一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH,甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識(shí)。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù),是早年日本NEC發(fā)明并申請(qǐng)了專li。它的原理是:給IC加上電壓,使其內(nèi)部有微小電流流過,同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí),對(duì)微小電流進(jìn)行監(jiān)測(cè),當(dāng)激光掃到某個(gè)位置,電流發(fā)生較大變化,設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記,也就是說這個(gè)位置即為失效點(diǎn)。 TIVA是美國(guó)人和NEC同期發(fā)明的專li,和OBIRCH同等的技術(shù),現(xiàn)在美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)一直在用。TIVA的原理是:給IC加上一個(gè)微小電流流過,同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。激光掃描的同時(shí),對(duì)IC兩端電壓進(jìn)行監(jiān)測(cè),當(dāng)激光掃到某個(gè)位置,電壓發(fā)生較大變化,設(shè)備對(duì)這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記,也就是說這個(gè)位置即為失效點(diǎn)。 OBIRCH是加電壓監(jiān)測(cè)電流變化,TIVA是加電流監(jiān)測(cè)電壓變化??傊磻?yīng)出來的都是IC內(nèi)部阻抗的變化。簡(jiǎn)單講就是激光掃描到某點(diǎn)引起了阻抗的明顯變化,這個(gè)位置就是失效點(diǎn)。新加坡也有一種技術(shù)叫VBA(加電壓監(jiān)測(cè)電壓變化)也是同理。 再次提醒各位,OBIRCH、TIVA、VBA都不是設(shè)備名稱,只是一種技術(shù)而已。這臺(tái)設(shè)備的準(zhǔn)確名稱叫激光誘導(dǎo)定位系統(tǒng)。
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典型失效分析流程失效分析 一、失效分析簡(jiǎn)述 失效分析是一門新興發(fā)展中的學(xué)科,在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。 二、開展失效分析的意義 失效分析對(duì)產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義,失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個(gè)階段,涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來料檢驗(yàn)、加工組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié),通過分析工藝廢次品、早期失效、試驗(yàn)失效、中試失效以及現(xiàn)場(chǎng)失效的樣
芯片的前世今生 莊子有言:“一日之錘日取其半,萬世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半,明天取其一半的一半,后天再取其一半的一半的一半,總有一半留下,所以永遠(yuǎn)也取不盡,這體現(xiàn)了物質(zhì)是無限可分的思想。魏少軍教授講到,半導(dǎo)體和芯片的發(fā)展,恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小,而且縮小的過程到現(xiàn)在為止還沒有停止。 但是,縮小過程當(dāng)中必須按照某種規(guī)則來進(jìn)行,也就是要按照規(guī)矩,沒有規(guī)矩,那就不能成方
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