OPTO DIODE位置傳感器-ODD-SXUV-DLPSD

    天津瑞利光電科技有限公司優(yōu)勢(shì)經(jīng)銷(xiāo)美國(guó)OPTO DIODE位置傳感器ODD-SXUV-DLPSD

    產(chǎn)品型號(hào):ODD-SXUV-DLPSD

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    關(guān)鍵字描述:

    產(chǎn)品介紹:

    ODD-SXUV-DLPSD,雙側(cè)UV / EUV亞微米位置分辨率傳感器。新設(shè)備在暴露于紫外線(xiàn)和/或較紫外輻射后可提供高度穩(wěn)定的響應(yīng)。它采用TO-8無(wú)窗口封裝,可大程度減少暴露于強(qiáng)烈的UV/EUV光子后二極管的響應(yīng)度變化。ODD-SXUV-DLPSD的有效面積為5 mm x 5 mm,非常適合光刻應(yīng)用以及需要使用200 nm以下波長(zhǎng)的任何定位應(yīng)用。

    連續(xù)位置檢測(cè)光電二極管設(shè)計(jì)用于位置檢測(cè)1 nm至400 nm波長(zhǎng)的光。在13 nm處的響應(yīng)度通常為0.20 A/W;254 nm的響應(yīng)度通常為0.02 A/W。在工作條件下,暗電流為10(典型值)和50(max.)nA。新的ODD-SXUV-DLPSD具有反向擊穿電壓,min.50伏,電容為40(典型值)至60(max.)pF。操作和存儲(chǔ)溫度范圍從-10℃到40℃(環(huán)境溫度)和-20℃到80℃(在氮?dú)饣蛘婵諚l件下)。結(jié)溫為max.70℃,引線(xiàn)焊接溫度為0.080英寸,距外殼10秒鐘為260℃。

    參數(shù):

    活動(dòng)區(qū)域:25 mm2

    響應(yīng)度R@13nm:0.20 A/W

    響應(yīng)度R@254nm:0.02 A/W

    反向擊穿電壓,VR:min.50 V

    電容,C:40pF(典型),60 pF(max)

    上升時(shí)間VR = 30V,RL =50Ω:200 nm

    分流電阻Vr =±10mV :5 MOhms

    電極間電阻:5,000(min),10,000(典型),15,000(max)歐姆

    ID的溫度系數(shù):1.15次/oC

    位置非線(xiàn)性:±1 %(典型),±2%(max)

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