編輯:TT ※EMI電路作用原理簡(jiǎn)介 一、X電容的作用 抑制差模雜訊,電容量越大,抑制低頻雜訊效果越好。 二、Y電容的作用 抑制共模雜訊,電容量越大,抑制低頻雜訊效果越好。Y電容使次級(jí)到初級(jí)地線(xiàn)提供一個(gè)低阻抗回路,使流向地再通過(guò)LISN回來(lái)的電流直接短路掉,由于Y電容非完全理想,次級(jí)各部分間也存在阻抗,所以不可能全部回來(lái)。還是有一部分流到地。Y電容必須直接用盡量短的直線(xiàn)連接到初級(jí)和次級(jí)的冷地, 如果開(kāi)通時(shí)MOS的dv/dt大于關(guān)斷時(shí)的dv/dt, 則Y電容連接到初級(jí)的地; 反之連接到V+。 三、共模電感的作用 抑制共模雜訊,電感量越大,抑制低頻雜訊效果越好。增加共模電流部分的阻抗,減小共模電流。 四、差模電感的作用 抑制差模雜訊,電感量越大,抑制低頻雜訊效果越好。 ※開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)前的一般應(yīng)對(duì)策略 一、采用交流輸入EMI濾波器 通常干擾電流在導(dǎo)線(xiàn)上傳輸時(shí)有兩種方式:共模方式和差模方式。共模干擾是載流體與大地之間的干擾:干擾大小和方向一致,存在于電源任何一相對(duì)大地、或中線(xiàn) 對(duì)大地間,主要是由du/dt產(chǎn)生的,di/dt也產(chǎn)生一定的共模干擾。而差模干擾是載流體之間的干擾:干擾大小相等、方向相反,存在于電源相線(xiàn)與中線(xiàn)及 相線(xiàn)與相線(xiàn)之間。干擾電流在導(dǎo)線(xiàn)上傳輸時(shí)既可以共模方式出現(xiàn),也可以差模方式出現(xiàn);但共模干擾電流只有變成差模干擾電流后,才能對(duì)有用信號(hào)構(gòu)成干擾。 交流電源輸人線(xiàn)上存在以上兩種干擾,通常為低頻段差模干擾和高頻段共模干擾。在一般情況下差模干擾幅度小、頻率低、造成的干擾小;共模干擾幅度大、頻率高, 還可以通過(guò)導(dǎo)線(xiàn)產(chǎn)生輻射,造成的干擾較大。若在交流電源輸人端采用適當(dāng)?shù)腅MI濾波器,則可有效地抑制電磁干擾。電源線(xiàn)EMI濾波器基本原理如圖1所示, 其中差模電容C1、C2用來(lái)短路差模干擾電流,而中間連線(xiàn)接地電容C3、C4則用來(lái)短路共模干擾電流。共模扼流圈是由兩股等粗并且按同方向繞制在一個(gè)磁芯 上的線(xiàn)圈組成。如果兩個(gè)線(xiàn)圈之間的磁藕合非常緊密,那么漏感就會(huì)很小,在電源線(xiàn)頻率范圍內(nèi)差模電抗將會(huì)變得很小;當(dāng)負(fù)載電流流過(guò)共模扼流圈時(shí),串聯(lián)在相線(xiàn)上的線(xiàn)圈所產(chǎn)生的磁力線(xiàn)和串聯(lián)在中線(xiàn)上線(xiàn)圈所產(chǎn)生的磁力線(xiàn)方向相反,它們?cè)诖判局邢嗷サ窒?因此即使在大負(fù)載電流的情況下,磁芯也不會(huì)飽和。而對(duì)于共模干擾電流,兩個(gè)線(xiàn)圈產(chǎn)生的磁場(chǎng)是同方向的,會(huì)呈現(xiàn)較大電感,從而起到衰減共模干擾信號(hào)的作用。 這里共模扼流圈要采用導(dǎo)磁率高、頻率特性較佳的鐵氧體磁性材料。 圖1 電源線(xiàn)濾波器基本電路圖 二、利用吸收回路改善開(kāi)關(guān)波形 開(kāi)關(guān)管或 二極管在開(kāi)通和關(guān)斷過(guò)程中,由于存在變壓器漏感和線(xiàn)路電感,二極管存儲(chǔ)電容和分布電容,容易在開(kāi)關(guān)管集電極、**較兩端和二極管上產(chǎn)生尖峰電壓。通常情況下采用RC/RCD吸收回路,RCD浪涌電壓吸收回路如圖2所示。 圖2 RCD浪涌電壓吸收回路 當(dāng)吸收回路上的電壓**過(guò)一定幅度時(shí),各器件迅速導(dǎo)通,從而將浪涌能量泄放掉,同時(shí)將浪涌電壓限制在一定的幅度。