驪微科技推出高集成pd 20w快充方案

    隨著iPhone12的正式開(kāi)售,不再標(biāo)配耳機(jī)和充電器,沒(méi)有標(biāo)配的充電器,對(duì)于充電器廠商來(lái)說(shuō),這也是一個(gè)商機(jī),iPhone 12發(fā)布之后,各大平臺(tái)充電器的需求暴漲,國(guó)內(nèi)的充電器廠商出現(xiàn)供不應(yīng)求,驪微電子順勢(shì)推出基于PN8162+PN8307H**精簡(jiǎn)小體積PD 20W快充方案!


    PN8162內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源,該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的保護(hù)功能,包括輸出過(guò)壓保護(hù)、逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)、輸入欠壓保護(hù)功能。通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了**低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和Soft Driver技術(shù)充分保證良好的EMI表現(xiàn)。


    PN8307H包括同步整流控制器及高雪崩能力功率MOSFET,用于在高性能AC/DC反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8307H內(nèi)置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能,提升轉(zhuǎn)換效率,使得系統(tǒng)效率可以滿足6級(jí)能效的標(biāo)準(zhǔn),并留有足夠的裕量。PN8307H集成了較為全面的輔助功能,包含輸出欠壓保護(hù)、防誤開(kāi)啟、較小導(dǎo)通時(shí)間等功能。


    PD 20W快充方案亮點(diǎn)

    ★ 原邊主控 PN8162 和次邊同步 PN8307H均實(shí)現(xiàn)功率集成,得益于**智能 MOS 技術(shù),節(jié)省啟動(dòng)電阻、CS偵測(cè)電阻等多顆外圍,PCBA 尺寸:28mm*28mm*24mm;

    ★ PN8162 采用 PDFN **功率封裝,相比傳統(tǒng) SOP8,封裝熱阻從 80℃/W 降低至 15℃/W,顯著提高充電器功率密度;單邊 drain 腳位,高低壓引腳爬電距離大于 1.2mm,安全可靠;

    ★ PN8162 采用負(fù)載自適應(yīng)谷底開(kāi)通技術(shù),徹底解決小體積充電器開(kāi)關(guān)干擾源至 LN 線位移電流帶來(lái)的傳導(dǎo)難題,EMC 裕量大于 6dB;

    ★ PN8162 工作強(qiáng)制 DCM 模式,從而保證較糟工況下 SR 尖峰電壓可控制在 51V 以內(nèi),60V 耐壓的 PN8307即可保證電壓 de-rating 裕量充足,進(jìn)而降低整體方案成本;

    ★ PN8162 內(nèi)置輸入欠壓保護(hù),通過(guò) DMG 監(jiān)控市電,防止市低壓工作導(dǎo)致電源異常;

    ★ PN8162 9-38V VDD 供電、PN8307 3-24V VCC 供電,在 3-12V 輸出電壓范圍內(nèi)*外部 LDO;

    ★ PN8162 內(nèi)置線電壓補(bǔ)償,根據(jù)市電自動(dòng)調(diào)整內(nèi)部峰值電流參考,全電壓范圍 OCP 精度在 10%以內(nèi);

    ★ HUSB339B 協(xié)議支持 PD3.0、PD2.0、QC3.0/QC2.0、AFC、FCP、BC1.2 DCP 及 5V2.4A。


    20W PD快充方案采用了高集成的芯片PN8162+PN8307H,支持12V1.67A;9V2.22A;5V3A 輸出,內(nèi)置了mos電源芯片及快充芯片,方案體積十分小巧,較大限度的減少了芯片外圍器件的數(shù)量,降低PCB板的占用面積,高密度20W PD快充方案,競(jìng)爭(zhēng)力優(yōu)勢(shì)明顯,更多PD 20W快充方案原理圖,電源輸入輸出規(guī)格,BOM 表和變壓器參數(shù)以及安規(guī)和 EMI 測(cè)試數(shù)據(jù)等資料,可向驪微電子申請(qǐng)。>>



    深圳市驪微電子科技有限公司專注于集成電路,充電器IC,電源適配器,驪微,芯朋等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • PN8147電源適配器ic方案

    PN8147**低待機(jī)功耗交直流轉(zhuǎn)換芯片PN8147內(nèi)部集成了脈寬調(diào)制控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源 該芯片提供 較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能 包括周期式過(guò)流保護(hù)(外部 調(diào)) 過(guò)載 關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括周期式過(guò)流保護(hù)(外部可調(diào))、過(guò)載保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、CS短路保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過(guò)Hi-mode、Eco-mode

  • PN8368 內(nèi)置mos充電器IC方案

    PN8368產(chǎn)品描述:PN8368集成**低待機(jī)功耗準(zhǔn)諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8368為原邊反饋工作模式,可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路,可實(shí)現(xiàn)芯片空載損耗(230VAC)小于30mW。在恒壓模式,采用準(zhǔn)諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲,使得系統(tǒng)滿足6級(jí)能效標(biāo)準(zhǔn),可調(diào)輸出線補(bǔ)償功能能使系統(tǒng)獲得較

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    PN8306產(chǎn)品描述:PN8306包括同步整流控制器及N型功率MOSFET,用于在高性能反激系統(tǒng)中替代次級(jí)整流肖特基二極管。PN8306內(nèi)置電壓降較低的功率MOSFET以提高電流輸出能力,提升轉(zhuǎn)換效率并降低芯片溫度。PN8306處于開(kāi)關(guān)工作模式,只適用于DCM和QR工作模式的開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)。當(dāng)芯片檢測(cè)到V SW <-400mV,控制器驅(qū)動(dòng)功率MOSFET開(kāi)啟;當(dāng)芯片檢測(cè)到功率MOSFET流過(guò)的

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    PN8161概述:PN8161內(nèi)部集成了準(zhǔn)諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET,**于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的交直流轉(zhuǎn)換開(kāi)關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護(hù)功能,包括輸出過(guò)壓保護(hù)、周期式過(guò)流保護(hù)、過(guò)載保護(hù)、軟啟動(dòng)功能。通過(guò)QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實(shí)現(xiàn)了**低的待機(jī)功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S

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