非均相成核法制備納米氧化銦錫粉體

時(shí)間：2019-05-30作者：上海滬正納米科技有限公司瀏覽：90

SnO2是氧空位產(chǎn)生非化學(xué)整比性的寬帶半導(dǎo)體，摻雜F、Sb元素后導(dǎo)電性能能提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)，形成n型半導(dǎo)體。ATO是摻雜二氧化錫（antimony doped tin oxide）具有優(yōu)良的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。粉末作為抗靜電材料廣泛應(yīng)用于涂料、化纖、造紙、包裝、建筑材料等方面，顯示出比其他抗靜電材料（石墨、表面活性劑、金屬粉）較大的優(yōu)越性。此外在光電顯示器件，透明電極、太陽(yáng)能電池、隔熱窗、催化劑領(lǐng)域均有廣泛的應(yīng)用。我司采用的非均相成核法制備的納米ATO導(dǎo)電粉體，粒徑小，分布窄，無(wú)團(tuán)聚，具有廣泛應(yīng)用


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• 非均相成核法制備納米氧化銦錫粉體

  SnO2是氧空位產(chǎn)生非化學(xué)整比性的寬帶半導(dǎo)體，摻雜F、Sb元素后導(dǎo)電性能能提高幾個(gè)數(shù)量級(jí)，形成n型半導(dǎo)體。ATO是銻摻雜二氧化錫（antimony doped tin oxide）具有優(yōu)良的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。粉末作為抗靜電材料廣泛應(yīng)用于涂料、化纖、造紙、包裝、建筑材料等方面，顯示出比其他抗靜電材料（石墨、表面活性劑、金屬粉）較大的優(yōu)越性。此外在光電顯示器件，透明電極、太陽(yáng)能電池、隔熱窗、催化劑領(lǐng)