在開(kāi)關(guān)管集電極和輸出二極管的正極引線(xiàn)上串接 可飽和磁芯線(xiàn)圈或微晶磁珠,材質(zhì)一般為鈷(Co),當(dāng)通過(guò)正常電流時(shí)磁芯飽和,電感量很小。一旦電流要反向流過(guò)時(shí),它將產(chǎn)生很大的反電勢(shì),這樣就能有效地 抑制二極管VD的反向浪涌電流。 三、利用開(kāi)關(guān)頻率調(diào)制技術(shù) 頻率控制技術(shù)是基于開(kāi)關(guān)干擾的能量主要集中在特定的頻率上,并具有較大的頻譜峰值。如果能將這些能量分散在較寬的頻帶上,則可以達(dá)到降**擾頻譜峰值的目的。通常有兩種處理方法:隨機(jī)頻率法和調(diào)制頻率法。 隨機(jī)頻率法是在電路開(kāi)關(guān)間隔中加人一個(gè)隨機(jī)擾動(dòng)分量,使開(kāi)關(guān)干擾能量分散在一定范圍的頻帶中。研究表明,開(kāi)關(guān)干擾頻譜由原來(lái)離散的尖峰脈沖干擾變成連續(xù)分布干擾,其峰值大大下降。調(diào)制頻率法是在鋸齒波中加人調(diào)制波(白噪聲),在產(chǎn)生干擾的離散頻段周?chē)纬蛇咁l帶,將干擾的離散頻帶調(diào)制展開(kāi)成一個(gè)分布頻帶。這樣,干擾能量就分散到這些分布頻段上。在不影響變換器工作特性的情況下,這種控制方法可以很好地抑制開(kāi)通、關(guān)斷時(shí)的干擾。 四、采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù) 開(kāi)關(guān)電源的干擾之一是來(lái)自功率開(kāi)關(guān)管通/斷時(shí)的du/dt,因此,減小功率開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt是抑制開(kāi)關(guān)電源干擾的一項(xiàng)重要措施。而軟開(kāi)關(guān)技術(shù)可以減小開(kāi)關(guān)管通/斷的du/dt。 如果在開(kāi)關(guān)電路的基礎(chǔ)上增加一個(gè)很小的電感、電容等諧振元件就構(gòu)成輔助網(wǎng)絡(luò)。在開(kāi)關(guān)過(guò)程前后引人諧振過(guò)程,使開(kāi)關(guān)開(kāi)通前電壓先降為零,這樣就可以消除開(kāi)通過(guò)程中電壓、電流重疊的現(xiàn)象,降低、甚至消除開(kāi)關(guān)損耗和干擾,這種電路稱(chēng)為軟開(kāi)關(guān)電路。根據(jù)上述原理可以采用兩種方法,即在開(kāi)關(guān)關(guān)斷前使其電流為零,則開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)就不會(huì)產(chǎn)生損耗和干擾,這種關(guān)斷方式稱(chēng)為零電流關(guān)斷;或在開(kāi)關(guān)開(kāi)通前使其電壓為 零,則開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)也不會(huì)產(chǎn)生損耗和干擾,這種開(kāi)通方式稱(chēng)為零電壓開(kāi)通。在很多情況下,不再指出開(kāi)通或關(guān)斷,僅稱(chēng)零電流開(kāi)關(guān)和零電壓開(kāi)關(guān),基本電路如圖3和 圖4所示。 圖3 零電壓開(kāi)關(guān)諧振電路 圖4 零電流開(kāi)關(guān)諧振電路 通常采用軟開(kāi)關(guān)電路控制技術(shù),結(jié)合合理的元器件布局及印制電路板布線(xiàn)、接地技術(shù),對(duì)開(kāi)關(guān)電源的EMI干擾具有一定的改善作用。 五、采用電磁屏蔽措施 一般采用電磁屏蔽措施都能有效地抑制開(kāi)關(guān)電源的電磁輻射干擾。開(kāi)關(guān)電源的屏蔽措施主要是針對(duì)開(kāi)關(guān)管和高頻變壓器而言。