半導體離子質譜儀材料檢測機構

時間：2023-06-15

半導體離子質譜儀材料檢測機構

半導體行業(yè)的材料產出與材料品質需經過多道精密的檢測步驟，其中英格爾半導體離子質譜儀可提供專業(yè)幫助。當前英格爾離子質譜儀（TOF-SIMS）具備針對微區(qū)**污染分析手段與能力，在發(fā)生PCB表面異常情況下，通過英格爾豐富的數(shù)據(jù)庫進行對比可掌握污染物成分，實施污染物辨別技術判斷來源可能。

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（1）PCB上的硅油殘留污染分析

英格爾檢測：硅油具有絕緣介質的特性，廣泛運用于電子制程中，通常需要專門的清洗劑來做清潔，若有未清洗完全的硅油殘留在印刷電路板表面，則會造成后續(xù)制程不良的發(fā)生，例如：吃錫不良、灌封膠無法覆著等。

英格爾—— 硅油（Silicon Oil）污染的TOF-SIMS表面質譜圖

（2）TFT 面板的表面成份分布

TFT array面板經過多道半導體制程后會形成最后的驅動電極，英格爾TOF-SIMS的表面影像分析模式（Ion Image）具備清晰的離子成像功能，適合直接觀察TFT Array電極的分布情況。

英格爾——TFT電極成份的TOF-SIMS離子影像圖

圖四即是TOF-SIMS針對面板表面電極的離子影像圖，根據(jù)鋁（Al）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、銀（Ag）、硅（Si）等元素，挑選其中三種離子訊號制作迭圖影像，并用不同顏色分別代表不同離子，直接觀察玻璃基板上的各種金屬膜及半導體層的分布位置。

（3）SiON 薄膜縱深分析

氮氧化硅（Silicon Oxynitride，SiON）具有良好的光學特性，其折射在氮化硅Si3N4和二氧化硅SiO2之間，廣泛應用于光學組件。

英格爾—— SiON薄膜厚度的TOF-SIMS縱深分布圖

圖五顯示了TOF-SIMS的縱深分析圖，利用縱深分析模式（Depth Profile）觀察SiON薄膜中的氧及氮訊號的分布曲線，可以得出氧化硅及氮氧化硅層的厚度，待測物應該是11 nm的SiO2/SiON/Si的雙層膜材料。

不論是半導體硅油殘留污染分析，還是TFT電極成份離子質譜儀離子影像分析技術以及 SiON薄膜厚度的離子質譜儀縱深分布研究，都是查驗半導體離子質譜表面污染的重要技術手段。從英格爾離子質譜儀表面質譜圖可了解到電極分布情況；從英格爾面板表面電極的離子影像圖可了解到異樣殘留；從TOF-SIMS的縱深分析圖可了解到硅層的厚度。英格爾檢測作為在專業(yè)的第三方機構，可為企業(yè)提供一站式半導體檢測服務，詳情可點擊英格爾官網(wǎng)進行咨詢。

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詞條說明
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