CTLD-350型熱釋光劑量?jī)x測(cè)量的質(zhì)量控制 [摘要] 討論了CTLD-350熱釋光劑量讀出器測(cè)量的質(zhì)量控制問(wèn)題。CTLD-350熱釋光劑量?jī)x中參考光源的光譜應(yīng)與光電倍增管道匹配,光學(xué)系統(tǒng)透射系數(shù)要高而穩(wěn)定,高壓須穩(wěn)定性高,加熱器與探測(cè)器要保持良好的熱接觸;探測(cè)器應(yīng)經(jīng)過(guò)篩選,嚴(yán)格控制退火條件,測(cè)量參數(shù)要優(yōu)化確定;劑量刻度源的輻射種類和能譜應(yīng)與所測(cè)量的盡量一致,并須按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求刻度,文中介紹了幾種劑量刻度方法。為達(dá)到上述質(zhì)量要求,提出了應(yīng)采取的方法和措施。 關(guān)鍵詞 質(zhì)量控制;參考光源;劑量刻度;輻射劑量;參數(shù)優(yōu)化 1、CTLD-350熱釋光劑量讀出器控制 熱釋光劑量測(cè)量的精度與讀出器的性能有著密切的關(guān)系。而讀出器的性能和參考光源、高壓穩(wěn)定度,光學(xué)系統(tǒng)、加熱盤(pán)的性能和測(cè)量氣氛等因素有關(guān)。 1.1 參考光源 參考光源用于校正讀出器的靈敏度,需要用一個(gè)恒定的參考光源置于測(cè)量時(shí)探測(cè)器所處位置,對(duì)讀出器的靈敏度進(jìn)行控制。在每次讀數(shù)以前或間隔一定時(shí)間由操作人員完成,或由控制系統(tǒng)自動(dòng)完成。 CTLD-350型熱釋光劑量讀出儀采用英國(guó)進(jìn)口光源,參考光源該光源具有發(fā)光均勻、性能穩(wěn)定等特點(diǎn)。 不同探測(cè)器的**光譜是不同的,測(cè)量時(shí)應(yīng)注意探測(cè)器**光譜與所用讀出器的光電倍增管吸收光譜匹配的問(wèn)題。參考光源的**光譜較好與所使用探測(cè)器的**光譜相近似,但這對(duì)一些采用多種熱釋光探測(cè)器的用戶來(lái)講是很難做到的。這也是造成文獻(xiàn)報(bào)道探測(cè)器劑量特性差別的一個(gè)主要原因之一。 1.2 光學(xué)系統(tǒng) 參考光源具有確定的**光譜,當(dāng)參考光源的光在到達(dá)光電倍增管之前,要通過(guò)濾光片和透鏡組成的光路,這個(gè)光路對(duì)不同波長(zhǎng)的光有不同的透射系數(shù)。光譜透射系數(shù)的不穩(wěn)定性,以及在使用過(guò)程中由灰塵和**氧化物引起的表面污染導(dǎo)致透射系數(shù)的變化,使得參考光源的讀數(shù)要減小。為了補(bǔ)償參考光源讀數(shù)的減小,通常采用增加光電倍增管高壓的辦法。這樣做對(duì)那些熱釋光**光譜與參考光源光譜相一致的探測(cè)器可認(rèn)為是適當(dāng)?shù)?,而?duì)那些**光譜與參考光源光譜差別較大的探測(cè)器則將導(dǎo)致較大的誤差。其原因是透射系數(shù)的選擇性,即它在整個(gè)譜域中的非線性變化。因此應(yīng)保持光路的清潔,在光路和探測(cè)器之中加隔熱玻璃和通惰性氣體是較有效的措施。 1.3 高壓 多數(shù)光電倍增管的光譜響應(yīng)將隨著高壓的變化而漂移,并且探測(cè)器的靈敏度顯著依賴于光電倍增管的高壓。因此需要在調(diào)整高壓以后進(jìn)行重復(fù)校準(zhǔn),以確保讀出器的高壓具有較高的穩(wěn)定度(0.05%)。 