Laser Quantum太赫茲**器~Tera-SED

時(shí)間：2022-08-31作者：天津瑞利光電科技有限公司瀏覽：64

天津瑞利光電科技有限公司優(yōu)勢(shì)經(jīng)銷英國Laser Quantum太赫茲**器Tera-SED

產(chǎn)品型號(hào)：Tera-SED3，Tera-SED10

產(chǎn)品介紹

 

有效的太赫茲 (THz) 輻射源對(duì)于各種科學(xué)和技術(shù)應(yīng)用非常重要。重要的關(guān)鍵因素是大帶寬和高太赫茲電場(chǎng)幅度。這通常意味著較大的**較面積，并且在傳統(tǒng)概念中需要高偏置電壓（數(shù)百伏）以實(shí)現(xiàn)必要的偏置場(chǎng)強(qiáng)，通常在 kV/cm 范圍內(nèi)。Tera-SED 的主要優(yōu)勢(shì)是大有效面積和低偏置電壓要求的組合。

Tera-SED 是一種平面大面積基于 GaAs 的光電導(dǎo)**器，用于脈沖生成寬帶太赫茲輻射。 它具有新穎的叉指式電極 MSM 結(jié)構(gòu)，允許在單個(gè)電極之間具有 kV/cmbias 場(chǎng)的大活性區(qū)域。只需要低外部偏置電壓，*脈沖高壓電源。其靈活的可擴(kuò)展設(shè)備技術(shù)使 Tera-SED 成為有效率且多功能的太赫茲**器。

Tera-SED 不需要外部冷卻。它連接到適合 1 英寸光學(xué)安裝座的金屬支架。易用性和輕松對(duì)齊是關(guān)鍵資產(chǎn)。

Tera-SED 有兩種不同的版本：10x10 mm2 可用區(qū)域用于放大 fs-laser 系統(tǒng)（脈沖能量高達(dá) 300 μJ，從 ~10 μJ 飽和）和 3x3 mm2 可用區(qū)域適合與 fs-laser 一起使用振蕩器。

 

性能特點(diǎn)

 

? 大面積太赫茲**器

? 低外部偏置電壓

? *外部冷卻

? 叉指設(shè)計(jì)

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