全新原裝AO3407 貼片SOT23-3 30V 4.1A P溝道 MOS場效應(yīng)管

時(shí)間：2021-08-23作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：124

AO3407采用**的溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS(ON)。該設(shè)備適用于作為負(fù)載開關(guān)或在PWM應(yīng)用程序中使用。
AO3407
規(guī)格信息：
包裝標(biāo)準(zhǔn)卷帶
系列-
零件狀態(tài)有源
FET 類型P 通道
技術(shù)MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）30V
電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時(shí)）4.1A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（較大 Rds On，較小 Rds On）4.5V，10V
不同Id，Vgs 時(shí)的Rds On（較大值）52 毫歐 @ 4.1A, 10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（較大值）2.4V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵較電荷（Qg）（較大值）11nC @ 10V
Vgs（較大值）±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（較大值）520pF @ 15V
FET 功能-
功率耗散（較大值）1.4W（Ta）
工作溫度-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝SOT-23-3
封裝/外殼TO-236-3，SC-59，SOT-23-3


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• 詞條

  詞條說明

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