1.4 加熱盤(pán) 加熱盤(pán)表面的光學(xué)性質(zhì)對(duì)熱釋光信號(hào)的測(cè)量有一定的影響。這是由于到達(dá)光電倍增管的熱釋光的一部分來(lái)自加熱盤(pán)表面的反射光的緣故。這種反射光成分會(huì)隨著加熱盤(pán)表面反射性能的變化而變化。使用*性的加熱盤(pán),例如由貴重的鉑做成的加熱盤(pán),可以減小誤差。為了避免這種誤差,可采用熱氣(空氣、氮?dú)?)、激光加熱等技術(shù)。采用這些加熱技術(shù)可使熱釋光探測(cè)器加熱盤(pán)上位置的不一致引起的誤差(可達(dá)10%以上)變小。 1.5 氣氛 對(duì)熱光探測(cè)器低輻射水平的測(cè)量,可在惰性氣體(氮?dú)?、氬?的氣氛中測(cè)量,采取這種措施可以減小或消除加熱盤(pán)表面熱致化學(xué)發(fā)光。人們發(fā)現(xiàn)在溫度坐標(biāo)軸上,發(fā)光曲線的位置以及探測(cè)器多次使用中的精度都依賴于讀出氣氛的選擇。例如,在干燥氬氣中讀出與在干燥氮?dú)庵凶x出相比,其測(cè)量溫度應(yīng)尚高一些。 2、CTLD-1000型熱釋光探測(cè)器測(cè)量 2.1 測(cè)讀參數(shù) 熱釋光劑量測(cè)定值(NTL)受測(cè)量條件諸多因素的影響,因此優(yōu)化測(cè)讀參數(shù)是至關(guān)重要的。測(cè)量參數(shù)和探測(cè)器的類型、規(guī)格等因素有關(guān),通常有廠家提供??紤]到所用讀出器的差別,用戶可參照廠家提供的測(cè)量參數(shù)適當(dāng)進(jìn)行調(diào)整,以保證探測(cè)器工作在較佳測(cè)量條件。其方法如下: 在某一加熱速率下測(cè)量讀出器的加熱曲線(圖1 曲線A),在同一條件下測(cè)量探測(cè)器的熱釋發(fā)光曲線(圖1 曲線B)。 圖1、探測(cè)器加熱及熱釋發(fā)光曲線 A:程序加熱曲線 B:熱釋發(fā)光曲線 圖中T1為預(yù)熱溫度;t1為預(yù)熱時(shí)間,該值應(yīng)選擇在低溫峰和劑量測(cè)定峰連接的較低處;T2為測(cè)量溫度;t2為測(cè)量時(shí)間,該值應(yīng)選擇在測(cè)定峰下降的較低處,并使測(cè)定峰呈對(duì)稱狀,t2 值不易太長(zhǎng)。表1示給出了幾種探測(cè)器的測(cè)量參數(shù)。表中V為加熱速率。 表1 CTLD系列熱釋光探測(cè)器測(cè)量參數(shù) 名 稱 型 號(hào) 測(cè) 量 參 數(shù) T1(℃) t1(s) T2(℃) t2(s) V(C.s-1) LiF:Mg,Ti CTLD-100 140 20 240 20 20 LiF:Mg,Ti-M CTLD-100M 140 20 240 20 20 LiF:Mg,Cu,P CTLD-1000 140 20 240 25 20 CaSO4:Dy聚四氟乙烯 CTLD-10 150 25 300 35 20 注:不同廠家推薦的測(cè)量參數(shù)有一定的差別。 2.2 退火 CTLD-1000型熱釋光探測(cè)器在使用前,要進(jìn)行退火處理,熱釋光探測(cè)器的退火分為照前和照后退火。照前退火目的是:(1)消除探測(cè)器的本底劑量和殘余劑量(測(cè)后或放置一段時(shí)間后殘余和產(chǎn)生的劑量);(2)恢復(fù)探測(cè)器的初始靈敏度,使深陷阱中的電子放出來(lái),以消除輻照敏化引起的靈敏度增高的現(xiàn)象;(3)恢復(fù)探測(cè)器發(fā)光曲線的形狀。照后低溫退火的目的是:消除低溫峰,減小低溫峰對(duì)測(cè)定峰的影響。