晶圓運輸用包裝盒不良晶片上門收購

時間：2023-03-22

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不良晶片

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PN結(jié)如下圖所示：在P型和N型半導體的交界面附近，由于N區(qū)的自由電子濃度大，于是帶負電荷的自由電子會由N區(qū)向電子濃度低的P區(qū)擴散，擴散的結(jié)果使PN結(jié)中靠P區(qū)一側(cè)帶負電，靠N區(qū)一側(cè)帶正電，形成由N區(qū)指向P區(qū)的電場。即PN結(jié)內(nèi)電場。內(nèi)電場將阻礙多數(shù)載流子的繼續(xù)擴散，又稱為阻檔層。下面分兩種情況討論PN結(jié)的導通特性。PN結(jié)加上正向電壓將PN結(jié)的P區(qū)接電源正極，N區(qū)接電源負極，在正向電壓作用下，PN結(jié)中的外電場和內(nèi)電場方向相反，擴散運動和漂移運動的平衡被破壞，內(nèi)電場被削弱，使空間電荷區(qū)變窄，多數(shù)載流子的擴散運動大大地**過了少數(shù)載流子的漂移運動，多數(shù)載流子很容易越過PN結(jié)，形成較大的正向電流，PN結(jié)呈現(xiàn)的電阻很小，因而處于導通狀態(tài)。
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