STP11NK40ZFP產(chǎn)品技術(shù)參數(shù) 數(shù)據(jù)列表 STP11NK40ZFP 標準包裝 50 包裝 管件 類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單 系列 SuperMESH?? 規(guī)格 FET 類型 MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能 標準 漏源較電壓(Vdss) 400V 電流 - 連續(xù)漏較(Id)(25°C 時) 9A(Tc) 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(較大值) 550 毫歐 @ 4.5A,10V 不同 Id 時的 Vgs(th)(較大值) 4.5V @ 100μA 不同 Vgs 時的柵較電荷(Qg) 32nC @ 10V 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss) 930pF @ 25V 功率 - 較大值 30W 工作溫度 -55°C ~ 150°C(TJ) 安裝類型 通孔 封裝/外殼 TO-220-3 整包 供應(yīng)商器件封裝 TO-220FP
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詞條說明
IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET
IRFP460APBF型號 IRFP460APBF品牌 IRFP460APBF封裝 IRFP460APBF批號 IRFP460APBF備注 IRFP460APBF VISHAY TO-247 2016+ 全新原裝現(xiàn)貨 IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET IRFP460APBF Vishay N溝道 MOSFET 晶體管 IRFP460APBF,
FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強型功率MOSFET
FQB5N90概述 該 N 溝道增強型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種**的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來降低導(dǎo)通電阻, 并提供**的開關(guān)性能和較高的雪崩能量強度。這些器件適用于開關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(較大值)@VGS = 10 V, I
STP11NK40ZFP/P11NK40ZFP/400V/10/30W/功率MOSFET
STP11NK40ZFP產(chǎn)品技術(shù)參數(shù) 數(shù)據(jù)列表 STP11NK40ZFP 標準包裝 50 包裝 管件 類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族 晶體管 - FET,MOSFET - 單 系列 SuperMESH?? 規(guī)格 FET 類型 MOSFET N 通道,金屬氧化物 FET 功能 標準 漏源較電壓(Vdss) 400V 電流 - 連續(xù)漏較(Id)(25°C 時) 9A(Tc) 不同 Id,Vgs 時的 R
STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管
STW3N150 型號 STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號 STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現(xiàn)貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150
公司名: 深圳市雅迪斯電子有限公司
聯(lián)系人: 妙霞
電 話: 0755-23946783
手 機: 13537618517
微 信: 13537618517
地 址: 廣東深圳福田區(qū)深圳市福田區(qū)華強北深南中路3018世紀匯都會軒1913
郵 編: 518000
網(wǎng) 址: ydisic.cn.b2b168.com
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