存儲(chǔ)晶圓不良芯片回收價(jià)格

時(shí)間：2023-05-12作者：龐博電子有限公司（中國(guó)香港）瀏覽：63

存儲(chǔ)晶圓不良芯片回收價(jià)格不良芯片

不良芯片




不良芯片

中電阻R1和R2的取值必須使當(dāng)輸入為+VCC時(shí)的三極管可靠地飽和，即有βIbIes在.21中假設(shè)Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,則有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，則R16.63K,為了使三極管有一定的飽和深度和兼顧三極管電流放大倍數(shù)的離散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3.6K，當(dāng)集成電路控制端為+VCC時(shí)，應(yīng)能至少提供1.2mA的驅(qū)動(dòng)電流(流過(guò)R1的電流)給本驅(qū)動(dòng)電路，而許多集成電路(標(biāo)準(zhǔn)8051單片機(jī))輸出的高電平不能達(dá)到這個(gè)要求，但它的低電平驅(qū)動(dòng)能力則比較強(qiáng)(標(biāo)準(zhǔn)8051單片機(jī)I/O口輸出低電平能提供20mA的驅(qū)動(dòng)電流(這里說(shuō)的是漏電流))，則應(yīng)該用如.22所示的電路來(lái)驅(qū)動(dòng)繼電器。
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