提高測(cè)量精度,縮短測(cè)量周期。照后退火多用于大批量探測(cè)器的測(cè)量中。 熱釋光材料的靈敏度和發(fā)光曲線的形狀與退火的條件有關(guān)。不同類型的熱釋光探測(cè)器由于其發(fā)光曲線的不同,其退火條件不同,即使是同一類探測(cè)器,由于制備工藝的不同,其退火條件也有差異。 2.2.1 退火參數(shù) 表2 給出了幾種熱釋光探測(cè)器的退火條件。 表2、幾種熱釋光探測(cè)器熱處理?xiàng)l件 探 測(cè) 器 退 火 爐 讀 出 器 溫度(℃) 恒溫時(shí)間(min) 溫度(℃) 時(shí)間(s) LiF:Mg,Ti 400 60 400 30 100 120 LiF:Mg,Ti-M 290 30 290 30 LiF:Mg,Cu,P 240 30 240 30 CaSO4:Dy/Tm 380(400) 30(10) 400 30 CaF2 400 10 400 20 Mg2SiO4(Tb) 500 30 LiF:Mg,Ti(聚四氟乙烯) 300 60 300 30 100 120 注:不同廠家推薦的退火參數(shù)有所不同。 探測(cè)器退火時(shí),要嚴(yán)格控制退火溫度、恒溫時(shí)間、探測(cè)器的冷卻速率和退火溫度的均勻性。 在實(shí)際使用時(shí),需使用**熱釋光探測(cè)器退火爐對(duì)探測(cè)器進(jìn)行退火。其優(yōu)點(diǎn)是:能夠保證退火條件的均勻性和溫度的確性。使用烤箱退火時(shí),要使探測(cè)器和溫度計(jì)保持同一水平位置,并應(yīng)對(duì)這一位置的溫度進(jìn)行標(biāo)定。對(duì)小劑量照射的探測(cè)器,在探測(cè)器較少的情況下,也可采用在測(cè)量的過(guò)程中進(jìn)行退火。對(duì)退火溫度比較高的探測(cè)器不宜使用此方法。以免影響讀出器加熱系統(tǒng)的性能及使用壽命。采用讀出過(guò)程退火的效果比用**退火爐的效果要差一些。在探測(cè)器比較多的情況下,不宜采用這種方法。 2.2.2 冷卻速率的確定 探測(cè)器的退火冷卻速率對(duì)探測(cè)器的靈敏度、發(fā)光曲線的形狀和探測(cè)器的一致性等性能有影響。不同探測(cè)器受冷卻速率的影響程度有所不同。一般多使用速冷方式對(duì)探測(cè)器進(jìn)行退火冷卻。 2.2.3 退火托盤(pán)的選擇 用于放置探測(cè)器的托盤(pán)的材料對(duì)探測(cè)器的靈敏度有一定的影響,采用鋁和不銹鋼托盤(pán)的退火,效果是基本一致的。采用不銹鋼托盤(pán)退火,易使探測(cè)器變黃,其影響程度和退火溫度有密切關(guān)系;采用紫銅和陶瓷托盤(pán)退火,探測(cè)器的靈敏度比用鋁和不銹鋼托盤(pán)的靈敏度要低一些,紫銅托盤(pán)在高溫(400℃)下其表面易發(fā)生氧化。因此,紫銅托盤(pán)不能直接用于探測(cè)器的退火。以上結(jié)果表明,探測(cè)器退火托盤(pán)采用鋁合金材料較為合適。 2.3 探測(cè)器的篩選 同一批探測(cè)器在相同的退火、照射、測(cè)量條件下給出的一致性(均勻性)結(jié)果有一定程度的差別。衡量這一差別的指標(biāo)是探測(cè)器“分散性”,實(shí)際上是探測(cè)器的制作工藝、退火條件、照射、使用條件和測(cè)量?jī)x器等因素的誤差的綜合反映。 探測(cè)器的分散性和輻射劑量有一定的關(guān)系。篩選探測(cè)器時(shí),首先要確定輻射劑量。在輻射劑量小于10-3Gy時(shí),探測(cè)器分散性隨著劑量的減小而*增大;在輻射劑量為10-3Gy-1Gy劑量下,分散性和劑量基本無(wú)關(guān)。