開(kāi)關(guān)管工作時(shí)產(chǎn)生大量的熱量,需要給 它裝散熱片,從而使開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間產(chǎn)生較大的分布電容。因此,在開(kāi)關(guān)管的集電極與散熱片間放置絕緣屏蔽金屬層,并且散熱片接機(jī)殼地,金屬層接到 熱端零電位,減小集電極與散熱片間藕合電容,從而減小散熱片產(chǎn)生的輻射干擾。針對(duì)高頻變壓器,首先應(yīng)根據(jù)導(dǎo)磁體屏蔽性質(zhì)來(lái)選擇導(dǎo)磁體結(jié)構(gòu),如用罐型鐵芯和 El型鐵芯,則導(dǎo)磁體的屏蔽效果很好。變壓器外加屏蔽時(shí),屏蔽盒不應(yīng)緊貼在變壓器外面,應(yīng)留有一定的氣隙。如采用有氣隙的多層屏蔽物時(shí),所得的屏蔽效果會(huì) 較好。另外,在高頻變壓器中,常常需要消除初、次級(jí)線(xiàn)圈間的分布電容,可沿著線(xiàn)圈的全長(zhǎng),在線(xiàn)圈間墊上銅箔制成的開(kāi)路帶環(huán),以減小它們之間的禍合,這個(gè)開(kāi) 路帶環(huán)既與變壓器的鐵芯連接,又與電源的地連接,起到靜電屏蔽作用。如果條件允許,對(duì)整個(gè)開(kāi)關(guān)電源加裝屏蔽罩,那樣就會(huì)較好地抑制輻射干擾。
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詞條說(shuō)明
單相整流橋電路圖 整流橋KBPC3506,閩臺(tái)ASEMI原裝進(jìn)口品牌,電性參數(shù)一致,工作性能穩(wěn)定,本文主要給大家介紹KBPC3506它的相關(guān)電性參數(shù)以及應(yīng)用領(lǐng)域。 KBPC3506電性參數(shù)介紹 單相方橋KBPC封裝系列,一般都是應(yīng)用在大電流電子產(chǎn)品設(shè)備上。它的電性參數(shù)是:正向電流(Io)為35A,反向耐壓為600V,正向電壓(VF)為1.05V,采用GPP波峰大芯片,里面有4顆芯片組成,芯片尺寸都
常見(jiàn)的整流橋電路 常見(jiàn)的整流電路:?jiǎn)蜗喟氩ㄕ麟娐罚瑔蜗嗳ㄕ麟娐?,單相全波橋式整流電路,單?倍壓整流電路,三相全波整流電路,三相半波整流電路,今天我們就單來(lái)講講單向整流橋 的電路。 單相整流橋的電路 單相整流橋是一款可將單相交流電流,轉(zhuǎn)換成直流電流的元器件產(chǎn)品。一般單向整流電路 常見(jiàn)的有單向半波,全波、橋式整流電路。與全波整流電路相比,單相全波橋式整流電路 中的電源變壓器只用一個(gè)副邊繞組,
ASEMI集成高壓整流橋技術(shù)的發(fā)展歷程,點(diǎn)我加速!
編輯 ;TT 集成整流橋高壓整流技術(shù)的發(fā)展歷程,延續(xù)至今,是經(jīng)歷了怎樣的風(fēng)花雪月呢? 高壓整流橋技術(shù)的發(fā)展歷程,高壓整流橋的發(fā)展經(jīng)歷了三代,ASEMI為您加速! 集成整流橋的發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段,下面我們來(lái)分別為大家講一下: **階段,整流橋的技術(shù)革新時(shí)代,2000年之后,整流橋的高壓需求變得越來(lái)越緊迫,同時(shí) 隨著工業(yè)技術(shù)的不斷發(fā)展,高壓技術(shù)的研究也**了突破性的進(jìn)展,采用了新的工藝制造水 平,不僅
編輯:TT 整流橋-貼片式按照封裝不同分類(lèi) 貼片款式有各種不同的封裝外觀(guān)體積。那么按照封裝的不同分類(lèi), 就可以大致劃分為小型式貼片“DBS系列”,這款封裝是可以作為早期貼片 的*了,在當(dāng)時(shí)的工藝下是將性能與體積結(jié)合較好的。然后是“ABS與LBS系列”, 經(jīng)過(guò)工藝技術(shù)的改進(jìn)而推出的款式。再者就是迷你式貼片“MBS封裝”,這款封裝 在前者基礎(chǔ)上將體積做到了極限,現(xiàn)在LED燈飾基本都采用了這款封裝。
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