失效分析樣品準備: 失效分析 趙工?半導體元器件失效分析可靠性測試?1月6日 失效分析樣品準備: 失效分析是芯片測試重要環(huán)節(jié),無論對于量產(chǎn)樣品還是設計環(huán)節(jié)亦或是客退品,失效分析可以幫助降低成本,縮短周期。 常見的失效分析方法有Decap,X-RAY,IV,EMMI,F(xiàn)IB,SEM,EDX,Probe,OM,RIE等,因為失效分析設備昂貴,大部分需求單位配不了或配不齊需要的設備,因此借用外力,使用對外開放的資源,來完成自己的分析也是一種很好的選擇。我們選擇去外面測試時需要準備的信息有哪些呢?下面為大家整理一下: 一、decap:寫清樣品尺寸,數(shù)量,封裝形式,材質(zhì),開封要求(若在pcb板上,較好提前拆下,pcb板子面較大有突起,會影響對芯片的保護)后續(xù)試驗。 1.IC開封(正面/背面) QFP, QFN, SOT,TO, DIP,BGA,COB等 2.樣品減?。ㄌ沾?,金屬除外) 3.激光打標 4.芯片開封(正面/背面) 5.IC蝕刻,塑封體去除 二、X-RAY:寫清樣品尺寸,數(shù)量,材質(zhì)(密度大的可以看到,密度小的直接穿透),重點觀察區(qū)域,精度。 1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板 2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況 3.觀測芯片crack、點膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝 缺陷,以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷 三、IV:寫清管腳數(shù)量,封裝形式,加電方式,電壓電流限制范圍。實驗人員需要提前確認搭建適合的分析環(huán)境,若樣品不適合就不用白跑一趟了。 1.Open/Short Test 2.I/V Curve Analysis 3.Idd Measuring 4.Powered Leakage(漏電)Test 四、EMMI:寫清樣品加電方式,電壓電流,是否是裸die,是否已經(jīng)開封,特殊要求等,EMMI是加電測試,可以連接各種源表,確認加電要求,若實驗室沒有適合的源表,可以自帶,避免做無用功。 1.P-N接面漏電;P-N接面崩潰 2.飽和區(qū)晶體管的熱電子 3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā) 4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、 Hot Carriers Effect、ESD等問題 五、FIB:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺1-3cm左右,太大的樣品放不進去,也影像定位,導電性好的樣品分析較快,導電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。切點觀察的,標清切點要求。切線連線寫清方案,發(fā)定位文件。 1.芯片電路修改和布局驗證 2.Cross-Section截面分析 3.Probing Pad 4.**切割 六、SEM:寫清樣品尺寸,材質(zhì),導電性是否良好,若尺寸較大需要事先裁剪。一般樣品臺1-3cm左右,太大的樣品放不進去,也影像定位,導電性好的樣品分析較快,導電性不好的,需要輔助措施才能較好的分析。 1.材料表面形貌分析,微區(qū)形貌觀察 2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4.納米尺寸量測及標示 七、EDX:寫清樣品尺寸,材質(zhì),EDX是定性分析,能看到樣品的材質(zhì)和大概比例,適合金屬元素分析。 1.微區(qū)成分定性分析 八、Probe:寫清樣品測試環(huán)境要求,需要搭配什么源表,使用什么探針,一般有硬針和軟針,軟針較細,不易對樣品造成二次損傷。 1.微小連接點信號引出 2.失效分析失效確認 3.FIB電路修改后電學特性確認 4.晶圓可靠性驗證 九、OM:寫清樣品情況,對放大倍率要求。OM屬于表面觀察,看不到內(nèi)部情況。 1.樣品外觀、形貌檢測 2.制備樣片的金相顯微分析 3.各種缺陷的查找 4.晶體管點焊、檢查 十、RIE:寫清樣品材質(zhì),需要看到的區(qū)域。 1.用于對使用氟基化學的材料進行各向同性和各向異性蝕刻,其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢 2.器件表面圖形的刻蝕?
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如何確認顯微鏡的放大倍率 很多實驗室都在使用顯微鏡,但對顯微鏡的相關(guān)專業(yè)知識并不了解,只是知道怎么去操作,但對于一些基本常識可能都不怎么清楚,那么今天我們就來講講有關(guān)顯微鏡的放大倍率是如何計算的? 也許有人會說這不是很簡單的問題嘛,但實際還是有點小復雜的。 首先我們來舉個例子來說:當體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍,變倍體變倍范圍是:0.7X-4.5X,附加物鏡為:2X。那它的光學放大倍率為:10乘0
透視半導體測試設備:芯片良率的捍衛(wèi)者 從兩起并購說起 2018年3月,美國半導體設備制造商KLA-Tencor花34億美元現(xiàn)金加股票鯨吞了以色列半導體設備制造商奧寶科技。 無*有偶,兩個月后,先前向美國外國投資**(CFIUS)打小報告的美國半導體企業(yè)科休(Cohu)宣布將以7.96億美元現(xiàn)金加股票收購Xcerra。 這兩起并購都發(fā)生在半導體測試設備領域,引起了各方的高度關(guān)注。本次就讓我們窺探半
常用顯微鏡介紹顯微鏡分析檢測 一、顯微鏡分析檢測簡介: 顯微鏡是我們實驗室較常用的分析設備,成本低,操作簡單,成像清晰。反饋的是樣品的原貌。通常顯微鏡是用來做外觀的檢測和圖片留存。 外觀檢查就是目測或利用一些簡單儀器,如立體顯微鏡、金相顯微鏡甚至放大鏡等工具檢查樣品的外觀,尋找失效的部位和相關(guān)的物證,主要的作用就是失效定位和初步判斷樣品的失效模式。比如檢測一個PCB樣品,外觀檢查主要檢查PCB的污
微量元素含量測試方法 近年來,元素含量測試儀器發(fā)展十分*,常見的測試儀器有原子反射光譜法(AES)、原子吸收光譜法(AAS)、X射線熒光光譜法(XRF)、電感耦合等離子體原子**光譜(ICP-AES)和質(zhì)譜(ICP-MS)等,由于各個儀器的技術(shù)方法存在局限性,如何對待測元素“量體裁衣”尤為重要。下面主要從元素含量測試儀器原理、適用范圍兩個方面作簡要介紹。 1.原子**光譜(AES) 原子**光譜
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