太陽(yáng)能 編光電轉(zhuǎn)換 鎖定本詞條由“科普中國(guó)”科學(xué)百科詞條編寫與應(yīng)用工作項(xiàng)目 審核 。光電轉(zhuǎn)換是通過(guò)光伏效應(yīng)把太陽(yáng)輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能的過(guò)程。這一過(guò)程的原理是光子將能量傳遞給電子使其運(yùn)動(dòng)從而形成電流。這一過(guò)程有兩種解決途徑,較常見(jiàn)的一種是使用以硅為主要材料的固體裝置,另一種則是使用光敏染料分子來(lái)捕獲光子的能量。主要用于下述幾個(gè)方面:能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成衛(wèi)1星、宇宙飛船、航標(biāo)燈、無(wú)人氣象站等設(shè)備的電源。染料分子吸收光子能量后將使半導(dǎo)體中的帶負(fù)電的電子和帶正電的空穴分離。
1、用戶太陽(yáng)能電源:用于邊遠(yuǎn)無(wú)電地區(qū),如高原、海島、牧區(qū)、邊防哨所等軍民生活用電,如照明、電視、收錄機(jī)等;3-5kw家庭屋頂并網(wǎng)發(fā)電系統(tǒng);光伏水泵,解決無(wú)電地區(qū)的深水井飲用、灌溉;2、交通領(lǐng)域:如航標(biāo)燈、交通、鐵路信號(hào)燈、交通站、光纜維護(hù)站、廣播、通訊、尋呼電源系統(tǒng)、農(nóng)村微波電話光伏系統(tǒng)、小型通信機(jī)、士兵供電等;4、黑體輻射的頻譜轉(zhuǎn)換,將太陽(yáng)光改變成理想的光源,減少載子能帶內(nèi)的能量釋放,提高太陽(yáng)能電池的效率。3、石油、海洋、氣象領(lǐng)域:石油管道和水庫(kù)閘門陰極保護(hù)太陽(yáng)能 電源系統(tǒng)、石油鉆井平臺(tái)生活及應(yīng)急電源、海洋檢測(cè)設(shè)備、氣 象/水文觀測(cè)設(shè)備等;
詞條
詞條說(shuō)明
太陽(yáng)能 編光電轉(zhuǎn)換 鎖定本詞條由“科普中國(guó)”科學(xué)百科詞條編寫與應(yīng)用工作項(xiàng)目 審核 。光電轉(zhuǎn)換是通過(guò)光伏效應(yīng)把太陽(yáng)輻射能直接轉(zhuǎn)換成電能的過(guò)程。這一過(guò)程的原理是光子將能量傳遞給電子使其運(yùn)動(dòng)從而形成電流。這一過(guò)程有兩種解決途徑,較常見(jiàn)的一種是使用以硅為主要材料的固體裝置,另一種則是使用光敏染料分子來(lái)捕獲光子的能量。主要用于下述幾個(gè)方面:能源----硅光電池串聯(lián)或并聯(lián)組成電池組與鎳鎘電池配合、可作為人造成
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半導(dǎo)體光電器件是把光和電這兩種物理量聯(lián)系起來(lái),使光和電互相轉(zhuǎn)化的新型半導(dǎo)體器件。光電器件主要有:利用半導(dǎo)體光敏特性工作的光電導(dǎo)器件、利用半導(dǎo)體光伏打效應(yīng)工作的光電池和半導(dǎo)體發(fā)光器件等。常用的光電效應(yīng)轉(zhuǎn)換器件有光敏電阻、光電倍增器、光電池、PIN管、CCD等。一、 光電導(dǎo)器件半導(dǎo)體材料的光敏特性,即當(dāng)半導(dǎo)體材料受到一定波長(zhǎng)光線的照射時(shí),其電阻率明顯減小,或說(shuō)電導(dǎo)率增大的特性。這個(gè)現(xiàn)象也叫半導(dǎo)體的光電
稱之為光生電子空穴對(duì)(light-generatedelectron-holepairs)。電子空穴對(duì)的數(shù)目越多導(dǎo)電的效果也越好,因?yàn)楣馐沟脤?dǎo)電效果變好的現(xiàn)象稱之為光導(dǎo)效應(yīng)(photoconductiveeffect)。自由電子與空穴的多寡對(duì)電氣特性有很大的影響,越多的自由電子與空穴可以使導(dǎo)電性增加,同時(shí)也可以使輸出電流增加,因此可以推測(cè)陽(yáng)光越強(qiáng)時(shí)生成的自由電子與空穴越多,則輸出電流也越大。然而如
為較有效的利用由電子與空穴來(lái)產(chǎn)生電流,因此必須加入電場(chǎng)使自由電子與空穴分離進(jìn)而產(chǎn)生電流。1產(chǎn)生電場(chǎng)的方式很多如PN接面、金屬半導(dǎo)體接面等,其中較1常用的方式為PN接面。提高自由電子濃度常用的方法是在硅中加入少量的五價(jià)原子,五價(jià)原子的四個(gè)價(jià)電子與硅鍵結(jié)后剩下一個(gè)價(jià)電子,使剩下的價(jià)電子游離只需要0.05ev,比原來(lái)的1.1ev小很多,在室溫**過(guò)200度k時(shí)即可使所有雜質(zhì)產(chǎn)生自由電子,同樣在硅中加入少量
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