電子元器件失效分析方法經(jīng)驗

時間：2020-07-10作者：儀準科技（北京）有限公司瀏覽：116

失效分析常用方法匯總
芯片在設(shè)計生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。
這里根據(jù)北軟檢測失效分析實驗室經(jīng)驗，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。
一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無損檢查:
檢測內(nèi)容包含：
1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 
2.內(nèi)部裂紋 
3.分層缺陷 
4.空洞、氣泡、空隙等。
二、 X－Ray（X光檢測），屬于無損檢查:
X-Ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊，在撞擊過程中，因電子突然減速，其損失的動能會以X-Ray形式放出。而對于樣品無法以外觀方式觀測的位置，利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強度的變化，產(chǎn)生的對比效果可形成影像，即可顯示出待測物的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，進而可在不破壞待測物的情況下觀察待測物內(nèi)部有問題的區(qū)域。

檢測內(nèi)容包含：
1.觀測DIP、SOP、QFP、QFN、BGA、Flipchip等不同封裝的半導體、電阻、電容等電子元器件以及小型PCB印刷電路板
2.觀測器件內(nèi)部芯片大小、數(shù)量、疊die、綁線情況
3.觀測芯片crack、點膠不均、斷線、搭線、內(nèi)部氣泡等封裝缺陷，以及焊錫球冷焊、虛焊等焊接缺陷
三、SEM掃描電鏡/EDX能量彌散X光儀（材料結(jié)構(gòu)分析/缺陷觀察，元素組成常規(guī)微區(qū)分析，精確測量元器件尺寸）, 
SEM/EDX（形貌觀測、成分分析）掃描電鏡（SEM）可直接利用樣品表面材料的物質(zhì)性能進行微觀成像。EDX是借助于分析試樣發(fā)出的元素特征X射線波長和強度實現(xiàn)的，根據(jù)不同元素特征X射線波長的不同來測定試樣所含的元素。通過對比不同元素譜線的強度可以測定試樣中元素的含量。通常EDX結(jié)合電子顯微鏡（SEM）使用，可以對樣品進行微區(qū)成分分析。
檢測內(nèi)容包含：
1.材料表面形貌分析，微區(qū)形貌觀察  
2.材料形狀、大小、表面、斷面、粒徑分布分析 
3.薄膜樣品表面形貌觀察、薄膜粗糙度及膜厚分析
4.納米尺寸量測及標示
5.微區(qū)成分定性及定量分析
四、EMMI微光顯微鏡。對于故障分析而言，微光顯微鏡（Emission Microscope, EMMI）是一種相當有用且效率較高的分析工具。主要偵測IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中，EHP（Electron Hole Pairs）Recombination會放出光子（Photon）。如在P-N結(jié)加偏壓，此時N阱的電子很*擴散到P阱，而P的空穴也*擴散至N，然后與P端的空穴（或N端的電子）做EHP Recombination。
檢測內(nèi)容包含：
1.P-N接面漏電；P-N接面崩潰
2.飽和區(qū)晶體管的熱電子
3.氧化層漏電流產(chǎn)生的光子激發(fā)
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等問題
五、 FIB 線路修改，切線連線，切點觀測，TEM制樣，精密厚度測量等
FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強電流離子束對表面原子進行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。
檢測內(nèi)容包含：
1.芯片電路修改和布局驗證              
2.Cross-Section截面分析                
3.Probing Pad                                 
4.**切割   
六、 Probe Station 探針臺/Probing Test 探針測試，探針臺主要應(yīng)用于半導體行業(yè)、光電行業(yè)。針對集成電路以及封裝的測試。 廣泛應(yīng)用于復雜、高速器件的精密電氣測量的研發(fā)，旨在確保質(zhì)量及可靠性，并縮減研發(fā)時間和器件制造工藝的成本。
檢測內(nèi)容包含：
1.微小連接點信號引出  
2.失效分析失效確認
3.FIB電路修改后電學特性確認
4.晶圓可靠性驗證
ESD/Latch-up靜電放電/閂鎖效用測試（有些客戶是在芯片流入客戶端之前就進行這兩項可靠度測試，有些客戶是失效發(fā)生后才想到要篩取良片送驗）這些已經(jīng)提到了多數(shù)常用手段。失效分析前還有一些必要的樣品處理過程。
七、 取die,decap（開封，開帽）,研磨,去金球 De-gold bump,去層,染色等，有些也需要相應(yīng)的儀器機臺，SEM可以查看die表面，SAM以及X－Ray觀察封裝內(nèi)部情況以及分層失效。Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損，保持 die，bond pads，bond wires乃至lead-frame不受損傷，為下一步芯片失效分析實驗做準備，方便觀察或做其他測試（如FIB，EMMI）， Decap后功能正常。
檢測內(nèi)容包含：
1.IC開封（正面/背面） QFP， QFN， SOT，TO， DIP，BGA，COB等
2.樣品減?。ㄌ沾?，金屬除外）
3.激光打標
八、Acid Decap，又叫化學開封，是用化學的方法，即濃硫酸及發(fā)煙硝酸將塑封料去除的設(shè)備。通過用酸腐蝕芯片表面覆蓋的塑料能夠暴露出任何一種塑料IC封裝內(nèi)的芯片。去除塑料的過程又快又安全，并且產(chǎn)生干凈無腐蝕的芯片表面。
檢測內(nèi)容包含：
1.芯片開封（正面/背面）  
2.IC蝕刻，塑封體去除
九、RIE是干蝕刻的一種，這種蝕刻的原理是，當在平板電極之間施加10～100MHZ的高頻電壓（RF，radio frequency）時會產(chǎn)生數(shù)百微米厚的離子層（ion sheath），在其中放入試樣，離子高速撞擊試樣而完成化學反應(yīng)蝕刻，此即為RIE（Reactive Ion Etching）。
檢測內(nèi)容包含：
1.用于對使用氟基化學的材料進行各向同性和各向異性蝕刻，其中包括碳、環(huán)氧樹脂、石墨、銦、鉬、氮氧化物、光阻劑、聚酰亞胺、石英、硅、氧化物、氮化物、鉭、氮化鉭、氮化鈦、鎢鈦以及鎢                 
2.器件表面圖形的刻蝕
十、研磨機，適用于高精微（光鏡，SEM，TEM，AFM，ETC）樣品的半自動準備加工研磨拋光，模塊化制備研磨，平行拋光，精確角拋光，定址拋光或幾種方式結(jié)合拋光。
檢測內(nèi)容包含：
1.斷面精細研磨及拋光  
2.芯片工藝分析
3.失效點的查找         
十一、切割機，可以預置程序定位切割不同尺寸的各種材料，可以高速自動切割材料，提高樣品生產(chǎn)量。其微處理系統(tǒng)可以根據(jù)材料的材質(zhì)、厚度等調(diào)整步進電動機的切割距離、力度、樣品輸入比率和自動進刀比率。
檢測內(nèi)容包含：
1.通過樣品冷埋注塑獲得樣品的標準切面  
2.小型樣品的精密切割
                                           
