半導(dǎo)體測(cè)試失效分析

時(shí)間：2022-01-07作者：青島英特質(zhì)量工程技術(shù)有限公司瀏覽：395

無效分析是芯片設(shè)計(jì)關(guān)鍵步驟，無論針對(duì)批量生產(chǎn)樣品或是設(shè)計(jì)方案階段亦或是客退品，無效分析可以協(xié)助控制成本，減少周期時(shí)間。

普遍的無效分析方式有Decap，X-RAY，IV，EMMI，F(xiàn)IB，SEM，EDX，Probe，OM，RIE等，由于無效分析機(jī)器設(shè)備價(jià)格昂貴，絕大多數(shù)要求企業(yè)配不上或配參差不齊必須的機(jī)器設(shè)備，因而使用外力作用，應(yīng)用擴(kuò)大開放的資源，來進(jìn)行自身的分析也是一種有效的挑選。大家決定去外邊時(shí)必須提前準(zhǔn)備的信息內(nèi)容都有哪些呢？下邊為各位梳理一下：

一、decap：寫清樣品尺寸，總數(shù)，封裝類型，材料，開封市規(guī)定（若在pcb板上，較好是提早拆下來，pcb板子面比較大有凸起，會(huì)危害對(duì)集成ic的維護(hù)）后面實(shí)驗(yàn)。

1.IC開封市（正臉/反面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等

2.樣品薄化（瓷器，金屬材料以外）

3.激光打標(biāo)

4.集成ic開封市（正臉/反面）

5.IC蝕刻加工，塑封膜體除去

二、X-RAY：寫清樣品尺寸，總數(shù)，材料（密度大的能夠看見，相對(duì)密度小的立即透過），關(guān)鍵觀查地區(qū)，精密度。

1.觀察DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不一樣封裝形式的半導(dǎo)體材料、電阻器、電容器等電子元件及其中小型PCB印刷線路板

2.觀察元器件內(nèi)部集成ic尺寸、總數(shù)、疊 ** 、綁線狀況

3.觀察集成iccrack、自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī)不均勻、斷開、搭線、內(nèi)部汽泡等封裝形式

缺點(diǎn)，及其焊錫絲球噴焊、脫焊等鑄造缺陷

三、IV：寫清引腳總數(shù)，封裝類型，通電方法，電流電壓限定范疇。試驗(yàn)工作人員必須事先確定構(gòu)建合適的分析自然環(huán)境，若樣品不適宜就*白跑一趟了。

1.Open/Short Test

2.I/V Curve Analysis

3.Idd Measuring

4.Powered Leakage（走電）Test

四、EMMI：寫清樣品通電方法，電流電壓，是不是裸 ** ，是否早已開封市，特別要求等，EMMI是通電，可以聯(lián)接各種各樣源表，確定通電規(guī)定，若試驗(yàn)室沒有合適的源表，可以內(nèi)置，防止做瞎忙。

1.P-N接面走電；P-N接面奔潰

2.飽和狀態(tài)區(qū)電子管的熱電子

3.空氣氧化層泄露電流造成的光**激起

4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、

Hot Carriers Effect、ESD等問題

五、FIB：寫清樣品尺寸，材料，導(dǎo)電性是不是優(yōu)良，若尺寸比較大必須事前剪裁。一般樣品臺(tái)1-3cm上下，很大的樣品放不進(jìn)去，也影象精準(zhǔn)定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不太好的，必須協(xié)助對(duì)策才可以不錯(cuò)的分析。相切觀查的，普清相切規(guī)定。斷線連線寫清計(jì)劃方案，發(fā)精準(zhǔn)定位文檔。

1.集成ic電源電路改動(dòng)和合理布局認(rèn)證

2.Cross-Section橫截面分析

3.Probing Pad

4.*激光切割

六、SEM：寫清樣品尺寸，材料，導(dǎo)電性是不是優(yōu)良，若尺寸比較大必須事前剪裁。一般樣品臺(tái)1-3cm上下，很大的樣品放不進(jìn)去，也影象精準(zhǔn)定位，導(dǎo)電性好的樣品分析較快，導(dǎo)電性不太好的，必須協(xié)助對(duì)策才可以不錯(cuò)的分析。

1.原材料表面外貌分析，微區(qū)形貌觀查

2.原材料樣子、尺寸、表面、橫斷面、粒度遍布分析

3.塑料薄膜樣品表面外貌觀查、塑料薄膜表面粗糙度及膜厚分析

4.納米技術(shù)尺寸量測(cè)及標(biāo)識(shí)

