KRI 離子源應用于車載AR-HUD 鍍膜

     

    HUD 已經成為一種常見的汽車配置與功能, 通過它來直觀顯示速度、發(fā)動機轉速或其他懸停在駕駛員視野中的信息, 減少因低頭查看儀表盤而造成的分心, 提升駕駛. 目前量產的車用抬頭顯示 HUD 正在從風擋型 W-HUD 逐漸向增強現(xiàn)實型的 AR-HUD 發(fā)展:從單純的信息展示屏幕, 變成了具有在實際路況位置產生警示符號的增強現(xiàn)實(AR) 效果.

     

    W-HUD/AR-HUD 一直都依賴光學凹面鏡成像原理實現(xiàn)距離與視覺尺寸的放大, AR-HUD大的技術挑戰(zhàn)在于:高放大倍率所衍生的高倍率畸變差暈眩問題與太陽光倒灌燒毀光機的問題. 要使用越小的體積產生同樣的長虛像距離 (VID) 距離, 放大倍率就得越大. 放大倍率越大, 陽光倒灌與暈畸變差眩就越嚴重. 防陽光倒灌濾光片可通過 RGB 窄帶濾光片來實現(xiàn). 濾光片可實現(xiàn)可見光波段的高透過率, 同時截止近紅外和紫外波段, 獲得高的亮度測量靈敏度和動態(tài)范圍.

     

    KRi 離子源應用于車載AR-HUD 鍍膜

     

    上海伯東某客戶使用的鍍膜設備, 配備美國 KRI 射頻離子源輔助鍍膜通過測驗, 得到具有高透過率、高匹配精度、膜層致密度和牢固度, 高低溫變化波長不漂移, 惡劣環(huán)境下耐久性良好的 RGB 窄帶濾光片, 上海伯東為車載AR-HUD TFT 防陽光倒灌提供了鍍膜解決方案.

     

     

    上海伯東美國 KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過柵控制離子束的能量和方向, 單次工藝時間長! 射頻源 RF 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應器, 中和器, 自動控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

     

    射頻離子源 RFICP 系列技術參數(shù):

    型號

    RFICP 40

    RFICP 100

    RFICP 140

    RFICP 220

    RFICP 380

    Discharge 陽

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    RF 射頻

    離子束流

    >100 mA

    >350 mA

    >600 mA

    >800 mA

    >1500 mA

    離子動能

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    100-1200 V

    柵直徑

    4 cm Φ

    10 cm Φ

    14 cm Φ

    22 cm Φ

    38 cm Φ

    離子束

    聚焦, 平行, 散射

     

    流量

    3-10 sccm

    5-30 sccm

    5-30 sccm

    10-40 sccm

    15-50 sccm

    通氣

    Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

    典型壓力

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    < 0.5m Torr

    長度

    12.7 cm

    23.5 cm

    24.6 cm

    30 cm

    39 cm

    直徑

    13.5 cm

    19.1 cm

    24.6 cm

    41 cm

    59 cm

    中和器

    LFN 2000

     

    上海伯東同時提供真空系統(tǒng)所需的渦輪分子泵, 真空規(guī), 高真空插板閥等產品, 協(xié)助客戶生產研發(fā)高質量的真空系統(tǒng).
    1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域.
     

     

     

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    上海伯東: 羅小姐


    伯東企業(yè)(上海)有限公司專注于pfeiffer,氦質譜檢漏儀,inTEST等

  • 詞條

    詞條說明

  • 美國 KRi 霍爾離子源輔助鍍膜 IBAD 應用

    上海伯東美國?KRi 霍爾離子源?EH 系列, 提供高電流低能量寬束型離子束, KRi?霍爾離子源可以以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導體應用.?霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設計提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護, 安裝于各類真空設備中, 例如 e-beam 電子束鍍膜機, lo

  • 殘余氣體分析儀應用于高溫真空爐, 實現(xiàn)質量保證和過程優(yōu)化

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  • HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機

    因產品配置不同,價格貨期需要電議,圖片僅供參考,一切以實際成交合同為準。HVA 高真空閘閥應用于 E-Beam 鍍膜機E-Beam 電子束蒸發(fā)鍍膜機用于在半導體, 光學, **導材料等行業(yè)的研究與生產, 比如基片蒸發(fā)沉積金屬, 導電薄膜, 半導體薄膜, 鐵電薄膜, 光學薄膜和介質材料.E-Beam 鍍膜機設備組成:?系統(tǒng)主要由蒸發(fā)室, 電子, 進樣室 (可選) , 旋轉基片加熱臺, 工作氣

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