供應(yīng)STM32L100R8T6 LQFP-64 貼片TR 32位微控制器MCU

時(shí)間：2021-08-26作者：深圳市南北行電子發(fā)展有限公司瀏覽：120

**低功耗STM32L100C6和STM32L100R8/RB設(shè)備結(jié)合了通用串行總線（USB）的連接電源，高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC內(nèi)核以32 MHz（33.3 DMIPS）的頻率運(yùn)行，是一個(gè)內(nèi)存保護(hù)單元（MPU），高速嵌入式內(nèi)存（高達(dá)128 KB的閃存和高達(dá)10 KB的RAM）以及連接到兩條APB總線的各種增強(qiáng)型I/O和外圍設(shè)備。所有設(shè)備均提供一個(gè)12位ADC、2個(gè)DAC和2個(gè)**低功耗比較器、6個(gè)通用16位定時(shí)器和兩個(gè)基本定時(shí)器，可作為時(shí)基使用。
此外，STM32L100C6和STM32L100R8/RB設(shè)備包含標(biāo)準(zhǔn)和**通信接口：較多兩個(gè)I2C和SPI、三個(gè)USART和一個(gè)USB。它們還包括一個(gè)具有亞秒計(jì)數(shù)的實(shí)時(shí)時(shí)鐘和一組在待機(jī)模式下保持通電的備份寄存器。
最后，集成LCD控制器具有內(nèi)置LCD電壓發(fā)生器，可驅(qū)動(dòng)多達(dá)8個(gè)多路復(fù)用LCD，對(duì)比度與電源電壓無(wú)關(guān)。
**低功率STM32L100C6和STM32L100R8/RB設(shè)備在1.8至3.6 V電源下工作?？稍?40至+85°C溫度范圍內(nèi)使用。一整套節(jié)能模式允許設(shè)計(jì)低功耗應(yīng)用。
**低功耗平臺(tái)
1.8 V至3.6 V電源
-40°C至85°C溫度范圍
0.3μA待機(jī)模式（2個(gè)喚醒引腳）
0.9μA待機(jī)模式+RTC
0.57μA停止模式（16條喚醒線）
1.2μA停止模式+RTC
9μA低功率運(yùn)行模式
214μA/MHz運(yùn)行模式
10毫安**低I/O泄漏
<8μs喚醒時(shí)間
**：32位ARM?Cortex?-M3 CPU
較大頻率從32 kHz到32 MHz
1.25 DMIPS/MHz（Dhrystone 2.1）
存儲(chǔ)器保護(hù)單元
重置和供應(yīng)管理
**安全、低功耗BOR（斷電復(fù)位），具有5個(gè)可選閾值
**低功耗POR/PDR
可編程電壓檢測(cè)器（PVD）
時(shí)鐘源
1至24 MHz晶體振蕩器
帶校準(zhǔn)的RTC 32 kHz振蕩器
高速內(nèi)部16MHz
內(nèi)部低功率37 kHz RC
內(nèi)部多速低功率65 kHz至4.2 MHz
用于CPU時(shí)鐘和USB的PLL（48 MHz）
預(yù)編程引導(dǎo)加載程序
USART支持
發(fā)展支助
支持串行線調(diào)試
JTAG支持
高達(dá)51個(gè)快速I/O（42個(gè)I/O 5V容差），所有可映射到16個(gè)外部中斷向量
回憶
帶ECC的高達(dá)128 KB的閃存
高達(dá)10 KB的RAM
帶ECC的高達(dá)2 KB的真正EEPROM
20字節(jié)備份寄存器
較多可用于8x28段的LCD驅(qū)動(dòng)器
模擬外圍設(shè)備
12位ADC 1 Msps，較多20個(gè)通道
帶輸出緩沖器的12位DAC 2通道
兩個(gè)**低功耗比較器
七個(gè)DMA控制器通道
八個(gè)通信接口外圍設(shè)備
一個(gè)USB 2.0
三種用途（ISO 7816，IrDA）
兩個(gè)SPI（16 Mbit/s）
兩個(gè)I2C（SMBus/PMBus）
十個(gè)計(jì)時(shí)器：
六個(gè)16位定時(shí)器，較多具有4個(gè)IC/OC/PWM通道
兩個(gè)16位基本定時(shí)器
兩個(gè)看門狗定時(shí)器（獨(dú)立和窗口）
CRC計(jì)算單元
所有包裝ECOPACK?2


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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 原裝**TUSB522PRGER TUSB522PIRGER QFN24轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器緩沖器芯片

  說(shuō)明 TUSB522P 是一款支持 5Gbps 數(shù)據(jù)傳輸速率的*四代 雙單工通道 USB 3.1 GEN 1 轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器和信號(hào)調(diào)節(jié) 器。該器件采用**低功耗架構(gòu)，在由 3.3V 電源供電運(yùn) 行時(shí)功耗非常低。轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器還支持 USB 3.1 低功耗 模式，可進(jìn)一步降低空閑狀態(tài)下的功耗。 雙通道能力使得該系統(tǒng)能夠在發(fā)送和接收數(shù)據(jù)路徑上保 持信號(hào)的完整性。接收器均衡有三種增益設(shè)置，用以克 服插入損耗和碼間

• 4924 4916 4906 4900 4922 4914 4946場(chǎng)效應(yīng)mos管芯片AO4948 AO4932

  AO4932 規(guī)格信息： 標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000 類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 家庭：FET - 陣列 系列：SRFET?? 包裝：帶卷（TR） FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙） FET 功能：邏輯電平門 漏源較電壓（Vdss）：30V 電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時(shí)）：11A，8A 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（較大值）：12.5 毫歐 @ 11A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs

• AE2359 AE2359R SOT23-6 全新原裝** 電源芯片

  AE2359是一種具有內(nèi)置功率MOSFET的電流模式降壓轉(zhuǎn)換器，以實(shí)現(xiàn)較小的解決方案大小的功率轉(zhuǎn)換。使用低系列電阻功率開關(guān)，它可以在廣泛的輸入電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高達(dá)1.2A的恒定輸出電流。負(fù)載和線路調(diào)節(jié)在工作輸入電壓和溫度范圍內(nèi)具有良好的響應(yīng)時(shí)間。AE2359通過(guò)逐個(gè)循環(huán)的電流限制算法和芯片上的熱保護(hù)進(jìn)行自保護(hù)。AE2359將提供低廣泛可用標(biāo)準(zhǔn)外部組件的電壓轉(zhuǎn)換。 特征 ? VIN 4.75V至24V

• 供應(yīng)全新原裝 插件三極管 ICL8069 ICL8069DCZR PMIC-電壓基準(zhǔn) 封裝TO-92

  低壓參考 ICL8069是一個(gè)1.2V的溫度補(bǔ)償電壓參考。它利用帶隙原理在到50μA的反向電流下實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的穩(wěn)定性和低噪聲。應(yīng)用程序包括模數(shù)轉(zhuǎn)換器、數(shù)模轉(zhuǎn)換器、閾值檢測(cè)器和電壓調(diào)壓器。它的低功耗使它特別適合用于電池操作的設(shè)備。200N/A較大正向/反向電流較大接線溫度（SOIC包）限制150℃較大存儲(chǔ)溫度范圍-65℃至150℃較高導(dǎo)線溫度（焊接10秒）300℃（僅SOIC-導(dǎo)線頭） 特征 ?低偏置電