關(guān)于碳化硅脫硫噴嘴的幾個(gè)事件

時(shí)間：2017-03-24作者：高密市金利鑫達(dá)機(jī)械設(shè)備有限公司瀏覽：118

? ? ??1905年在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。

　　1907年碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。

　　1955年理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長高品質(zhì)碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。

　　1958年在波士頓召開世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。

　　1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長方法。

　　1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開始提供商品化的碳化硅基。

　　 ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?碳化硅噴嘴的物理性質(zhì)

　　碳化硅的折射率非常高，在普通光線下為2.6767~2.6480;在特殊光線下為2.6889~2.6930.各種晶型的碳化硅比重十分接近，一般為3.217.碳化硅砂的堆積密度為1.2~1.6g/cm3之間波動(dòng)，取決于粒度型號(hào)、粒度組成和顆粒形狀。耐火材料用碳化硅砂還測定其搖實(shí)密度，整xing后的8#以下通料的搖實(shí)密度可達(dá)2.1~2.4g/cm3.

　　碳化硅的莫氏硬度為9.2.黑SiC與綠SiC的硬度無論在常溫下還是高溫下都基本相同，沒有本質(zhì)上的差別。

　　碳化硅的膨脹系數(shù)不大，以下為測定結(jié)果。在25~1400℃范圍內(nèi)，碳化硅平均熱膨脹系數(shù)可取4.4×10（-6℃-1）。





高密市金利鑫達(dá)機(jī)械設(shè)備有限公司專注于碳化硅噴嘴,碳化硅異型件,不銹鋼噴嘴等

• 詞條

  詞條說明

• 高密碳化硅脫硫噴嘴的優(yōu)勢

  高密市金利鑫達(dá)機(jī)械設(shè)備是專業(yè)生產(chǎn)銷售碳化硅脫硫噴嘴的廠家，今天就為大家詳細(xì)的介紹一下碳化硅脫硫噴嘴的優(yōu)勢： 1、耐腐蝕； 2、不堵塞； 3、耐沖刷； 4、更換維護(hù)成本低； 5、耐高溫； 6、硬度高； 7、使用壽命長。

• 碳化硅脫硫噴嘴的流量要合理選擇

  由于脫硫噴嘴的流量影響著脫硫系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)性，所以我們要合理選擇噴嘴的流量。 在給定的吸收塔中，選用流量大的脫硫噴嘴可以減少所需噴嘴的總數(shù)，從而降低系統(tǒng)的造價(jià)，大流量脫硫噴嘴的限制少且防堵塞性能好，這樣可有效地節(jié)約運(yùn)行和維護(hù)費(fèi)用。但選用大流量脫硫噴嘴也有所犧牲，其液滴尺寸要增大，所以不同噴嘴可接受的大流量度受到這種噴嘴霧化效果的限制。濕法脫硫中的噴嘴的流量一般約在50m/h左右。 因此，對(duì)于脫硫噴嘴

• 關(guān)于碳化硅脫硫噴嘴的幾個(gè)事件

  1905年在隕石中發(fā)現(xiàn)碳化硅。 1907年碳化硅晶體發(fā)光二極管誕生。 1955年理論和技術(shù)上重大突破，LELY提出生長高品質(zhì)碳化概念，從此將SiC作為重要的電子材料。 1958年在波士頓召開世界碳化硅會(huì)議進(jìn)行學(xué)術(shù)交流。 1978年六、七十年代碳化硅主要由前蘇聯(lián)進(jìn)行研究。到1978年采用“LELY改進(jìn)技術(shù)”的晶粒提純生長方法。 1987年～至今以CREE的研究成果建立碳化硅生產(chǎn)線，供應(yīng)商開始提供商

• 碳化硅脫硫噴嘴廠家設(shè)計(jì)產(chǎn)品時(shí)應(yīng)注意的問題

  碳化硅脫硫噴嘴在設(shè)計(jì)時(shí)注意一些問題，會(huì)使產(chǎn)品起到事半功倍的作用，下面為大家講解一下脫硫噴嘴在設(shè)計(jì) 時(shí)應(yīng)注意的問題： 1、選擇合理的噴嘴覆蓋高度，通常根據(jù)噴嘴特性及兩層噴淋之間距離來確定。 2、選擇合理的單層噴嘴個(gè)數(shù)。一般來說，噴嘴個(gè)數(shù)根據(jù)工藝計(jì)算來確定。 3、當(dāng)噴嘴覆蓋高度確定以后，則就可以計(jì)算單個(gè)碳化硅噴嘴的覆蓋面積4、當(dāng)在脫硫塔內(nèi)布置噴嘴時(shí)，選擇合 適的碳化硅噴嘴之間的距離。通常根據(jù)噴嘴個(gè)數(shù)