回收海力士HBM2E內(nèi)存

時(shí)間：2021-12-30作者：深圳市福田區(qū)誠(chéng)芯源電子商行瀏覽：80

 回收海力士HBM2E內(nèi)存

今日海力士發(fā)布，已產(chǎn)品研發(fā)新一代DRAM運(yùn)行內(nèi)存“HBM2E”，可視作HBM2的增強(qiáng)版，

有著業(yè)內(nèi)較大的傳送帶寬，對(duì)比如今的HBM2提高了大概50％，與此同時(shí)容積也翻了一番。




海力士的HBM2E每一個(gè)針角傳輸速度為3.6Gbps，配搭1024-bit位寬得話(huà)可以給予**出460GB/s的**高帶寬，現(xiàn)階段可以說(shuō)**。

AMD Radeon VII電腦顯卡以前首先完成1TB/s的*顯存儲(chǔ)帶寬，但運(yùn)用了4096-bit的位寬，假如換為HBM2E總帶寬可以輕輕松松**出1.8TB/s。

與此同時(shí)歸功于TSV硅埋孔技術(shù)性，HBM2E運(yùn)行內(nèi)存可以較多豎直層疊八顆16Gb芯片，單珠封裝總?cè)莘e因而可達(dá)16GB，是現(xiàn)在的二倍。

海力士表明，**高帶寬的HBM2E可用作工業(yè)生產(chǎn)4.0、高檔GPU電腦顯卡、高性能計(jì)算機(jī)、人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)、AI人工智能技術(shù)等各種各樣良好行業(yè)。

并且有別于傳統(tǒng)式DRAM務(wù)必獨(dú)立封裝、占有電腦主板總面積，

HBM系列產(chǎn)品可以與GPU芯片、邏輯性芯片等融合封裝在一起，

彼此之間間距可以保證只是好多個(gè)μm，大大的節(jié)約總體總面積，也可以確保迅速的傳輸數(shù)據(jù)。

上述就是為你介紹的有關(guān) 回收海力士HBM2E內(nèi)存的內(nèi)容，對(duì)此你還有什么不了解的，歡迎前來(lái)咨詢(xún)我們網(wǎng)站，我們會(huì)有專(zhuān)業(yè)的人士為你講解。





深圳市福田區(qū)誠(chéng)芯源電子商行專(zhuān)注于回收海力士?jī)?nèi)存,回收海力士芯片,回收海力士字庫(kù)等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• 微軟與海力士擬建云創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室融合高計(jì)算與半導(dǎo)體芯片

  據(jù)悉，韓國(guó)IT硬件制造商SK Hynix(海力士)將向技術(shù)成員微軟發(fā)展（Microsoft）半導(dǎo)體芯片資源**26億美元，相當(dāng)于**過(guò)170億美元。 ? ?根據(jù)雙方簽訂的協(xié)議，SK海力士將年度生產(chǎn)和供應(yīng)服務(wù)器增加到微軟DRAM，基于NAND固態(tài)驅(qū)動(dòng)器和片上系統(tǒng)（SoC），而根據(jù)中國(guó)香港IDC新天域互聯(lián)網(wǎng)得知微軟將相應(yīng)SK Hynix提供云服務(wù)。 ? ?簡(jiǎn)單地說(shuō)，的

• LDO 線(xiàn)性降壓芯片選擇時(shí)注意什么

  LDO 線(xiàn)性降壓芯片如：2596，L78 系列等。DC/DC 降壓芯片：在降壓過(guò)程中能量損耗比較小，芯片發(fā)熱不明顯。芯片封裝比較小，能實(shí)現(xiàn) PWM 數(shù)字控制。DC/DC 降壓芯片如：TPS5430/31，TPS75003，MAX1599/61,TPS61040/41總的來(lái)說(shuō)，進(jìn)行 PCB 設(shè)計(jì)時(shí)，升壓是一定要選 DCDC 的，降壓，是選擇 DCDC 還是 LDO，要在成本，效率，噪聲和性能上比較。

• SK海力士與韓科院合作，利用AI技術(shù)改善芯片制造過(guò)程

  韓國(guó)時(shí)報(bào)，SK海力士周一表示，他已與世界良好理工大學(xué)韓國(guó)科技學(xué)院合作（KAIST）利用人工智能技術(shù)改進(jìn)芯片制造過(guò)程，建立合作關(guān)系。根據(jù)諒解備忘錄，SK海力士將通過(guò)云計(jì)算實(shí)時(shí)向韓國(guó)科學(xué)院提供半導(dǎo)體制造過(guò)程中產(chǎn)生的數(shù)據(jù)，韓國(guó)科學(xué)院將使用它AI有助于促進(jìn)芯片制造過(guò)程的發(fā)展。SK海力士表示，今年3月，云計(jì)算系統(tǒng)在其總部推出。為了使韓國(guó)科學(xué)院能夠存儲(chǔ)提供的數(shù)據(jù)，仍在大田校區(qū)Seongnam-KAIST下一代

• 電源管理芯片分類(lèi)

  電源管理芯片分類(lèi)—按拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)即實(shí)現(xiàn)相應(yīng)功能的較基本的電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)電能轉(zhuǎn)換過(guò)程中是否使用隔離器件（變壓器），將電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)分為隔離型和非隔離型。拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)—如何選擇拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)隔離器件能增加電路的安全性，大電壓場(chǎng)景一般需要隔離器件。如用市電供電，人接觸電源的輸出端或地端可能會(huì)有觸電危險(xiǎn)。在下雨天打雷的時(shí)候，沒(méi)有隔離可能導(dǎo)致電路燒毀。根據(jù)電路工作功率進(jìn)行隔離型電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇。非隔離電源中Boo