十二、金相顯微鏡，可用來進行器件外觀及失效部位的表面形狀，尺寸，結(jié)構(gòu)，缺陷等觀察。金相顯微鏡系統(tǒng)是將傳統(tǒng)的光學顯微鏡與計算機（數(shù)碼相機）通過光電轉(zhuǎn)換**的結(jié)合在一起，不僅可以在目鏡上作顯微觀察，還能在計算機（數(shù)碼相機）顯示屏幕上觀察實時動態(tài)圖像，電腦型金相顯微鏡并能將所需要的圖片進行編輯、保存和打印。
檢測內(nèi)容包含：
1.樣品外觀、形貌檢測  
2.制備樣片的金相顯微分析
3.各種缺陷的查找
十三、體視顯微鏡，亦稱實體顯微鏡或解剖鏡。是一種具有正像立體感的目視儀器，從不同角度觀察物體，使雙眼引起立體感覺的雙目顯微鏡。對觀察體*加工制作，直接放入鏡頭下配合照明即可觀察，成像是直立的，便于操作和解剖。視場直徑大，但觀察物要求放大倍率在200倍以下。
檢測內(nèi)容包含：
1.樣品外觀、形貌檢測  
2.制備樣片的觀察分析
3.封裝開帽后的檢查分析
4.晶體管點焊、檢查
十四、IV自動曲線量測儀，驗證及量測半導體電子組件的電性、參數(shù)及特性。比如電壓-電流。集成電路失效分析流程中，I/V Curve的量測往往是非破壞分析的第二步（外觀檢查排在第一步），可見Curve量測的重要性。
檢測內(nèi)容包含：
1.Open/Short Test  
2.I/V Curve Analysis
3.Idd Measuring
4.Powered Leakage（漏電）Test
十五、高低溫試驗箱箱，適用于工業(yè)產(chǎn)品高溫、低溫的可靠性試驗。對電子電工、汽車電子、航空航天、船舶兵器、高等院校、科研單位等相關(guān)產(chǎn)品的零部件及材料在高溫、低溫（交變）循環(huán)變化的情況下，檢驗其各項性能指標。
檢測內(nèi)容包含：
1.高溫儲存  
2.低溫儲存
3.溫濕度儲存
北軟檢測智能產(chǎn)品檢測實驗室，能夠依據(jù)**、國內(nèi)和行業(yè)標準實施檢測工作，開展從底層芯片到實際產(chǎn)品，從物理到邏輯全面的檢測工作，提供芯片預處理、側(cè)信道攻擊、光攻擊、侵入式攻擊、環(huán)境、電壓毛刺攻擊、電磁注入、放射線注入、物理安全、邏輯安全、功能、兼容性和多點激光注入等安全檢測服務(wù)，同時可開展模擬重現(xiàn)智能產(chǎn)品失效的現(xiàn)象，找出失效原因的失效分析檢測服務(wù)，主要包括點針工作站（Probe Station）、反應(yīng)離子刻蝕（RIE）、微漏電偵測系統(tǒng)（EMMI）、X-Ray檢測，缺陷切割觀察系統(tǒng)（FIB系統(tǒng)）等檢測試驗。實現(xiàn)對智能產(chǎn)品質(zhì)量的評估及分析，為智能裝備產(chǎn)品的芯片、嵌入式軟件以及應(yīng)用提供質(zhì)量保證。


儀準科技（北京）有限公司專注于手動探針臺,probe,station等

• 詞條

  詞條說明

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標 一、技術(shù)指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離

• 芯片開封技術(shù)介紹decap

  開封, 即開蓋/開帽, 指去除ic封膠, 同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-frame不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準備. 去封范圍：* 普通封裝* COB、BGA * 陶瓷、金屬等其它特殊封裝 芯片開封機介紹： 美國RKD生產(chǎn)的RKD 酸開封機是一臺自動混酸開封機，通過整合了***的特點使得它可以獲得較高的產(chǎn)能。新開封機

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  如何確認顯微鏡的放大倍率 很多實驗室都在使用顯微鏡，但對顯微鏡的相關(guān)專業(yè)知識并不了解，只是知道怎么去操作，但對于一些基本常識可能都不怎么清楚，那么今天我們就來講講有關(guān)顯微鏡的放大倍率是如何計算的？ 也許有人會說這不是很簡單的問題嘛，但實際還是有點小復雜的。 首先我們來舉個例子來說：當體視顯微鏡目鏡的倍率為10倍，變倍體變倍范圍是：0.7X-4.5X，附加物鏡為：2X。那它的光學放大倍率為：10乘0