可控硅元件—可控硅元件的結構

    	       一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創(chuàng)制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。
    
    
    	       在性能上,可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件(俗稱“死硅”)較為可貴的可控性。它只有導通和關斷兩種狀態(tài)。
    
    
    	       可控硅能以毫安級電流控制大功率的機電設備,如果**過此頻率,因元件開關損耗顯著增加,允許通過的平均電流相降低,此時,標稱電流應降級使用。
    
    
    	       可控硅的優(yōu)點很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍;反應較快,在微秒級內(nèi)開通、關斷;無觸點運行,無火花、無噪音;效率高,成本低等等。
    
    
    	       可控硅的弱點:靜態(tài)及動態(tài)的過載能力較差;容易受干擾而誤導通。
    
    
    	       可控硅從外形上分類主要有:螺栓形、平板形和平底形。
    
    
    	 
    

    武漢武整機電有限公司專注于可控硅,二極管,整流管,晶閘管,可控硅模塊,二極管模塊等

  • 詞條

    詞條說明

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