萬用表檢測普通二極管的襲極性與好壞。檢測原理:根據(jù)二極管的單向?qū)щ娦赃@一特點(diǎn)性能良好的二極管,其正向電阻小,反向電阻大;這兩個(gè)數(shù)值相差越大越好。若相差不多說明二極管的性能不好或已經(jīng)損壞。測量時(shí),選用萬用表的“歐姆”擋。一般用R x100或R xlk擋,而不用Rx1或R x10k擋。因?yàn)镽xl擋的電流太大,容易燒壞二極管,R xlok擋的內(nèi)電源電壓太大,易擊穿二極管.測量方法:將兩表棒分別接在二極管的兩個(gè)電極上,讀出測量的阻值;然后將表棒對換再測量一次,記下*二次阻值。若兩次阻值相差很大,說明該二極管性能良好;并根據(jù)測量電阻小的那次的表棒接法(稱之為正向連接),判斷出與黑表棒連接的是二極管的正極,與紅表棒連接的是二極管的負(fù)極。
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詞條
詞條說明
? ? ?熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流**過規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流**過規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過電流的保護(hù)器,是應(yīng)用較普遍的保護(hù)器件之一。工作原理利用金屬導(dǎo)體作為熔體串聯(lián)于電路中,
? ? ? 可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。?? ? ? 可控硅模塊又叫晶閘管(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。自從20世紀(jì)
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)
熔斷器(fuse)是指當(dāng)電流**過規(guī)定值時(shí),以本身產(chǎn)生的熱量使熔體熔斷,斷開電路的一種電器。熔斷器是根據(jù)電流**過規(guī)定值一段時(shí)間后,以其自身產(chǎn)生的熱量使熔體熔化,從而使電路斷開;運(yùn)用這種原理制成的一種電流保護(hù)器。熔斷器廣泛應(yīng)用于高低壓配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)以及用電設(shè)備中,作為短路和過電流的保護(hù)器,是應(yīng)用較普遍的保護(hù)器件之一。熔斷器常見種類插入式熔斷器:它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線
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