okamoto 晶圓減薄機GNX200BP（50μm晶圓）

時間：2021-09-08作者：上海衡鵬實業(yè)有限公司瀏覽：44

okamoto 晶圓減薄機GNX200BP（50μm晶圓）
okamoto 晶圓減薄機GNX200BP采用兩點式實時測厚儀測量主軸1和主軸2下的硅片厚度，采用3點測控主軸角度調(diào)整機構來控制加工的平整度(TTV)。減薄工序完成后，硅片即會被自動傳送的拋光腔，經(jīng)過拋光工序，去除硅片表面損傷，提高晶圓強度，較薄可以加工50μm的晶圓。



GNX200BP_okamoto 晶圓減薄機規(guī)格：
支持MAX wafer尺寸	8英寸
主軸形式	                空氣主軸，MAX 3600rpm
朱軸驅(qū)動電機功率	2.2kW/4kW
磨輪直徑	                250mm
工作臺數(shù)量	3個工作臺
工作臺形式	機械軸(標配)承或空氣軸承(選配)
工作臺轉(zhuǎn)速	1-600rpm
測厚機構	                2點接觸式測厚機構
測厚精度	                1um
測厚范圍	                0-1.2mm
料盒數(shù)量	                每個工作單元(減薄&拋光)各2個料盒
拋光機構功率	3kW 交流伺服電機(0-460rpm)
拋光波速	                100-8000mm/min
拋光壓力	                50-999g/cm2
拋光磨輪尺寸	200mm
拋光臺轉(zhuǎn)速	50-200rpm
真空盤材質(zhì)	氧化鋁邊框+陶瓷氣孔盤
自潔方式	                水沖+刷洗


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