一般而言,輻射劑量的選擇要考慮到讀出器的靈敏度和探測(cè)器的靈敏度,使其在讀出器上的計(jì)數(shù)不要太小,一般在二三百個(gè)計(jì)數(shù)較為合適。在這一原則下,探測(cè)器的輻射劑量要盡可能的小一些。 探測(cè)器的分散性可根據(jù)不同測(cè)量要求確定。一般來(lái)講,對(duì)個(gè)人劑量監(jiān)測(cè)用的探測(cè)器,分散性按5-10%篩選是合理的。對(duì)一些特殊要求,如體內(nèi)劑量分布測(cè)量則要求探測(cè)器的分散性小于±2%。在實(shí)際測(cè)量時(shí),應(yīng)根據(jù)實(shí)驗(yàn)所要求的測(cè)量精度確定探測(cè)器分散性。探測(cè)器分散性通常用算術(shù)平均誤差或標(biāo)準(zhǔn)誤差的方法來(lái)表示。下面介紹一種用標(biāo)準(zhǔn)誤差篩選探測(cè)器的方法。 根據(jù)統(tǒng)計(jì)學(xué)原理,標(biāo)準(zhǔn)誤差σ與算術(shù)平均偏差δ的關(guān)系如下: σ=0.8δ (1) 根據(jù)式(1)確定探測(cè)器的篩選區(qū)間。其方法為從待選的探測(cè)器隨機(jī)抽取數(shù)個(gè),用這些探測(cè)器的平均讀數(shù)值(攽X敀)作為所有待測(cè)探測(cè)器的平均值,將讀出值在〔 (1-δ), (1+δ)〕區(qū)間內(nèi)的探測(cè)器錄用。當(dāng)δ值要求很小時(shí),錄用的數(shù)目占總數(shù)的比例也很小,這時(shí)可再按〔 (1+δ), (1+2δ)〕和〔 (1-2δ), (1-δ)〕,分2組錄用。下面舉一實(shí)例說(shuō)明: 將一批500個(gè)LiF:Mg,Ti-M探測(cè)器(CTLD-100M)按σ≤±5%分散性篩選。首先將探測(cè)器退火,在60Co源上照射一劑量,讀出后隨機(jī)抽取50個(gè)探測(cè)器的讀出值,求出平均值 =5943.9,按式(1)計(jì)算。當(dāng)σ≤±5% 時(shí),δ≤±6.3 則選片區(qū)間為〔5943.9(1-0.063),5943.9(1+0.063)〕,即 5592.4-6306.4,落在此區(qū)間的占96.4%,為了充分地利用探測(cè)器,可再定出5235.5-5592.4和6306.4-6663.3兩個(gè)區(qū)間,落在這兩個(gè)區(qū)間的分別占1.8% 和0.2%,余下的1.6% 因響應(yīng)過(guò)高或過(guò)低不予采用。 在CTLD-350型熱釋光劑量讀出器較穩(wěn)定時(shí),篩選探測(cè)器時(shí)也可采用隨機(jī)抽取幾個(gè)探測(cè)器測(cè)量,求出一平均值,計(jì)算出各篩選區(qū)間,對(duì)其進(jìn)行分組。 在探測(cè)器的性能實(shí)驗(yàn)中觀察到,探測(cè)器篩選分組后,再次測(cè)量時(shí)有的分散性**出原指標(biāo)。這種分散性的變化和探測(cè)器的劑量特性(靈敏度變化的一致性等)、讀出器的穩(wěn)定性、輻射場(chǎng)的劑量均勻性、探測(cè)器放置在加熱盤(pán)上的位置(采用電加熱方式測(cè)量的讀出器)及測(cè)量和退火條件等因素有關(guān),為了確保測(cè)量結(jié)果的可靠性要嚴(yán)格控制以上各個(gè)環(huán)節(jié)。
詞條
詞條說(shuō)明
CTLD-350型熱釋光劑量?jī)x測(cè)量的質(zhì)量控制
