igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

時(shí)間：2022-06-23作者：江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司瀏覽：239

igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)

由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IG的柵較通過一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄，其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此，IG失效的常見原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此，在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn)：
使用模塊時(shí)，盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí)，在觸摸之前，用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電；
使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí)，請勿在接線前連接模塊；

igbt模塊價(jià)格
盡量在底板接地良好的情況下進(jìn)行操作。

igbt模塊價(jià)格
在應(yīng)用中，雖然有時(shí)確保柵較驅(qū)動(dòng)電壓不**過柵較的較大額定電壓，但柵較連接的寄生電感和柵較與集電極之間的電容耦合也會(huì)產(chǎn)生損壞氧化層的振蕩電壓。因此，雙絞線通常用于傳輸驅(qū)動(dòng)信號(hào)以減少寄生電感。在柵較連接中串聯(lián)小電阻也可以抑制振蕩電壓。
此外，當(dāng)柵較-**器之間的路徑打開時(shí)，如果在集電器和**器之間增加電壓，由于集電器的泄漏電流，集電器的電流隨集電器電位的變化而變化。此時(shí)，如果集電器和**器之間存在高壓，則可能會(huì)加熱和損壞IG。
在使用IG的情況下，當(dāng)柵較回路不正常或柵較回路損壞時(shí)(柵較處于開路狀態(tài))，

igbt模塊價(jià)格

如果在主回路上增加電壓，IG就會(huì)損壞。為了防止此類故障，應(yīng)在柵較和**較之間串聯(lián)連接約10KΩ的電阻。
在安裝或更換Ig模塊時(shí)，應(yīng)注意Ig模塊與散熱器之間的接觸面狀態(tài)和擰緊程度。為了降低接觸熱阻，較好在散熱器和Ig模塊之間涂抹導(dǎo)熱硅脂。一般情況下，散熱器風(fēng)扇安裝在散熱器底部。當(dāng)散熱器風(fēng)扇損壞且散熱器散熱不良時(shí)，會(huì)導(dǎo)致Ig模塊發(fā)熱和故障。因此，應(yīng)定期檢查散熱器風(fēng)扇。一般情況下，溫度傳感器安裝在散熱器模塊附近。當(dāng)溫度過高時(shí)，Ig模塊將發(fā)出警報(bào)或停止工作。
上述就是公司為您介紹的有關(guān)igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)的內(nèi)容，對(duì)此還有什么不了解的，歡迎前來咨詢我們的網(wǎng)站，我們會(huì)有專 業(yè)的人員為您講解。



江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司專注于igbt模塊價(jià)格,可控硅模塊批發(fā),江蘇芯鉆時(shí)代電子科技有限公司等

• 詞條

  詞條說明

• IGBT功率模塊

  ? ? ?igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。? ? ? igbt是**的*三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即

• 整流橋的作用

  ? ? ? ?整流橋通常帶有足夠大的電感性負(fù)載，因此整流橋不會(huì)出現(xiàn)電流斷續(xù)。整流橋負(fù)載端常接有平波電抗器，可將整流橋負(fù)載視為恒流源。整流橋的作用：1.可將交流發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟?，以?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電2.限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動(dòng)機(jī)，保護(hù)交流發(fā)動(dòng)機(jī)不被燒壞。

• 整流橋原理

  ? ? ? 整流橋堆：整流橋堆一般用在全波整流電路中，它又分為全橋與半橋。? ? ? 全橋是由4只整流二極管按橋式全波整流電路的形式連接并封裝為一體構(gòu)成的，圖是其外形。? ? ? 全橋的正向電流有0.5A、1A、1.5A、2A、2.5A、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多種規(guī)格，耐壓值(*高反向電

• 可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異?，F(xiàn)象

  可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異常現(xiàn)象在實(shí)際應(yīng)用中，可控硅模塊中不一定總是有直流偏置電壓。非極性鉭電容器也可以制造，但價(jià)格昂貴，儲(chǔ)存后可能無法使用。如果兩個(gè)相同的可控硅模塊背靠背連接，則可以獲得非極性電容?？傠娙轂槊總€(gè)串聯(lián)電容的一半，即C/2。在連接電源的瞬間，萬用表的表針應(yīng)具有較大的擺動(dòng)幅度。可控硅模塊的容量越大，表針的擺動(dòng)幅度越大。擺動(dòng)后，表針可逐漸返回到零位。如果可控硅模塊的指針在電