*石電容和瓷片電容都屬于陶瓷電容,整體構造上看*石電容和瓷片電容的區(qū)別是:*石電容是多層陶瓷電容的別稱,*石電容是由多層介質和多對電極構成的,而瓷片電容一般是由一層介質和一對電極構成的,瓷片電容分為高頻瓷介和低頻瓷介兩種。
外觀上看*石電容和瓷片電容的區(qū)別是:*石電容其實是陶瓷貼片電容焊引線后燒結而成,一般是方形,而瓷片電容是片狀,大多是圓片形狀;容量和耐壓上看*石電容和瓷片電容的區(qū)別是:同體積下,*石電容的電容量遠遠大于瓷片電容的電容量,而瓷片電容的耐壓***石電容的耐壓。
瓷片電容(Ceramic Disc Capacitor)
瓷片電容一般是由一層介質和一對電極構成的。其主要優(yōu)點就是可以耐高壓,通常用作安規(guī)電容,可以耐250V交流電壓。其外觀和結構如下圖所示:
瓷片電容在陶瓷表面涂覆一層金屬薄膜,再經(jīng)高溫燒結后作為電極而成的電容器。通常用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路、旁路電容器及墊整電容器。瓷片電容分高頻瓷介和低頻瓷介兩種。具有小的正電容溫度系數(shù)的電容器,用于高穩(wěn)定振蕩回路中,作為回路電容器及墊整電容器。低頻瓷介電容器限于在工作頻率較低的回路中作旁路或隔直流用,或對穩(wěn)定性和損耗要求不高的場合〈包括高頻在內〉。這種電容器不宜使用在脈沖電路中,因為它們易于被脈沖電壓擊穿。
*石(Monolithic)電容
由于多層陶瓷需要燒結瓷化,形成一體化結構,所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容。多層陶瓷電容,也就是MLCC,片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量較大的電容類型,其標準化封裝,尺寸小,適用于自動化高密度貼片生產(chǎn)。
*石電容是多層陶瓷電容器的別稱,英文名稱monolithic ceramic capacitor或multi-layer ceramic capacitor, 簡稱MLCC,根據(jù)所使用的材料,可分為三類。
一類為溫度補償類NPO電介質這種電容器電氣性能較穩(wěn)定,基本上不隨溫度、電壓、時間的改變,屬**穩(wěn)定型、低損耗電容材料類型,適用在對穩(wěn)定性、可靠性要求較高的高頻、特高頻、甚高頻電路中。
二類為高介電常數(shù)類X7R電介質由于X7R是一種強電介質,因而能制造出容量比NPO介質較大的電容器。這種電容器性能較穩(wěn)定,隨溫度、電壓時間的改變,其特有的性能變化并不顯著,屬穩(wěn)定電容材料類型,使用在隔直、耦合、傍路、濾波電路及可靠性要求較高的中高頻電路中。
三類為半導體類Y5V電介質這種電容器具有較高的介電常數(shù),常用于生產(chǎn)比容較大、標稱容量較高的大容量電容器產(chǎn)品。但其容量穩(wěn)定性較X7R差,容量、損耗對溫度、電壓等測試條件較敏感,主要用在電子整機中的振蕩、耦合、濾波及旁路電路中。
特點:溫度特性好,頻率特性好。一般電容隨著頻率的上升,電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律,*石電容下降比較少,容量比較穩(wěn)定。
詞條
詞條說明
當儀器儀表中的長方框架形線繞精密電阻損壞時,可用與原電阻合金絲的材料、直徑、長度均相同的新合金電阻絲均勻繞在原框架上代替。如果原長方框架形線繞精密電阻只是表面絕緣層破損,只需將原電阻絲從框架上拆下,重新浸漆,再經(jīng)晾干處理后重新繞到原長方框架上即可。高精密電阻,簡稱高精電阻。高精密電阻器是要求電阻的阻值誤差、電阻的熱穩(wěn)定性(溫度系數(shù))、電阻器的分布參數(shù)(分布電容和分布電感)等項指標均達到一定標準的電
貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規(guī)格,不同的規(guī)格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。 不同的公司對于上述不同性能的電容器可能有不同的命名方法。 NPO、X7R、Z5U和Y5V的主要區(qū)別是它們的填充介質不同。在相同的體積下由于填充介質不同所組成的電容器的容量就不同,隨之帶來的電容
合金電阻竟然有這許多作用合金電阻在電路設備上已經(jīng)隨處可見,我們較常見的有貼片合金電阻和插件合金電阻為較多。其中貼片類合金電阻有精密度區(qū)分,一些儀表儀器都需要高精密合金電阻,這種類型的高精密合金電阻比普通的合金電阻有很高的精度和低溫漂特性,不過任何一種合金電阻都具有以下幾種特點: 一、合金電阻對電流的分流作用我們知道電阻都具有分流的作用,合金電阻的作用也是進行分流。例如我們把合金電阻和一個LED電燈
理論基礎薄膜的形成實質上是氣-固轉化、晶體生成的過程,它大致可以分為下面幾個主要步驟:原子或分子撞擊到固體的表面;它們被固體表面的原子所吸附或直接反射回空間;被吸附的粒子在固體表面發(fā)生遷移或擴散而移動到表面上合適的格點位置并進入晶格。這些過程以及它們之間的相互關系決定了薄膜的形成過程和薄膜的性質。 [1]?組織結構一般來講,電阻薄膜中較多含有三類相位成分:絕緣相、半導體相和導電相。在現(xiàn)代
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