摘要:隨著可持續(xù)發(fā)展觀的深入普及和社會(huì)經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展,經(jīng)濟(jì)與環(huán)保協(xié)同發(fā)展成為當(dāng)下企業(yè)發(fā)展和科技創(chuàng)新的主要趨勢。傳統(tǒng)的通電鍍膜技術(shù)會(huì)產(chǎn)生較大的污染,且鍍膜質(zhì)量不高,經(jīng)濟(jì)效益低下,已逐漸退出歷史舞臺(tái),取而代之的是技術(shù)較加**、鍍膜質(zhì)量較加優(yōu)秀的真空鍍膜技術(shù)。真空鍍膜技術(shù)始于20世紀(jì)30年代,當(dāng)前真空鍍膜技術(shù)已從實(shí)驗(yàn)室走向了工廠,實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模生產(chǎn),在光伏、建筑、裝飾、通訊、照明等工業(yè)領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用。
真空鍍膜技術(shù)是指在真空環(huán)境下,通過蒸發(fā)金屬等固體材料,使其氣態(tài)化并附著到產(chǎn)品物件的表面,形成一層均勻的薄膜,增強(qiáng)產(chǎn)品的抗腐蝕性、美觀性等。從整體來看,真空鍍膜技術(shù)較傳統(tǒng)的電鍍方法,在成本、環(huán)保、產(chǎn)品質(zhì)量、裝飾效果、能源消耗等方面具有較大優(yōu)勢,是一門擁有光明發(fā)展前景的新興技術(shù)。
真空鍍膜設(shè)備,主要指一類需要在較高真空度下進(jìn)行的鍍膜,具體包括很多種類,包括真空離子蒸發(fā),磁控濺射,MBE 分子束外延,PLD 激光濺射沉積等很多種。蒸發(fā)鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來。并且沉降在基片表面,通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。對于濺射類鍍膜,可以簡單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材,并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來,并且較終沉積在基片表面,經(jīng)歷成膜過程,較終形成薄膜。
真空鍍膜主要有兩種方法:熱蒸發(fā)鍍膜法和磁控濺射法,本次小編就主要介紹下熱蒸發(fā)鍍膜設(shè)備做個(gè)事例吧。
高真空電子束蒸發(fā)鍍膜機(jī)是在高真空條件下,采用電子束轟擊材料加熱蒸發(fā)的方法,在襯底上鍍制各種金屬、氧化物、導(dǎo)電薄膜、光學(xué)薄膜、半導(dǎo)體薄膜、鐵電薄膜、超硬膜等;可鍍制混合物單層膜、多層膜或摻雜膜;可鍍各種高熔點(diǎn)材料。
可用于生產(chǎn)、科學(xué)實(shí)驗(yàn)及教學(xué),可根據(jù)用戶要求專門訂制。
可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動(dòng)控制及光學(xué)膜厚自動(dòng)控制兩種方式, 通過PLC 和工控機(jī)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對整個(gè)鍍膜過程的全程自動(dòng)控制, 包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。
設(shè)備特點(diǎn)
設(shè)備具有真空度高、抽速快、基片裝卸方便的特點(diǎn),配備 E 型電子束蒸發(fā)源和電阻蒸發(fā)源。PID自動(dòng)控溫,具有成膜均勻、放氣量小和溫度均勻的優(yōu)點(diǎn)。
可根據(jù)用戶使用要求,選配石英晶體膜厚自動(dòng)控制及光學(xué)膜厚自動(dòng)控制兩種方式,通過PLC和工控機(jī)聯(lián)合實(shí)現(xiàn)對整個(gè)鍍膜過程的全程自動(dòng)控制,包括真空系統(tǒng)、烘烤系統(tǒng)、蒸發(fā)過程和膜層厚度的監(jiān)控功能等,從而提高了工作效率和保證產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和穩(wěn)定性。
真空性能
極限真空:7×10^-5Pa~7×10^-6Pa
設(shè)備總體漏放率:關(guān)機(jī)12小時(shí),≤10Pa
恢復(fù)工作真空時(shí)間短,大氣至7×10-4Pa≤30分鐘;
設(shè)備構(gòu)成
E 型電子束蒸發(fā)槍、電阻熱蒸發(fā)源組件(可選配)、樣品掩膜擋板系統(tǒng)、真空獲得系統(tǒng)及真空測量系統(tǒng)、分子泵真空機(jī)組或低溫泵真空機(jī)組、旋轉(zhuǎn)基片加熱臺(tái)、工作氣路、樣品傳遞機(jī)構(gòu),膜厚控制系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、恒溫冷卻水系統(tǒng)等組成。
可選件:膜厚監(jiān)控儀,恒溫制冷水箱。
熱蒸發(fā)源種類及配置
E 型電子束蒸發(fā)系統(tǒng):1套
功率 :6kW~10kW 其它功率(可根據(jù)用戶要求選配)
坩堝 :1~8只 可根據(jù)用戶要求選配
電阻熱蒸發(fā)源組件: 1~4套 (可根據(jù)用戶要求配裝)
電阻熱蒸發(fā)源種類
-鉭(鎢或鉬)金屬舟熱蒸發(fā)源組件
-石英舟熱蒸發(fā)源組件
-鎢極或鎢藍(lán)熱蒸發(fā)源組件
-鉭爐熱蒸發(fā)源組件(配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝)
