要還是降落在磁控靶的陰極位降區(qū)上。

        由于磁控濺射沉積的膜層均勻、致密、針孔少，純度高。附著力強(qiáng),可以在低溫、低損傷的條件下實(shí)現(xiàn)高速沉積各種材料薄膜，已經(jīng)成為當(dāng)今真空鍍膜中的一種成熟技術(shù)與工業(yè)化的生產(chǎn)方式。

磁控濺射技術(shù)在科學(xué)研究與各行業(yè)工業(yè)化生產(chǎn)中得到了迅速的發(fā)展與廣泛的應(yīng)用。

    











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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 真空鍍膜設(shè)備的環(huán)境要求

  ? ? ? ? ? 由于真空鍍膜設(shè)備要在真空條件下工作，因此該設(shè)備要滿足真空對(duì)環(huán)境的要求。我國(guó)制減定的各類(lèi)真空鍍膜設(shè)備的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(包括真空鍍膜設(shè)備通用技術(shù)條件、真空離子鍍膜設(shè)備、真空濺射鍍膜設(shè)備、真空蒸發(fā)鍍膜設(shè)備)都對(duì)環(huán)境要求作了明確規(guī)定。只有滿足了真空鍍膜設(shè)備對(duì)環(huán)境的要求，才能使該設(shè)備正常運(yùn)轉(zhuǎn)，加上正確的鍍膜工藝，方能生產(chǎn)出合格的鍍膜產(chǎn)品。真空對(duì)

• 磁控濺射鍍膜設(shè)備

  ? ? ? ? 該設(shè)備集磁控濺射與離子鍍膜技術(shù)為一體，對(duì)提高顏色一致性、沉積速率及化合物成份的穩(wěn)定性提供了解決方案。根據(jù)不同的產(chǎn)品需求，可選配加熱系統(tǒng)、偏壓系統(tǒng)、離化系統(tǒng)等裝置，其靶位分布可靈活調(diào)整，膜層均勻性?xún)?yōu)越，配備不同的靶材，可鍍制出性能較好的復(fù)合膜層。設(shè)備所鍍制的膜層具有附著力強(qiáng)，致密性高的優(yōu)點(diǎn)，可有效提高產(chǎn)品的耐鹽霧性、耐磨性及產(chǎn)品表面硬度，滿足了

• 真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點(diǎn)有哪些？

  真空磁控濺射鍍膜設(shè)備的技術(shù)特點(diǎn) 真空磁控濺射鍍膜特別適用于反應(yīng)沉積鍍膜，實(shí)際上，這種工藝可以沉積任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外，該工藝也特別適合用于多層膜結(jié)構(gòu)的沉積，包括了光學(xué)設(shè)計(jì)、彩色膜、耐磨涂層、納米層壓板、**晶格鍍膜、絕緣膜等。早在1970年，已經(jīng)有了高質(zhì)量的光學(xué)薄膜沉積案例，開(kāi)發(fā)了多種光學(xué)膜層材料。這些材料包括有透明導(dǎo)電材料、半導(dǎo)體、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等，至于氟

• 影響磁控濺射中靶中毒的因素有哪些？

  一、靶面金屬化合物的形成由金屬靶面通過(guò)反應(yīng)濺射工藝形成化合物的過(guò)程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反應(yīng)氣體粒子與靶面原子相碰撞產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)生成化合物原子，通常是放熱反應(yīng)，反應(yīng)生成熱必須有傳導(dǎo)出去的途徑，否則該化學(xué)反應(yīng)無(wú)法繼續(xù)進(jìn)行。在真空條件下氣體之間不可能進(jìn)行熱傳導(dǎo)，所以化學(xué)反應(yīng)必須在一個(gè)固體表面進(jìn)行。反應(yīng)濺射生成物在靶表面、基片表面、和其他結(jié)構(gòu)表面進(jìn)行。在基片表面生成化合物是我們的目的，在其