CTLD-350型熱釋光劑量?jī)x測(cè)量的質(zhì)量控制 [摘要] 討論了CTLD-350熱釋光劑量讀出器測(cè)量的質(zhì)量控制問(wèn)題。CTLD-350熱釋光劑量?jī)x中參考光源的光譜應(yīng)與光電倍增管道匹配,光學(xué)系統(tǒng)透射系數(shù)要高而穩(wěn)定,高壓須穩(wěn)定性高,加熱器與探測(cè)器要保持良好的熱接觸;探測(cè)器應(yīng)經(jīng)過(guò)篩選,嚴(yán)格控制退火條件,測(cè)量參數(shù)要優(yōu)化確定;劑量刻度源的輻射種類和能譜應(yīng)與所測(cè)量的盡量一致,并須按照國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的要求刻度,文中介
CTLD-350型熱釋光劑量?jī)x讀出器劑量刻度方法 北京瑞輻特輻射測(cè)量?jī)x器有限公司 概述:熱釋光探測(cè)器在讀出器上的讀數(shù)值是一相對(duì)值,該結(jié)果轉(zhuǎn)換成劑量值需進(jìn)行劑量刻度。這里所說(shuō)的劑量刻度是指要確定待刻度探測(cè)器、劑量計(jì)對(duì)一系列已知輻射值(或刻度標(biāo)準(zhǔn)值)的響應(yīng)或讀數(shù)。 刻度劑量計(jì)一般采用標(biāo)準(zhǔn)源或已知輻射場(chǎng)(如輻射場(chǎng)是未知的,可用基準(zhǔn)儀器,次級(jí)標(biāo)準(zhǔn)儀器或參考標(biāo)準(zhǔn)儀器測(cè)出輻射場(chǎng)中刻度處的劑量率) 來(lái)刻度。對(duì)
CTLD-250熱釋光劑量?jī)x系統(tǒng)相對(duì)靈敏度的實(shí)驗(yàn)
CTLD-250熱釋光劑量?jī)x系統(tǒng)相對(duì)靈敏度的實(shí)驗(yàn) (北京瑞輻特輻射測(cè)量?jī)x器有限公司) 1、相對(duì)靈敏度 相對(duì)靈敏度是評(píng)價(jià)熱釋光劑量?jī)x系統(tǒng)和熱釋光探測(cè)器的一個(gè)重要指標(biāo)。在實(shí)際使用中,通常是在熱釋光讀出器某一工作狀態(tài)下對(duì)探測(cè)器進(jìn)行測(cè)量,給出特定條件下的刻度系數(shù)表示其靈敏度。這里所說(shuō)的相對(duì)靈敏度是相對(duì)TLD-100(LiF:Mg,Ti)探測(cè)器而言。 表1、2給出了幾種熱釋光探測(cè)器單位面積、重量的相對(duì)靈敏
CTLD-1000熱釋光劑量片殘余劑量的評(píng)估 (北京瑞輻特輻射測(cè)量?jī)x器有限公司) 1、 殘余劑量 殘余劑量是評(píng)價(jià)熱釋光劑量片性能的一個(gè)重要指標(biāo)。GB/T10264-2014個(gè)人和環(huán)境監(jiān)測(cè)用熱釋光劑量測(cè)量系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)未專門(mén)對(duì)探測(cè)器殘余劑量性能作出了規(guī)定,本實(shí)驗(yàn)參照標(biāo)準(zhǔn)對(duì)劑量計(jì)殘余劑量的性能要求進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。標(biāo)準(zhǔn)要求給出對(duì)探測(cè)閾和響應(yīng)的影響性能。 a.對(duì)探測(cè)閾的影響 準(zhǔn)備、輻照并讀出10個(gè)探測(cè)器,輻照的劑
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