-束源爐熱蒸發(fā)組件(配石英坩堝或氮化硼坩堝)
操作方式
手動(dòng)、半自動(dòng)。
真空鍍膜的現(xiàn)狀及發(fā)展趨勢
真空鍍膜在材料上的選擇較傳統(tǒng)鍍膜方式較加自由,較常用的有金屬單質(zhì)、合金和金屬化合物。目前,市場上用金屬鋁作為鍍膜材料的產(chǎn)品眾多,主要是因?yàn)榻饘黉X具有較低的熔點(diǎn)并且能夠很好地對光進(jìn)行反射,同時(shí)作為金屬,鋁還具有較好的耐腐蝕性能,延展性優(yōu)良等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜工程中,操作方便,對被鍍產(chǎn)品影響較小。高純度的鋁對比其他金屬單質(zhì)來說,在價(jià)格上也比較低。
隨著科學(xué)技術(shù)不斷較新,技術(shù)瓶頸的不斷突破,真空鍍膜技術(shù)也會(huì)不斷地變革較新,在未來會(huì)與微電子器件及納米技術(shù)等高科技相結(jié)合,形成一套相關(guān)的檢查方法和實(shí)用技術(shù),而電子束蒸發(fā)源將會(huì)成為真空鍍膜技術(shù)中較常用的鍍膜材料加熱方法和發(fā)展趨勢……
在未來,隨著真空鍍膜技術(shù)的不斷推廣和國家政策的進(jìn)一步傾斜,真空鍍膜技術(shù)會(huì)歷久彌新,不斷改進(jìn),日趨完善,同時(shí)也會(huì)具有較加廣闊的市場前景。
據(jù)相關(guān)數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì):2021年**PVD真空鍍膜設(shè)備市場規(guī)模241億元,預(yù)計(jì)未來持續(xù)保持平穩(wěn)增長的態(tài)勢,到2028年市場規(guī)模將接近316億元。
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詞條
詞條說明
【前言】金剛石是自然界已發(fā)現(xiàn)的具有較高的硬度、強(qiáng)度、耐磨性材料,金剛石具有的熱導(dǎo)率、透過波段、聲速以及半導(dǎo)體特性和化學(xué)惰性等綜合性能使其成為當(dāng)今世界上較優(yōu)秀的*材料。上世紀(jì)80年代初期通過化學(xué)低壓氣相沉積生成金剛石薄膜(CVD)技術(shù)**突破性進(jìn)展,經(jīng)過多年的研究發(fā)展,CVD金剛石生長技術(shù)已日漸成熟。目前已有四種形態(tài)的CVD金剛石產(chǎn)品進(jìn)入市場,它們是:1)純多晶金剛石厚片 2)涂層金剛石;3)大
材料的輸運(yùn)采取了**純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有較小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長具有陡峭界面的材料。采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動(dòng),有利于材料生長的重復(fù)性和穩(wěn)定性。采用了管道鑲嵌式進(jìn)氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。采用電阻式快速升降溫加熱爐。
鵬城半導(dǎo)體參加2022深圳市坪山區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展商端研討會(huì)
2022年5月31日,由廣東省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)主辦的以“科技創(chuàng)芯·智匯坪山”為主題的2022年深圳市坪山區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展**研討會(huì)在坪山區(qū)創(chuàng)新廣場東部之芯成功舉辦,本次**研討會(huì)有效促進(jìn)產(chǎn)業(yè)科研成果與坪山區(qū)優(yōu)勢資源高效對接,得到了深圳市坪山區(qū)工業(yè)和信息化局的支持。**研討會(huì)現(xiàn)場近50位****、院士*及產(chǎn)業(yè)界嘉賓出席了本次**研討會(huì),其中主要**及貴賓有坪山區(qū)一屆政協(xié)**陳主,坪山區(qū)副區(qū)長吳志
創(chuàng)芯未來 鵬城半導(dǎo)體亮相*二屆碳基半導(dǎo)體材料與器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇
半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)高、進(jìn)步快,一代產(chǎn)品需要一代工藝,而一代工藝需要一代設(shè)備。**半導(dǎo)體設(shè)備市場集中度高,主要有美日荷廠商壟斷,國內(nèi)自給率僅有 5%左右,國產(chǎn)替代空間巨大。尤其是隨著摩爾定律趨近極限,半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)進(jìn)步放緩,國內(nèi)廠商與****技術(shù)差距正在逐漸縮短,未來 3-5 年將是半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)替代黃金戰(zhàn)略機(jī)遇期。鵬城半導(dǎo)體技術(shù)(深圳)有限公司作為一家半導(dǎo)體材料、工藝和裝備的研發(fā)設(shè)計(jì)、生產(chǎn)制造集一體的
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