IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET

    IRFP460APBF型號(hào)	IRFP460APBF品牌	IRFP460APBF封裝	IRFP460APBF批號(hào)	IRFP460APBF備注
    IRFP460APBF	VISHAY	TO-247	2016+	全新原裝現(xiàn)貨
    IRFP460APBF VISHAY 500V/20A TO-247 功率MOSFET
    IRFP460APBF Vishay N溝道 MOSFET 晶體管 IRFP460APBF, 20 A, Vds=500 V, 3針 TO-247AC封裝
    IRFP460APBF規(guī)格書
    IRFP460APBF圖片
    
    IRFP460APBF特性
    ?低閘較電荷路上導(dǎo)致簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)要求
    ?改善門,雪崩和動(dòng)態(tài)dV / dt強(qiáng)度
    ?完全具有電容和雪崩電壓和電流
    ?有效輸出電容*
    ?符合RoHS指令2002/95 / EC
    IRFP460APBF應(yīng)用
    ?開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)
    ?不間斷電源
    ?高速功率切換
    典型SMPS拓?fù)?
    =全橋
    ? PFC升壓
    IRFP460APBF一般信息
    數(shù)據(jù)列表	IRFP460A;
    標(biāo)準(zhǔn)包裝	500
    包裝	管件 
    類別	分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
    產(chǎn)品族	晶體管 - FET,MOSFET - 單
    系列	-
    其它名稱	*IRFP460A 
    
    規(guī)格
    FET 類型	N 溝道
    技術(shù)	MOSFET(金屬氧化物)
    漏源較電壓(Vdss)	500V
    電流 - 連續(xù)漏較(Id)(25°C 時(shí))	20A(Tc)
    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(較大值)	4V @ 250μA
    不同 Vgs 時(shí)的柵較電荷 (Qg)(較大值)	105nC @ 10V
    不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(較大值)	3100pF @ 25V
    FET 功能	-
    功率耗散(較大值)	280W(Tc)
    不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(較大值)	270 毫歐 @ 12A,10V
    工作溫度	-55°C ~ 150°C(TJ)
    安裝類型	通孔
    供應(yīng)商器件封裝	TO-247-3
    封裝/外殼	TO-247-3

    深圳市雅迪斯電子有限公司專注于MOS管,集成電路IC,電源管理IC,二三極管,二極管,三極管等

  • 詞條

    詞條說(shuō)明

  • FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

    FQB5N90概述 該 N 溝道增強(qiáng)型功率 MOSFET 產(chǎn)品采用飛兆半導(dǎo)體的專有平面條形和 DMOS 技術(shù)生產(chǎn)。 這種**的 MOSFET 技術(shù)已專門定制用來(lái)降低導(dǎo)通電阻, 并提供**的開(kāi)關(guān)性能和較高的雪崩能量強(qiáng)度。這些器件適用于開(kāi)關(guān)電源、有源功率因數(shù)校正(PFC)及照明燈電子鎮(zhèn)流器。 FQB5N90特性 5.4A, 900V, RDS(on) = 2.3Ω(較大值)@VGS = 10 V, I

  • BU406/FAIRCHILD仙童/TO-220/NPN晶體管

    BU406產(chǎn)品概述 BU406 是一款400V 7A硅外延平面NPN晶體管。 BU406 設(shè)計(jì)用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用,采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝,提供設(shè)計(jì)靈活性以及出色的功耗性能。 BU406產(chǎn)品特性 高電壓能力 高開(kāi)關(guān)速度 低飽和電壓 BU406產(chǎn)品應(yīng)用 電視和CRT的水平偏轉(zhuǎn) FQD3P50 仙童 Fairchild TO-252 FQD4P40 仙童 Fairchild TO-252 FCD3

  • HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

    HGTG5N120BND產(chǎn)品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通(NPT)IGBT 設(shè)計(jì)。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等,而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用,如:UPS、光伏逆變器、電機(jī)控制以及電源。 HGTG5N120BND產(chǎn)品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓:V CE(sat) = 2.45 V,需 I C = 5 A 典型下降時(shí)間。. . . .

  • STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

    STW3N150 型號(hào) STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號(hào) STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現(xiàn)貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150

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