薄膜開(kāi)關(guān)廠(chǎng)家淺析**導(dǎo)薄膜主要應(yīng)用范圍

時(shí)間：2017-01-18作者：東莞市雨菲電子科技有限公司瀏覽：247

　　**導(dǎo)薄膜主要用于弱電領(lǐng)域，特別是在電子元器件和集成電路方面，可以用以制作無(wú)源器件如微帶傳輸線(xiàn)、微帶天線(xiàn)、微帶諧振器、濾波器、延遲線(xiàn)、環(huán)行器、定向禍合器以及紅外探測(cè)器和開(kāi)關(guān)器件等。

　　**導(dǎo)薄膜主要應(yīng)用范圍

　　有源器件如以**導(dǎo)結(jié)為基礎(chǔ)的約瑟夫森器件。由于人工弱連接技術(shù)和多層外延技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)在己經(jīng)制造出多種原型**導(dǎo)隧道結(jié)如點(diǎn)接觸隧道結(jié)、縮頸隧道結(jié)、雙晶隧道結(jié)、雙外延晶界結(jié)、邊緣隧道結(jié)、臺(tái)階邊緣結(jié)、金屬橋型結(jié)、劈裂隧道結(jié)、夾層結(jié)、體型結(jié)等。高TC**導(dǎo)薄膜還可用于測(cè)量人體弱磁場(chǎng)。

　　而微波器件的應(yīng)用中需要使用雙面**導(dǎo)薄膜(在濾波器中，雙面薄膜制作的器件比以金屬作接地面的器件插人損耗低30%以上)。此外，頻率不是很高、或者為了提高性能采用多較結(jié)構(gòu)、或者進(jìn)行多個(gè)器件的集成化制作都會(huì)要求薄膜具有較大面積，一般在2in-3in。

　　因此，已經(jīng)采用多種技術(shù)如多元共蒸發(fā)法、倒筒靶濺射法、PLD法等制備了大面積雙面**導(dǎo)薄膜以制備高性能器件。**導(dǎo)薄膜在**導(dǎo)**干涉器件(SuperconductivityQuantumInteferenceDevice,SQUID)、微波器件、**導(dǎo)計(jì)算機(jī)等幾個(gè)方面發(fā)展尤為*。

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