七、EDX：寫清樣品尺寸，材料，EDX是判定分析，能見到樣品的材料和大約占比，合適化學(xué)元素分析。

1.微區(qū)成份判定分析

八、Probe：寫清樣品接口測(cè)試規(guī)定，必須配搭哪些源表，應(yīng)用哪些探頭，一般有硬針和軟針，軟針偏細(xì)，不容易對(duì)樣品導(dǎo)致二次損害。

1.細(xì)微連接功能數(shù)據(jù)信號(hào)引出來

2.無效分析失效確定

3.FIB電源電路改動(dòng)后電力學(xué)特點(diǎn)確定

4.圓晶穩(wěn)定性認(rèn)證

九、OM：寫清樣品狀況，對(duì)變大倍數(shù)規(guī)定。OM歸屬于表面觀查，看不見內(nèi)部狀況。

1.樣品外型、外貌檢驗(yàn)

2.制取樣照的金相顯微鏡分析

3.各種各樣缺點(diǎn)的搜索

4.電子管焊接、查驗(yàn)

十、RIE：寫清樣品材料，必須見到的地區(qū)。

1.用以對(duì)應(yīng)用氟基**化學(xué)的資料開展各向異性和各種各樣蝕刻加工，主要包括碳、環(huán)氧樹脂膠、高純石墨、銦、鉬、氮氧化合物、光阻劑、聚丙烯腈、石英石、硅、金屬氧化物、氮化合物、鉭、滲氮鉭、氮化鈦、鎢鈦及其鎢

2.元器件表面圖型的離子注入


青島英特質(zhì)量工程技術(shù)有限公司專注于實(shí)驗(yàn)室CNAS認(rèn)可,ASME焊接,CMA資質(zhì)認(rèn)定,焊接工藝評(píng)定,焊接體系認(rèn)證,失效分析等

• 詞條

  詞條說明

• 測(cè)試校準(zhǔn)人員技術(shù)培訓(xùn)

  根據(jù)/校準(zhǔn)需求，安排培訓(xùn)*到達(dá)現(xiàn)場(chǎng)結(jié)合公司實(shí)際進(jìn)行培訓(xùn)，或者安排測(cè)試人員來我公司實(shí)驗(yàn)室，有針對(duì)性的進(jìn)行實(shí)操學(xué)習(xí)。 我公司目前開展的培訓(xùn)業(yè)務(wù)具體包括以下內(nèi)容：1.金相培訓(xùn)金相培訓(xùn)的內(nèi)容包含以下3部分內(nèi)容：1. 金屬材料基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)；2. 金屬熱處理基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)；3. 常規(guī)金相項(xiàng)目培訓(xùn)。2.力學(xué)培訓(xùn)力學(xué)培訓(xùn)包括以下內(nèi)容：拉伸測(cè)試?yán)碚搶?shí)操及標(biāo)準(zhǔn)解讀；沖擊測(cè)試?yán)碚搶?shí)操及標(biāo)準(zhǔn)解讀；硬度測(cè)試?yán)碚搶?shí)操

• 半導(dǎo)體測(cè)試失效分析

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• 淺談焊接工藝評(píng)定

  焊接工藝評(píng)定的首要目標(biāo)取決于證實(shí)某一個(gè)焊接方法是不是可以得到符合規(guī)定的對(duì)接焊縫，以分辨該工序的準(zhǔn)確性、可行性分析，而不是電焊焊接實(shí)際操作工作人員的手藝水準(zhǔn)。焊接工藝評(píng)定是確保電焊焊接構(gòu)造生產(chǎn)制造品質(zhì)的主要前提條件。文中關(guān)鍵比照的是連接對(duì)接焊縫（通稱對(duì)接接頭）物理性能試驗(yàn)方式的差別，包含抽樣差別，物理性能內(nèi)容差別和根據(jù)的差別等，以供有關(guān)試驗(yàn)工作人員參照。焊接工藝評(píng)定的程序流程焊接工藝評(píng)定

• asme是什么標(biāo)準(zhǔn)

  ASME 是美國(guó)機(jī)械工程師協(xié)會(huì)標(biāo)準(zhǔn)ASME是American Society of Mechanical Engineers（美國(guó)機(jī)械工程師協(xié)會(huì)）的英文縮寫。 美國(guó)機(jī)械工程師協(xié)會(huì)成立于1880年，在世界各地建有分部，是一個(gè)有很大*和影響的**性學(xué)術(shù)組織。ASME主要從事發(fā)展機(jī)械工程及其有關(guān)領(lǐng)域的科學(xué)技術(shù)，鼓勵(lì)基礎(chǔ)研究，促進(jìn)學(xué)術(shù)交流，發(fā)展與其他工程學(xué)、協(xié)會(huì)的合作，開展標(biāo)準(zhǔn)化活動(dòng)，制定機(jī)械規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)