可控硅模塊特點(diǎn)
1、整流結(jié)構(gòu)**
采用**出口變壓器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)大大提高了整流效率節(jié)約了能源并使整機(jī)體積、重量大為減小,可靠性大為提高。
2、控制特性良好
采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換,該控制電路它具有自動(dòng)穩(wěn)壓/穩(wěn)流、自動(dòng)電流密度、0-180秒任意調(diào)節(jié)軟啟動(dòng)等良好控制功能,并可通過(guò)接口實(shí)現(xiàn)計(jì)算機(jī)控制,是目前**的可控硅控制系統(tǒng)。工作穩(wěn)定、抗干擾能力強(qiáng)、穩(wěn)流/穩(wěn)壓精度高、使用壽命長(zhǎng)。
3、工作效率較高
可控硅模塊、整流管等元器件留有1.5倍的功率余量,使整流器可以長(zhǎng)時(shí)間滿載負(fù)荷工作。
4、保護(hù)功能完善
具有過(guò)流、錯(cuò)相、缺相、輸出短路、過(guò)載、**溫的完善自動(dòng)保護(hù)。
5、具備妥善的防護(hù)措施
整流器的控制部分采用三重防腐處理。優(yōu)良的防腐蝕設(shè)計(jì)使整機(jī)具有較好的環(huán)境耐受力,工作的可靠性大大提高,設(shè)備的環(huán)境適應(yīng)能力遠(yuǎn)**整流器國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)。
6、操作方便
配備簡(jiǎn)單實(shí)用的遙控操作箱,即方便使用者在工位就近操作又可方便整流器安裝選位。
詞條
詞條說(shuō)明
可控硅模塊分類可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductor module)。較早是在1970年由西門(mén)康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,是采用模塊封裝形式,具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件??煽毓枘K從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類;從具體的用途上區(qū)分,可以分為:普通晶閘管模塊(MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘
1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如,對(duì)于容量較小的照明電路,可選用RT系列圓筒帽型熔斷器;相對(duì)于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方,應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器;在機(jī)床控制電路中,多選用RL系列螺旋式熔斷器;用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí),應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額
IGBT簡(jiǎn)介IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙較型晶體管,是由BJT(雙較型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,開(kāi)關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上
熔斷器又稱為保險(xiǎn)絲,是用于保護(hù)電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間,電流過(guò)高時(shí)便會(huì)觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負(fù)載從電源中斷開(kāi),減低過(guò)流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險(xiǎn)。燒斷了的保險(xiǎn)絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過(guò)保險(xiǎn)絲價(jià)格便宜,而且容易替換。新的保險(xiǎn)絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險(xiǎn)絲提供的安全機(jī)制使得它們成為各種應(yīng)用的的**助
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