化學(xué)氣相沉積的原理
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化學(xué)氣相沉積技術(shù)是應(yīng)用氣態(tài)物質(zhì)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)和傳輸反應(yīng)等并產(chǎn)生固態(tài)沉積物的一種工藝,它大致包含三步:
(1)形成揮發(fā)性物質(zhì) ;
(2)把上述物質(zhì)轉(zhuǎn)移至沉積區(qū)域 ;
(3)在固體上產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)并產(chǎn)生固態(tài)物質(zhì) ?;镜幕瘜W(xué)氣相沉積反應(yīng)包括熱分解反應(yīng)、化學(xué)合成反應(yīng)以及化學(xué)傳輸反應(yīng)等集中。
PCVD工藝的具體流程
PCVD工藝的具體流程如下:
(1)沉積。沉積過程借助低壓等離子體使流進(jìn)高純度石英玻璃沉積管內(nèi)的氣態(tài)鹵化物和氧氣在1000℃以上的高溫條件下直接沉積成設(shè)計(jì)要求的光纖芯中玻璃的組成成分。
(2)熔縮。沿管子方向往返移動的石墨電阻爐對小斷旋轉(zhuǎn)的管子加熱到大約2200℃,在表面張力的作用下,分階段將沉積好的石英管熔縮成一根實(shí)心棒(預(yù)制棒)。
(3)套棒。為獲得光纖芯層與包層材料的適當(dāng)比例,將熔縮后的石英棒套入一根截面積經(jīng)過精心挑選的管子中,這樣裝配后即可進(jìn)行拉絲。
(4)拉絲。套棒被安裝在拉絲塔的**部,下端緩緩放入約2100℃的高溫爐中,此端熔化后被拉成所需包層直徑的光纖(通常為125 cm),并進(jìn)行雙層涂覆和紫外固化。
(5)光纖測試。拉出的光纖要經(jīng)過各種試,以確定光纖的幾何、光學(xué)和機(jī)械性能。
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化學(xué)氣相沉積技術(shù)類型介紹 想了解更多關(guān)于化學(xué)氣相沉積的相關(guān)資訊,請持續(xù)關(guān)注本公司。 化學(xué)氣相沉積裝置主要的元件就是反應(yīng)器。按照反應(yīng)器結(jié)構(gòu)上的差別,我們可以把化學(xué)氣相沉積技術(shù)分成開管/封管氣流法兩種類型: 1 封管法這種反應(yīng)方式是將一定量的反應(yīng)物質(zhì)和集體放置于反應(yīng)器的兩邊,將反應(yīng)器中抽成真空, 再向其中注入部分輸運(yùn)氣體,然后再次密封, 再控制反應(yīng)器兩端的溫度使其有一定差別,它的優(yōu)點(diǎn)是:①能有效夠避
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