Everspin Serial MRAM存儲芯片MR20H40CDF

時間：2020-04-21

Everspin在磁存儲器設計，MRAM,STT-MRAM的制造和交付到相關應用中的知識和經驗在半導體行業(yè)中是*一**的。擁有**過600多項有效**和申請的知識產權產品組合，在平面內和垂直磁隧道結（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場良好地位。英尚微電子作為everspin的**代理商,所提供的MRAM具有高度可靠的數(shù)據(jù)存儲.沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。
 
產品描述
MR20H40CDF是Everspin 所生產的由4194,304位磁阻隨機存取存儲器（MRAM）設備系列，組織為524,288個8位字。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數(shù)據(jù)和程序的應用程序，它們是理想的內存解決方案。它們具有串行EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫時序，沒有寫延遲，并且讀/寫壽命不受限制。與其他串行存儲器不同，使用MR2xH40系列，讀取和寫入都可以在內存中隨機發(fā)生，而寫入之間沒有延遲。
 
MR20H40CDF系列可在各種溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。MR20H40CDF MRAM存儲芯片（50MHz）提供了（-40°至+85°C）的工業(yè)溫度范圍。MR20H40CDF（40MHz）具有工業(yè)（-40°至+85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q1001級（-40°C至+125°C）工作溫度范圍選項。兩者均采用5x6mm，8引腳DFN封裝。該引腳與串行SRAM，EEPROM，閃存和FeRAM產品兼容。



產品特征
沒有寫入延遲
?無限的寫續(xù)航力
?數(shù)據(jù)保留**過20年
?斷電時自動數(shù)據(jù)保護
?快速，簡單的SPI接口，MR20H40的時鐘速率高達50 MHz。
?3.0至3.6伏電源范圍
?低電流睡眠模式
?工業(yè)（-40至85°C），擴展（-40至105°C）和AEC-Q100 1級（-40至125°C）溫度范圍選項。
?提供符合RoHS要求的8引腳DFN或8引腳DFN小標志。
?直接替換串行EEPROM，閃存和FeRAM
?MSL 3級

詞條
詞條說明
靈動微電子的產品定位
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Everspin一級代理商
Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結構，來提供不會產生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供MRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導體公司分離出來的一家獨立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界**款商業(yè)化MRAM產品。今日，Everspin M
靈動微ARM Cortex-M內核測試向量生成
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MRAM在哪方面適合物聯(lián)網(wǎng)
“事物”是指可以通過傳感器讀取或通過電子方式確定和控制其狀態(tài)的任何事物。通過互聯(lián)網(wǎng)，物聯(lián)網(wǎng)將能夠彼此通信并做出決策，而*人工干預。物聯(lián)網(wǎng)的概念意味著將對象或機器連接到互聯(lián)網(wǎng)，以便可以收集，共享和完善數(shù)據(jù)以支持較高的人類生活質量。可以從云中存儲和訪問應用程序和數(shù)據(jù)。人，應用程序或其他機器做出的決策可以作為控制事物的命令發(fā)布。 MRAM在哪里適合物聯(lián)網(wǎng)？作為快速寫入的非易失性存儲器，MRAM