ALH-0.66-80-J 500/5A電流互感器大電流

時(shí)間：2023-05-11作者：醴陵市湘創(chuàng)電器有限公司瀏覽：29

     ALH-0.66-80-J  500/5A電流互感器大電流快速的開關(guān)時(shí)間可提高IGBT本身的效率，但不利的是，會(huì)引起電噪聲，從而損害電機(jī)。過濾不當(dāng)?shù)脑肼暭由祥L(zhǎng)電纜會(huì)導(dǎo)致電動(dòng)機(jī)問題并降低生產(chǎn)率。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵較電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基較電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門較電壓溝道，流過反向基較電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入較N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P基較注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。IGBT的工作特性包括靜態(tài)和動(dòng)態(tài)兩類：1．靜態(tài)特性IGBT的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性和開關(guān)特性。
     IGBT的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水，加入N緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏較電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏較電流范圍內(nèi)。
Id與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏較電流限制，其值一般取為15V左右。IGBT的開關(guān)特性是指漏較電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B值較低。盡管等效電路為達(dá)林頓結(jié)構(gòu)，但流過MOSFET的電流成為IGBT總電流的主要部分。此時(shí)，通態(tài)電壓Uds(on)可用下式表示Uds(on)＝Uj1＋Udr＋I(xiàn)dRoh（2－14）式中Uj1——JI結(jié)的正向電壓，其值為0.7～I(xiàn)V；Udr——擴(kuò)展電阻Rdr上的壓降；Roh——溝道電阻。通態(tài)電流Ids可用下式表示：Ids=(1Bpnp)Imos(2－15）式中Imos——流過MOSFET的電流。由于N區(qū)存在電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。
     所以IGBT的通態(tài)壓降小，耐壓1000V的IGBT通態(tài)壓降為2～3V。IGBT處于斷態(tài)時(shí)，只有很小的泄漏電流存在。2．動(dòng)態(tài)特性IGBT在開通過程中，大部分時(shí)間是作為MOSFET來運(yùn)行的，只是在漏源電壓Uds下降過程后期，PNP晶體管由放大區(qū)至飽和，又增加了一段延遲時(shí)間。td(on)為開通延遲時(shí)間，tri為電流上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常給出的漏較電流開通時(shí)間ton即為td(on)tri之和。漏源電壓的下降時(shí)間由tfe1和tfe2組成，如圖2－58所示IGBT在關(guān)斷過程中，漏較電流的波形變?yōu)閮啥巍Ｒ驗(yàn)镸OSFET關(guān)斷后，PNP晶體管的存儲(chǔ)電荷難以迅速，造成漏較電流較長(zhǎng)的尾部時(shí)間，td(off)為關(guān)斷延遲時(shí)間。
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     trv為電壓Uds(f)的上升時(shí)間。實(shí)際應(yīng)用中常常給出的漏較電流的下降時(shí)間Tf由圖2－59中的t(f1)和t(f2)兩段組成，而漏較電流的關(guān)斷時(shí)間t(off)=td(off)trv十t(f)（2－16）大家都知道，變頻器是利用電力半導(dǎo)體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置?，F(xiàn)在帶大家了解的是變頻器在高壓方面的發(fā)展。變頻器隨著高壓方面的情況，而隨著現(xiàn)代電力電子技術(shù)及計(jì)算機(jī)控制技術(shù)的迅速發(fā)展來改變，從不同的行業(yè)來有利于電氣的傳動(dòng)，在技術(shù)方面的變化也有了很大的改變的效果，對(duì)于交流調(diào)速方面取代了直流調(diào)速的形式，而且數(shù)字控制方面也能夠好的控制已成為發(fā)展的趨勢(shì)，對(duì)于這方面就有了很大的變化了。


      變頻器在交流電機(jī)變頻調(diào)速是當(dāng)今節(jié)約電能的一種形式，為了能夠好的來改進(jìn)生產(chǎn)工藝流程的效果之后，而體現(xiàn)出來的意義就有了很大的變動(dòng)，能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量方面的效果，以及改進(jìn)了運(yùn)行環(huán)境的一種主要手段，變頻調(diào)速以其效高率的改變，高功率因數(shù)的變動(dòng)，以及優(yōu)異的調(diào)速和氣制動(dòng)性能方面的變化。以前的高壓變頻器，由可控硅整流，可控硅逆變等器件構(gòu)成，缺點(diǎn)很多，諧波大，對(duì)電網(wǎng)和電機(jī)都有影響。年來，發(fā)展起來的一些新型器件將改變這一現(xiàn)狀，如IGBT、IGCT、SGCT等等。由它們構(gòu)成的高壓變頻器，性能優(yōu)異，可以實(shí)現(xiàn)PWM逆變，甚至是PWM整流。不僅具有諧波小，功率因數(shù)也有很大程度的提高。在控制的方面來節(jié)約這方面的效果，而且為了能夠好的來改進(jìn)這樣的生產(chǎn)工藝的流程。所以在這方面表現(xiàn)的形式也有了很大的意義，這是通過這方面來比較的一種形式，所以變頻的效果也就有了大的變動(dòng)。

使用條件
◇環(huán)境溫度:-45°C~+45°℃
◇濕度:大平均相對(duì)濕度,日平均≤95%、月平均≤◇海拔高度:普通型≤2000米;高原型≤4000米
◇抗震能力:8度
◇防護(hù)等級(jí):帶電體密封IP66，熔斷器筒IP66，開關(guān)柜外殼IP4X產(chǎn)品特點(diǎn)
安全性:
一次導(dǎo)電回路均采用APG固封工藝澆注，絕綠件表面噴覆屏蔽層，避免絕緣件感應(yīng)電壓對(duì)產(chǎn)品及操作人員造成安全危害。采用相間隔離結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),減少發(fā)生相間短路的概率，進(jìn)一步提高了產(chǎn)品的安全性。
可靠性:
元件的導(dǎo)電回路及傳動(dòng)部件均采用全密封狀態(tài)，不受外部環(huán)境、氣候因素影響，提高了產(chǎn)品的絕緣穩(wěn)定性，避免對(duì)元件內(nèi)部進(jìn)行清潔及維護(hù),減少維護(hù)成本。
環(huán)保型:
取消SF6氣體的應(yīng)用，減少了對(duì)環(huán)境的污染。同時(shí)也避免在嚴(yán)寒、高原等地區(qū)因SF6氣體液化現(xiàn)象造成絕緣、滅弧性能下降而發(fā)生開關(guān)設(shè)備事故的情況。
完善的“五防”結(jié)構(gòu)
元件具有完善的“五防”結(jié)構(gòu)，符合國(guó)網(wǎng)公司的安規(guī)要求，清晰的狀態(tài)指示，有助于操作人員正確完成操作順序，操作順序一目了然、簡(jiǎn)單易懂,避免發(fā)生揉作錯(cuò)誤。
智能化:
元件預(yù)留后智能化接口和傳感器安裝位置，配置智能化設(shè)備后可以滿足智能配網(wǎng)功能要求。操動(dòng)機(jī)構(gòu):








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