STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

時間：2017-05-19作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：60

STW3N150 型號	STW3N150 品牌	STW3N150 封裝	STW3N150 批號	STW3N150 備注
STW3N150 	ST意法	TO-247	2016+	原裝**現(xiàn)貨
STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管
STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝
STW3N150規(guī)格書
STW3N150圖片

STW3N150產(chǎn)品特點

100％的雪崩測試
固有電容和Qg較小化
高速開關(guān)
完全隔離的TO- 3PF塑料包裝
 
爬電距離路徑為5.4毫米（典型值）的TO-3PF
STW3N150應(yīng)用
 
 
切換應(yīng)用程序
 
STW3N150一般信息
 
數(shù)據(jù)列表	STx3N150;
標(biāo)準(zhǔn)包裝	30
包裝	管件
類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族	晶體管 - FET，MOSFET - 單
系列	PowerMESH??
規(guī)格
FET 類型	N 溝道
技術(shù)	MOSFET（金屬氧化物）
漏源較電壓（Vdss）	1500V（1.5kV）
電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時）	2.5A（Tc）
驅(qū)動電壓（較大 Rds On，較小 Rds On）	10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（較大值）	5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵較電荷 （Qg）（較大值）	29.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（較大值）	939pF @ 25V
Vgs（較大值）	±30V
FET 功能	-
功率耗散（較大值）	140W（Tc）
不同 Id，Vgs 時的 Rds On（較大值）	9 歐姆 @ 1.3A，10V
工作溫度	150°C（TJ）
安裝類型	通孔
封裝	TO-247-3
封裝/外殼	TO-247-3
STW3N150產(chǎn)品概述

本產(chǎn)品網(wǎng)址/STW3N150/543723.html
 
聯(lián)系方式：
公司：深圳市雅迪斯電子有限公司
聯(lián)系人：吳生/妙霞
電話：0755-23946783
手機：13760228090/13537618517
傳真：0755-88600656
企業(yè)QQ：2881724888/2881724881


深圳市雅迪斯電子有限公司專注于MOS管,集成電路IC,電源管理IC,二三極管,二極管,三極管等

• 詞條

  詞條說明

• BU406/FAIRCHILD仙童/TO-220/NPN晶體管

  BU406產(chǎn)品概述 BU406 是一款400V 7A硅外延平面NPN晶體管。 BU406 設(shè)計用于高速開關(guān)應(yīng)用，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝，提供設(shè)計靈活性以及出色的功耗性能。 BU406產(chǎn)品特性 高電壓能力 高開關(guān)速度 低飽和電壓 BU406產(chǎn)品應(yīng)用 電視和CRT的水平偏轉(zhuǎn) FQD3P50 仙童 Fairchild TO-252 FQD4P40 仙童 Fairchild TO-252 FCD3

• STP11NK40ZFP/P11NK40ZFP/400V/10/30W/功率MOSFET

  STP11NK40ZFP產(chǎn)品技術(shù)參數(shù) 數(shù)據(jù)列表 STP11NK40ZFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝 50 包裝 管件 類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單 系列 SuperMESH?? 規(guī)格 FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能 標(biāo)準(zhǔn) 漏源較電壓（Vdss） 400V 電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時） 9A（Tc） 不同 Id，Vgs 時的 R

• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

  HGTG5N120BND產(chǎn)品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設(shè)計。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開關(guān)應(yīng)用，如：UPS、光伏逆變器、電機控制以及電源。 HGTG5N120BND產(chǎn)品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降時間。. . . .

• STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

  STW3N150 型號 STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號 STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現(xiàn)貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150