北京化學(xué)氣相沉積設(shè)備歡迎來電“本信息長期有效”






    化學(xué)氣相沉積的原理

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    化學(xué)氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝,它大致包含三步:

    (1)形成揮發(fā)性物質(zhì) ;

    (2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ;

    (3)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) ?;镜幕瘜W(xué)氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中。



    PCVD工藝的具體流程

    PCVD工藝的具體流程如下:

    (1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進(jìn)高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計(jì)要求的光纖芯中玻璃的組成成分。

    (2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃,在表面張力的作用下,分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實(shí)心棒(預(yù)制棒)。

    (3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例,將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中,這樣裝配后即可進(jìn)行拉絲。

    (4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的**部,下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中,此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm),并進(jìn)行雙層涂覆和紫外固化。

    (5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試,以確定光纖的幾何、光學(xué)和機(jī)械性能。

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    ICP刻蝕機(jī)的原理

    感應(yīng)耦合等離子體刻蝕法(Inductively Coupled Plasma Etch,簡稱ICPE)是化學(xué)過程和物理過程共同作用的結(jié)果。它的基本原理是在真空低氣壓下,ICP 射頻電源產(chǎn)生的射頻輸出到環(huán)形耦合線圈,以一定比例的混合刻蝕氣體經(jīng)耦合輝光放電,產(chǎn)生高密度的等離子體,在下電極的RF 射頻作用下,這些等離子體對基片表面進(jìn)行轟擊,基片圖形區(qū)域的半導(dǎo)體材料的化學(xué)鍵被打斷,與刻蝕氣體生成揮發(fā)性物質(zhì),以氣體形式脫離基片,從真空管路被抽走。

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