4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品額定電流為250A至1200A

時(shí)間：2020-11-24作者：蘇州徳昇锘電子科技有限公司瀏覽：373

4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品支持不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的IGBT模塊，額定電流為250A至1200A
 
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品采用新型外殼封裝的大功率IGBT模塊設(shè)計(jì)旨在覆蓋3.3kV到6.5kV的全電壓范圍。新型封裝的產(chǎn)品預(yù)計(jì)將主要應(yīng)用在工業(yè)級(jí)驅(qū)動(dòng)、牽引、可再生能源和電力傳輸?shù)阮I(lǐng)域。
IHM / IHV系列涵蓋了所有可能的逆變器功率大小，支持單開關(guān)模塊、半橋模塊、斬波器模塊和二極管模塊幾種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
 
4.5 kV產(chǎn)品的引入填補(bǔ)了3.3 kV與6.5 kV IGBT模塊之間的空白,適用于變頻器
4500V/6500V IGBT模塊產(chǎn)品全新的RCDC技術(shù)得到引進(jìn)，從而滿足了客戶對(duì)高功率密度、效率、**命周期、可靠性、改善溫度表現(xiàn)以及降低系統(tǒng)成本的需求。

蘇州徳昇锘電子科技有限公司專注于可控硅,晶閘管,二極管等

• 詞條

  詞條說明

• 小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊耐壓為1200V

  富士電機(jī)與日本山梨大學(xué)的研究小組開發(fā)出了小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊，這個(gè)IGBT模塊與其它的模塊的區(qū)別，此次開發(fā)品的特點(diǎn)在于陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用鋁。競爭產(chǎn)品大多是陶瓷基板使用Si3N4、散熱片使用銅，或者陶瓷基板使用Al2O3、散熱片使用銅。并在功率半導(dǎo)體**會(huì)議“ISPSD 2013”上發(fā)表了該模塊采用的技術(shù)。該小型輕量的直接水冷式車載IGBT模塊的耐壓為1200V，電流

• 可控硅的作用介紹及檢測方法

  1. 可控硅的特性。 可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個(gè)引出腳。 只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制較G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導(dǎo)通后，控制器G即使失去觸發(fā)電壓，只要陽極A和陰

• igbt功率模塊是以絕緣柵雙較型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊

  由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵較通過一層氧化膜與**較實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。?igbt是**的*三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應(yīng)用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動(dòng)汽車、伺服控制器、ups、開關(guān)電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例s

• 二極管模塊的使用指南

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