直流負(fù)壓濺射和直流濺射有什么區(qū)別

時(shí)間：2024-01-30作者：鄭州科探儀器設(shè)備有限公司瀏覽：31

直流負(fù)壓濺射和直流濺射  在直流濺射中，帶正電的離子被吸引到接地的、帶負(fù)電的濺射靶上，從靶材上濺射出原子，然后這些原子在樣品（也稱為襯底）上沉積形成薄膜。通常情況下，濺射靶被接到正，而樣品端（襯底）被接到負(fù)或接地。
  

   然而，有些情況下（如反濺射或偏壓濺射），樣品端會(huì)被接到正以吸引多余的離子，從而實(shí)現(xiàn)清潔襯底表面或形成離子轟擊確保薄膜和基底的結(jié)合強(qiáng)度。這種電源連接方式可以提高薄膜的層內(nèi)應(yīng)力，改善其結(jié)晶性能，以及提高薄膜沉積效率。


 

   這種操作需要一定的注意事項(xiàng)，因?yàn)闃悠范松细唠妷嚎赡軙?huì)導(dǎo)致放電，影響設(shè)備的穩(wěn)定性和薄膜的質(zhì)量，還有可能對(duì)樣品造成損壞。根據(jù)具體的設(shè)備設(shè)計(jì)和操作要求，可能需要在樣品端和電源之間添加一個(gè)抗電弧裝置來降低這種風(fēng)險(xiǎn)。





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